Зображення обкладинки

Approaching to an optimal value of rise time in n-well/p substrate photodiode by controlling depletion layer width

The relationship between response speed of a silicon n-well/p substrate photodiode and the depletion layer width has been investigated. Variation of both the junction capacitance and the series resistance of the photodiode with the depletion layer width have been analyzed. It is shown that the co...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:2009
Автор: Emad Hameed Hussein
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118849
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Approaching to an optimal value of rise time in n-well/p substrate photodiode by controlling depletion layer width / Emad Hameed Hussein // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 4. — С. 424-428. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси