Structure and electrical properties of In₂Se₃Mn layered crystals
Investigations of the crystalline structure and electrical properties of
 In₂Se₃ 1 wt. %Mn and In₂Se₃ 6 wt. % Mn crystals have been carried out. We have
 found formation of a substitutional solid solution for In₂Se₃ 1 wt. %Mn single crystals as
 well as existence of two ph...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2009 |
| Автори: | Kaminskii, V.M., Kovalyuk, Z.D., Zaslonkin, A.V., Ivanov, V.I. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118878 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Structure and electrical properties of In₂Se₃Mn layered crystals / V.M. Kaminskii, Z.D. Kovalyuk, A.V. Zaslonkin, and V.I. Ivanov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 3. — С. 290-293. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Electrical properties of fast cooled InSe single crystals
за авторством: Zaslonkin, A.V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Zaslonkin, A.V., та інші
Опубліковано: (2008)
Physical properties of layered FeIn₂Se₄ single crystals
за авторством: Boledzyuk, V.B., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Boledzyuk, V.B., та інші
Опубліковано: (2016)
Electrical properties of fast cooled inse single crystals
за авторством: Zaslonkin, A.V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Zaslonkin, A.V., та інші
Опубліковано: (2008)
Layered crystals FeIn₂Se₄, In₄Se₃ and heterojunctions on their basis
за авторством: Kushnir, B.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Kushnir, B.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
за авторством: V. B. Boledzyuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. B. Boledzyuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2004)
Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2011)
Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Dielectric characteristics of GaSe nanocrystals intercalated with hydrogen
за авторством: Kaminskii, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Kaminskii, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
On Wannier exciton 2D localization in hydrogen intercalated InSe and GaSe layered semiconductor crystals
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2004)
Електричні властивості інтеркальованих шаруватих кристалів In2Se3
за авторством: Boledzyuk, V.B., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Boledzyuk, V.B., та інші
Опубліковано: (2022)
Electrical properties of photosensitive heterostructures n-FeS₂/p-InSe
за авторством: Tkachuk, I.G., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Tkachuk, I.G., та інші
Опубліковано: (2018)
Diluted magnetic layered semiconductor InSe:Mn with high Curie temperature
за авторством: Lashkarev, G.V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Lashkarev, G.V., та інші
Опубліковано: (2011)
Optical properties of GaSe semiconducting crystals intercalated by CdTe nanoparticles
за авторством: Khalavk, Y.B., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Khalavk, Y.B., та інші
Опубліковано: (2009)
Fine structure of NQR spectra in GaSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2009)
The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2011)
The effect of the introduction of NI2+ ions on the properties of InSe layered crystals
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Structure and electrical resistance of the passivating ZnSe layer on Ge
за авторством: Maslov, V.P., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Maslov, V.P., та інші
Опубліковано: (2021)
Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2003)
Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2012)
Study of structural, electrical, and optical properties of MoRe₀.₀₀₁Se₁.₉₉₉ single crystal
за авторством: Vora, A.M.
Опубліковано: (2020)
за авторством: Vora, A.M.
Опубліковано: (2020)
Diluted magnetic layered semiconductor InSe:Mn with high Curie temperature
за авторством: G. V. Lashkarev, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: G. V. Lashkarev, та інші
Опубліковано: (2011)
Барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників InSe та GaSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2022)
Study of supercapacitors with a double electrical layer based on activated carbon materials
за авторством: Budzulyak, I.M., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Budzulyak, I.M., та інші
Опубліковано: (2002)
Electrical properties of InSe and Bi2Te3 layered single crystals intercalated with C3H8O3
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2015)
Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2007)
Structure similarity and lattice dynamics of InSe and In₄Se₃ crystals
за авторством: Bercha, D.M., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Bercha, D.M., та інші
Опубліковано: (2000)
Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2011)
Self-organization of magnetic nanostructures on the surface of layers of layered In2Se3 crystals intercalated with cobalt
за авторством: A. P. Bakhtinov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. P. Bakhtinov, та інші
Опубліковано: (2013)
Structural and energy changes at the cleavage surfaces of In₄Se₃ layered crystals under interface formation
за авторством: Galiy, P.V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Galiy, P.V., та інші
Опубліковано: (2008)
The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2011)
Electrical and optical properties of AgGaGe2S2Se4 single crystals
за авторством: H. L. Myronchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: H. L. Myronchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Electrical and optical properties of AgGaGe2S2Se4 single crystals
за авторством: G. L. Myronchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: G. L. Myronchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Electronic properties of AlN crystal doped with Cr, Mn and Fe
за авторством: Syrotyuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Syrotyuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2013)
X-ray photoelectron spectroscopy of the interface formation on cleavage surfaces of the layered semiconductor In₄Se₃ crystals
за авторством: Galiy, P.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Galiy, P.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Peculiarities of surface topology of In4Se3 layered crystals
за авторством: A. A. Balitskij
Опубліковано: (2006)
за авторством: A. A. Balitskij
Опубліковано: (2006)
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2004)
Polarization properties and a local structure of (GeSe₂)x(Sb2Se₃)₁-x glasses
за авторством: Malesh, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Malesh, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)
Electronic and magnetic properties of ZnS crystal doped by Mn and Cu substitution atoms
за авторством: Syrotyuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Syrotyuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2011)
Thermoelectric studies of electronic properties of ferromagnetic GaMnAs layers
за авторством: Osinniy, V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Osinniy, V., та інші
Опубліковано: (2008)
Схожі ресурси
-
Electrical properties of fast cooled InSe single crystals
за авторством: Zaslonkin, A.V., та інші
Опубліковано: (2008) -
Physical properties of layered FeIn₂Se₄ single crystals
за авторством: Boledzyuk, V.B., та інші
Опубліковано: (2016) -
Electrical properties of fast cooled inse single crystals
за авторством: Zaslonkin, A.V., та інші
Опубліковано: (2008) -
Layered crystals FeIn₂Se₄, In₄Se₃ and heterojunctions on their basis
за авторством: Kushnir, B.V., та інші
Опубліковано: (2017) -
Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
за авторством: V. B. Boledzyuk, та інші
Опубліковано: (2013)