Electronic structure of mixed valent systems
The electronic structure of Tm and Sm monochalcogenides, SmB₆ and Yb₄As₃ is theoretically investigated from the first principles, using the fully relativistic Dirac LMTO band structure method. The electronic structure is obtained using the local spin-density approximation (LSDA), as well as the so-c...
Saved in:
| Published in: | Condensed Matter Physics |
|---|---|
| Date: | 2004 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2004
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118954 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Electronic structure of mixed valent systems / V.N. Antonov, A.P. Shpak, A.N. Yaresko // Condensed Matter Physics. — 2004. — Т. 7, № 2(38). — С. 211-246. — Бібліогр.: 125 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862724475056816128 |
|---|---|
| author | Antonov, V.N. Shpak, A.P. Yaresko, A.N. |
| author_facet | Antonov, V.N. Shpak, A.P. Yaresko, A.N. |
| citation_txt | Electronic structure of mixed valent systems / V.N. Antonov, A.P. Shpak, A.N. Yaresko // Condensed Matter Physics. — 2004. — Т. 7, № 2(38). — С. 211-246. — Бібліогр.: 125 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Condensed Matter Physics |
| description | The electronic structure of Tm and Sm monochalcogenides, SmB₆ and Yb₄As₃ is theoretically investigated from the first principles, using the fully relativistic Dirac LMTO band structure method. The electronic structure is obtained using the local spin-density approximation (LSDA), as well as the so-called LSDA+U approach. While the standard LSDA approach is incapable of correctly describing the electronic structure of such materials due to the strong on-site Coulomb repulsion, the LSDA+U approach is remarkably accurate in providing a detailed agreement with experiment for a number of properties.
Електронна структура монохалкогенідів Tm і Sm, SmB₆ і Yb₄As₃ теоретично досліджується із перших принципів, використовуючи повністю релятивістський діраківський ЛМТО метод зонних структур. Електронна структура отримана, використовуючи наближення локальної спінової густини (LSDA), наряду з так званим LSDA+U підходом. В рамках звичайног о LSDA не вдається коректно описати електронну структуру таких матеріалів завдяки сильному Кулонівському відштовхуванню на вузлі, тоді як LSDA+U підхід чудово точний принаданні детальної згоди з експериментом для ряду властивостей.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:47:24Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-118954 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1607-324X |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T18:47:24Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | Інститут фізики конденсованих систем НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Antonov, V.N. Shpak, A.P. Yaresko, A.N. 2017-06-01T15:48:41Z 2017-06-01T15:48:41Z 2004 Electronic structure of mixed valent systems / V.N. Antonov, A.P. Shpak, A.N. Yaresko // Condensed Matter Physics. — 2004. — Т. 7, № 2(38). — С. 211-246. — Бібліогр.: 125 назв. — англ. 1607-324X PACS: 71.28.+d, 71.25.Pi, 75.30.Mb DOI:10.5488/CMP.7.2.211 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118954 The electronic structure of Tm and Sm monochalcogenides, SmB₆ and Yb₄As₃ is theoretically investigated from the first principles, using the fully relativistic Dirac LMTO band structure method. The electronic structure is obtained using the local spin-density approximation (LSDA), as well as the so-called LSDA+U approach. While the standard LSDA approach is incapable of correctly describing the electronic structure of such materials due to the strong on-site Coulomb repulsion, the LSDA+U approach is remarkably accurate in providing a detailed agreement with experiment for a number of properties. Електронна структура монохалкогенідів Tm і Sm, SmB₆ і Yb₄As₃ теоретично досліджується із перших принципів, використовуючи повністю релятивістський діраківський ЛМТО метод зонних структур. Електронна структура отримана, використовуючи наближення локальної спінової густини (LSDA), наряду з так званим LSDA+U підходом. В рамках звичайног о LSDA не вдається коректно описати електронну структуру таких матеріалів завдяки сильному Кулонівському відштовхуванню на вузлі, тоді як LSDA+U підхід чудово точний принаданні детальної згоди з експериментом для ряду властивостей. en Інститут фізики конденсованих систем НАН України Condensed Matter Physics Electronic structure of mixed valent systems Електронна структура змішаних валентних систем Article published earlier |
| spellingShingle | Electronic structure of mixed valent systems Antonov, V.N. Shpak, A.P. Yaresko, A.N. |
| title | Electronic structure of mixed valent systems |
| title_alt | Електронна структура змішаних валентних систем |
| title_full | Electronic structure of mixed valent systems |
| title_fullStr | Electronic structure of mixed valent systems |
| title_full_unstemmed | Electronic structure of mixed valent systems |
| title_short | Electronic structure of mixed valent systems |
| title_sort | electronic structure of mixed valent systems |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118954 |
| work_keys_str_mv | AT antonovvn electronicstructureofmixedvalentsystems AT shpakap electronicstructureofmixedvalentsystems AT yareskoan electronicstructureofmixedvalentsystems AT antonovvn elektronnastrukturazmíšanihvalentnihsistem AT shpakap elektronnastrukturazmíšanihvalentnihsistem AT yareskoan elektronnastrukturazmíšanihvalentnihsistem |