Band structure of non-steiochiometric large-sized nanocrystallites

A band structure of large-sized (from 20 to 35nm) non-steichiometric nanocrystallites (NC) of the Si₂₋xCx (1.04 <x< 1.10) has been investigated using different band energy approaches and a modified Car-Parinello molecular dynamics structure optimization of the NC interfaces. The nonsteichio...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Condensed Matter Physics
Дата:2004
Автор: Kityk, I.V.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики конденсованих систем НАН України 2004
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118964
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Band structure of non-steiochiometric large-sized nanocrystallites / I.V. Kityk // Condensed Matter Physics. — 2004. — Т. 7, № 2(38). — С. 401–420. — Бібліогр.: 27 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-118964
record_format dspace
spelling Kityk, I.V.
2017-06-01T15:57:29Z
2017-06-01T15:57:29Z
2004
Band structure of non-steiochiometric large-sized nanocrystallites / I.V. Kityk // Condensed Matter Physics. — 2004. — Т. 7, № 2(38). — С. 401–420. — Бібліогр.: 27 назв. — англ.
1607-324X
PACS: 71.20
DOI:10.5488/CMP.7.2.401
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118964
A band structure of large-sized (from 20 to 35nm) non-steichiometric nanocrystallites (NC) of the Si₂₋xCx (1.04 <x< 1.10) has been investigated using different band energy approaches and a modified Car-Parinello molecular dynamics structure optimization of the NC interfaces. The nonsteichiometric excess of carbon favors the appearance of a thin prevailingly carbon-contained layer (with thickness of about 1 nm) covering the crystallites. As a consequence, one can observe a substantial structure reconstruction of boundary SiC crystalline layers. The numerical modeling has shown that these NC can be considered as SiC reconstructed crystalline films with thickness of about 2 nm covering the SiC crystallites. The observed data are considered within the different one-electron band structure methods. It was shown that the nano-sized carbon sheet plays a key role in a modified band structure. Independent manifestation of the important role played by the reconstructed confined layers is due to the experimentally discovered excitonic-like resonances. Low-temperature absorption measurements confirm the existence of sharp-like absorption resonances originating from the reconstructed layers.
Досліджено зонну структуру широко-розмірних Si₂₋xCx (1.04 <x< 1.10) нанокристалів (НК) з розмірами від 20 до 35 нм, використовуючи різні методи розрахунків зонної структури і модифікований молекулярно-динамічний метод геометричної оптимізації інтерфейсів Кара-Парінелло. Нестехіометричний надлишок вуглецю сприяє появі тонких (біля 1 нм) шарів вуглецю на поверхнях НК. В результаті спостерігається істотна перебудова граничних кристалічних шарів SiC. Числове моделювання показало, що ці НК можуть розглядатись як модифіковані структури кристалів SiC з розмірами біля 2 нм. Отримані результати розглядаються в рамках різних одно-електронних підходів. Незалежним експериментальним проявом цих наноефектів є екситонні ефекти, які проявляються в низькотемпературних спектрах поглинання як гострі абсорбційні резонанси, що походять реконструйованих шарів
The author is grateful to CNRS – Region Rennes Delegation
en
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
Condensed Matter Physics
Band structure of non-steiochiometric large-sized nanocrystallites
Зонна структура нестехіометричних широко-розмірних нанокристалів
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Band structure of non-steiochiometric large-sized nanocrystallites
spellingShingle Band structure of non-steiochiometric large-sized nanocrystallites
Kityk, I.V.
title_short Band structure of non-steiochiometric large-sized nanocrystallites
title_full Band structure of non-steiochiometric large-sized nanocrystallites
title_fullStr Band structure of non-steiochiometric large-sized nanocrystallites
title_full_unstemmed Band structure of non-steiochiometric large-sized nanocrystallites
title_sort band structure of non-steiochiometric large-sized nanocrystallites
author Kityk, I.V.
author_facet Kityk, I.V.
publishDate 2004
language English
container_title Condensed Matter Physics
publisher Інститут фізики конденсованих систем НАН України
format Article
title_alt Зонна структура нестехіометричних широко-розмірних нанокристалів
description A band structure of large-sized (from 20 to 35nm) non-steichiometric nanocrystallites (NC) of the Si₂₋xCx (1.04 <x< 1.10) has been investigated using different band energy approaches and a modified Car-Parinello molecular dynamics structure optimization of the NC interfaces. The nonsteichiometric excess of carbon favors the appearance of a thin prevailingly carbon-contained layer (with thickness of about 1 nm) covering the crystallites. As a consequence, one can observe a substantial structure reconstruction of boundary SiC crystalline layers. The numerical modeling has shown that these NC can be considered as SiC reconstructed crystalline films with thickness of about 2 nm covering the SiC crystallites. The observed data are considered within the different one-electron band structure methods. It was shown that the nano-sized carbon sheet plays a key role in a modified band structure. Independent manifestation of the important role played by the reconstructed confined layers is due to the experimentally discovered excitonic-like resonances. Low-temperature absorption measurements confirm the existence of sharp-like absorption resonances originating from the reconstructed layers. Досліджено зонну структуру широко-розмірних Si₂₋xCx (1.04 <x< 1.10) нанокристалів (НК) з розмірами від 20 до 35 нм, використовуючи різні методи розрахунків зонної структури і модифікований молекулярно-динамічний метод геометричної оптимізації інтерфейсів Кара-Парінелло. Нестехіометричний надлишок вуглецю сприяє появі тонких (біля 1 нм) шарів вуглецю на поверхнях НК. В результаті спостерігається істотна перебудова граничних кристалічних шарів SiC. Числове моделювання показало, що ці НК можуть розглядатись як модифіковані структури кристалів SiC з розмірами біля 2 нм. Отримані результати розглядаються в рамках різних одно-електронних підходів. Незалежним експериментальним проявом цих наноефектів є екситонні ефекти, які проявляються в низькотемпературних спектрах поглинання як гострі абсорбційні резонанси, що походять реконструйованих шарів
issn 1607-324X
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118964
citation_txt Band structure of non-steiochiometric large-sized nanocrystallites / I.V. Kityk // Condensed Matter Physics. — 2004. — Т. 7, № 2(38). — С. 401–420. — Бібліогр.: 27 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT kitykiv bandstructureofnonsteiochiometriclargesizednanocrystallites
AT kitykiv zonnastrukturanestehíometričnihširokorozmírnihnanokristalív
first_indexed 2025-11-30T12:47:07Z
last_indexed 2025-11-30T12:47:07Z
_version_ 1850857663341002752