Electron mobility in CdxHg₁₋xSe

Electron scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain, ionized impurities in CdxHg₁₋xSe (0 ⩽ x ⩽ 0.547) samples annealled in selenium vapour or in dynamic vacuum are considered. Within the...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2009
1. Verfasser: Malyk, O.P.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Schriftenreihe:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118873
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Electron mobility in CdxHg₁₋xSe / O.P. Malyk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 3. — С. 272-275. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine