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Theoretical consideration of charge transport through the nanoindentor/GaAs junction

The process of indentation of GaAs single crystal by the conductive nanoindentor has been analyzed theoretically. The diode formed by the nanoindentor tip and small area of GaAs platelet has been considered. The evolution of local mechanical stress during the nanoindentati...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2008
ISSN:	1560-8034
Hauptverfasser:	Kosogor, A.O., Nowak, R., Chrobak, D., L’vov, V.A.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118903
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Theoretical consideration of charge transport through the nanoindentor/GaAs junction / A. O. Kosogor, R. Nowak, D. Chrobak, V. A. L'vov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2008. — Т. 11, № 3. — С. 217-220. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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