Зображення обкладинки

Modeling of photons trapping effect on the performance of HPT-LED Optoelectronic Integrated Device (OEID)

The effect of photons trapped at the LED side due to total internal reflection on the transient behavior of an Optoelectronic Integrated Device (OEID) is considered in this paper. The device is composed of a Heterojunction Phototransistor (HPT) and a Light Emitting Diode (LED). The expressions de...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:2009
Автор: Eladl, Sh.M.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118870
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Modeling of photons trapping effect on the performance of HPT-LED Optoelectronic Integrated Device (OEID) / Sh.M. Eladl // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 3. — С. 255-259. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси