Tight-binding description of TiCx

A parametrized non-orthogonal tight-binding (TB) method combined with the coherent-potential-approximation is applied to the study of the electronic structure of disordered off-stoichiometric TiCx, the lattice relaxation and the electronic spectra of the TiC (001) surface, the local relaxation and e...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Condensed Matter Physics
Date:2004
Main Authors: Ivashchenko, V.I., Turchi, P.E.A., Shevchenko, V.I., Ivashchenko, L.A., Porada, O.K.
Format: Article
Language:English
Published: Інститут фізики конденсованих систем НАН України 2004
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118890
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Tight-binding description of TiCx / V.I. Ivashchenko, P.E.A. Turchi, V.I. Shevchenko, L.A. Ivashchenko, O.K. Porada // Condensed Matter Physics. — 2004. — Т. 7, № 1(37). — С. 79-100. — Бібліогр.: 70 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:A parametrized non-orthogonal tight-binding (TB) method combined with the coherent-potential-approximation is applied to the study of the electronic structure of disordered off-stoichiometric TiCx, the lattice relaxation and the electronic spectra of the TiC (001) surface, the local relaxation and energetic states of TiC structures with one or two vacancies in both the non-metal and metal sublattices. The calculated results are in good agreement with available experimental and theoretical data. The importance of the overlap matrix elements of the TB Hamiltonian in describing the electronic structure of this class of compounds is emphasized. Параметризований неортогональний метод сильного зв’язку (СЗ), а також наближення когерентного потенціалу застосовано до вивчення електронної структури розупорядкованого нестехіометричного TiCx , релаксації ґратки та електронного спектру поверхні (001) TiC, локальних релаксацій та енергетичних станів структур TiC , які містять одну або дві вакансії як в неметалевій, так і в металевій підґратках. Результати розрахунків добре узгоджуються з існуючими експериментальними та теоретичними даними. Продемонстрована важливість врахування матричних елементів перекриття гамільтоніану для опису електронної структури цього класу сполук.
ISSN:1607-324X