Electronic structure of mixed valent systems

The electronic structure of Tm and Sm monochalcogenides, SmB₆ and Yb₄As₃ is theoretically investigated from the first principles, using the fully relativistic Dirac LMTO band structure method. The electronic structure is obtained using the local spin-density approximation (LSDA), as well as the so-c...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Condensed Matter Physics
Datum:2004
Hauptverfasser: Antonov, V.N., Shpak, A.P., Yaresko, A.N.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: Інститут фізики конденсованих систем НАН України 2004
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118954
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Electronic structure of mixed valent systems / V.N. Antonov, A.P. Shpak, A.N. Yaresko // Condensed Matter Physics. — 2004. — Т. 7, № 2(38). — С. 211-246. — Бібліогр.: 125 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-118954
record_format dspace
spelling Antonov, V.N.
Shpak, A.P.
Yaresko, A.N.
2017-06-01T15:48:41Z
2017-06-01T15:48:41Z
2004
Electronic structure of mixed valent systems / V.N. Antonov, A.P. Shpak, A.N. Yaresko // Condensed Matter Physics. — 2004. — Т. 7, № 2(38). — С. 211-246. — Бібліогр.: 125 назв. — англ.
1607-324X
PACS: 71.28.+d, 71.25.Pi, 75.30.Mb
DOI:10.5488/CMP.7.2.211
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118954
The electronic structure of Tm and Sm monochalcogenides, SmB₆ and Yb₄As₃ is theoretically investigated from the first principles, using the fully relativistic Dirac LMTO band structure method. The electronic structure is obtained using the local spin-density approximation (LSDA), as well as the so-called LSDA+U approach. While the standard LSDA approach is incapable of correctly describing the electronic structure of such materials due to the strong on-site Coulomb repulsion, the LSDA+U approach is remarkably accurate in providing a detailed agreement with experiment for a number of properties.
Електронна структура монохалкогенідів Tm і Sm, SmB₆ і Yb₄As₃ теоретично досліджується із перших принципів, використовуючи повністю релятивістський діраківський ЛМТО метод зонних структур. Електронна структура отримана, використовуючи наближення локальної спінової густини (LSDA), наряду з так званим LSDA+U підходом. В рамках звичайног о LSDA не вдається коректно описати електронну структуру таких матеріалів завдяки сильному Кулонівському відштовхуванню на вузлі, тоді як LSDA+U підхід чудово точний принаданні детальної згоди з експериментом для ряду властивостей.
en
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
Condensed Matter Physics
Electronic structure of mixed valent systems
Електронна структура змішаних валентних систем
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Electronic structure of mixed valent systems
spellingShingle Electronic structure of mixed valent systems
Antonov, V.N.
Shpak, A.P.
Yaresko, A.N.
title_short Electronic structure of mixed valent systems
title_full Electronic structure of mixed valent systems
title_fullStr Electronic structure of mixed valent systems
title_full_unstemmed Electronic structure of mixed valent systems
title_sort electronic structure of mixed valent systems
author Antonov, V.N.
Shpak, A.P.
Yaresko, A.N.
author_facet Antonov, V.N.
Shpak, A.P.
Yaresko, A.N.
publishDate 2004
language English
container_title Condensed Matter Physics
publisher Інститут фізики конденсованих систем НАН України
format Article
title_alt Електронна структура змішаних валентних систем
description The electronic structure of Tm and Sm monochalcogenides, SmB₆ and Yb₄As₃ is theoretically investigated from the first principles, using the fully relativistic Dirac LMTO band structure method. The electronic structure is obtained using the local spin-density approximation (LSDA), as well as the so-called LSDA+U approach. While the standard LSDA approach is incapable of correctly describing the electronic structure of such materials due to the strong on-site Coulomb repulsion, the LSDA+U approach is remarkably accurate in providing a detailed agreement with experiment for a number of properties. Електронна структура монохалкогенідів Tm і Sm, SmB₆ і Yb₄As₃ теоретично досліджується із перших принципів, використовуючи повністю релятивістський діраківський ЛМТО метод зонних структур. Електронна структура отримана, використовуючи наближення локальної спінової густини (LSDA), наряду з так званим LSDA+U підходом. В рамках звичайног о LSDA не вдається коректно описати електронну структуру таких матеріалів завдяки сильному Кулонівському відштовхуванню на вузлі, тоді як LSDA+U підхід чудово точний принаданні детальної згоди з експериментом для ряду властивостей.
issn 1607-324X
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118954
citation_txt Electronic structure of mixed valent systems / V.N. Antonov, A.P. Shpak, A.N. Yaresko // Condensed Matter Physics. — 2004. — Т. 7, № 2(38). — С. 211-246. — Бібліогр.: 125 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT antonovvn electronicstructureofmixedvalentsystems
AT shpakap electronicstructureofmixedvalentsystems
AT yareskoan electronicstructureofmixedvalentsystems
AT antonovvn elektronnastrukturazmíšanihvalentnihsistem
AT shpakap elektronnastrukturazmíšanihvalentnihsistem
AT yareskoan elektronnastrukturazmíšanihvalentnihsistem
first_indexed 2025-12-07T18:47:24Z
last_indexed 2025-12-07T18:47:24Z
_version_ 1850876356888363008