Зображення обкладинки

A neural computation to study the scaling capability of the undoped DG MOSFET

The DG MOSFET is one of the most promising candidates for further CMOS scaling beyond the year of 2010. It will be scaled down to various degrees upon a wide range of system/circuit requirements (such as high-performance, low standby power and low operating power). The key electrical parameter of...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2008
Автори:	Djeffal, F., Guessasma, S., Benhaya, A., Bendib, T.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118884
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	A neural computation to study the scaling capability of the undoped DG MOSFET / F. Djeffal, S. Guessasma, A. Benhaya, T. Bendib // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2008. — Т. 11, № 2. — С. 196-202. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Impact of sidewall spacer on gate leakage behavior of nano-scale MOSFETs
за авторством: A. K. Rana, та інші
Опубліковано: (2011)

Impact of sidewall spacer on gate leakage behavior of nano-scale MOSFETs
за авторством: Rana, A.K., та інші
Опубліковано: (2011)

Dg algebras with enough idempotents, their dg modules and their derived categories
за авторством: Saorín, Manuel
Опубліковано: (2017)

Dg algebras with enough idempotents, their dg modules and their derived categories
за авторством: M. Saorнn
Опубліковано: (2017)

Dg algebras with enough idempotents, their dg modules and their derived categories
за авторством: Saorín, M.
Опубліковано: (2017)

Surface mounting of unpackaged power MOSFET
за авторством: D. L. Anufriev, та інші
Опубліковано: (2006)

Study of trapping centers in undoped Al₂O₃ crystals using thermoluminescence methods
за авторством: Gumenjuk, A.F., та інші
Опубліковано: (2005)

DG-Enhanced Hecke and KLR Algebras
за авторством: Maksimau, Ruslan, та інші
Опубліковано: (2023)

ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ
за авторством: Ковбаса, С.М., та інші
Опубліковано: (2025)

Поверхностный монтаж мощных бескорпусных MOSFET-транзисторов
за авторством: Anufriev, D. L., та інші
Опубліковано: (2006)

USING MOSFET-TRANSISTORS IN SOLAR PANELS
за авторством: Bondarenko, D.
Опубліковано: (2022)

Thermally stimulated luminescence studies of undoped and doped CaB₄O₇ compounds
за авторством: Manam, J., та інші
Опубліковано: (2003)

Theoretical model of mechanism of inhibition of the singlet oxygen (a1Dg) by azide natrium
за авторством: A. V. Shevchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Mechanisms of surface evolution during the growth of undoped nanosilicon films
за авторством: M. H. Nakhodkin, та інші
Опубліковано: (2015)

Mechanisms of surface evolution during the growth of undoped nanosilicon films
за авторством: N. G. Nakhodkin, та інші
Опубліковано: (2015)

The capabilities of computed tomography and ultrasonography in diagnosis of pancreatic invasion in gastric cancer
за авторством: Ja. Abdullaev, та інші
Опубліковано: (2016)

Change of parameters of semiinsulated undoped GaAs nonstoichiometric crystals under annealing
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2007)

Photochromic effect and photoconductivity in undoped and doped Bi₁₂SiO₂₀ crystals
за авторством: Panchenko, T.V., та інші
Опубліковано: (2007)

High-temperature characteristics of zone-melting recrystallized silicon-on-insulator MOSFETs
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (1998)

Revision of interface coupling in ultra-thin body silicon-on-insulator MOSFETs
за авторством: T. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Effect of oxide-semiconductor interface traps on low-temperature operation of MOSFETs
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2001)

Models of the optimal interaction of DG sources and the energy storage systems within Microgrids
за авторством: D. H. Derevianko, та інші
Опубліковано: (2024)

The capabilities of computed tomography and ultrasound diagnosis in preoperative evaluation of intramural gastric cancer invasion
за авторством: Ju. A. Vinnik, та інші
Опубліковано: (2014)

Experimental electromagnetic compatibility of conducted electromagnetic interferences from an IGBT and a MOSFET in the power supply
за авторством: Lahlaci, M. E., та інші
Опубліковано: (2024)

Neural control on multiple time scales: Insights from human stick balancing
за авторством: Cabrera, J.L., та інші
Опубліковано: (2006)

Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа
за авторством: Рубцевич, И.И., та інші
Опубліковано: (2004)

Parallel Computations with Large-scale Air Pollution Models
за авторством: Dimov, I., та інші
Опубліковано: (2015)

Parallel Computations with Large-scale Air Pollution Models
за авторством: Dimov, I., та інші
Опубліковано: (2003)

An analytical accumulation mode SOI pMOSFET model for high-temperature analog applications
за авторством: Houk, Yu., та інші
Опубліковано: (2006)

Experimental studies of the generating capabilities of mine hoists in industrial conditions
за авторством: D. P. Bozhyk, та інші
Опубліковано: (2024)

Ideas of postpositivism in sociology: the reception by J. Berger, M. Zelditch Jr. and D.G. Wagner
за авторством: V. Reznik
Опубліковано: (2022)

Growing the epitaxial undoped and N-doped ZnO films by radical beam gettering epitaxy
за авторством: Rogozin, I.V.
Опубліковано: (2006)

Main Features of the Stability and Reliability Enhancement of Electricity Grid with DG in Ukraine Based on IEEE Standards
за авторством: Kyrylenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Structure of centers of matrix emission of the undoped and RE-doped scheelite-type lead tungstate crystals
за авторством: O. Chukova, та інші
Опубліковано: (2019)

Structure of centers of matrix emission of the undoped and RE-doped scheelite-type lead tungstate crystals
за авторством: O. Chukova, та інші
Опубліковано: (2019)

Main Features of the Stability and Reliability Enhancement of Electricity Grid with DG in Ukraine Based on IEEE Standards
за авторством: O. V. Kyrylenko, та інші
Опубліковано: (2013)

The capabilities of helical x-ray computed tomography in pre-operative diagnosis of cancer of the upper portion of the stomach
за авторством: Ju. A. Vinnik, та інші
Опубліковано: (2013)

Fundamental limits for the MOSFET conduction channel length taking the real profile of the barrier potential into account
за авторством: M. V. Strikha, та інші
Опубліковано: (2021)

Characterization of charge trapping processes in fully-depleted UNIBOND SOI MOSFET subjected to γ-irradiation
за авторством: Houk, Y., та інші
Опубліковано: (2006)

Scaling theory and computer simulation of star polymers in good solvents
за авторством: Ohno, K.
Опубліковано: (2002)