Образование кластеров и перколяционного порога в двухфазной системе со случайным распределением квантовых точек ZnSe
При исследовании двухфазной системы, представляющей собой боросиликатное стекло с квантовыми точками ZnSe, обнаружена особенность, связанная с образованием в ней фазового перколяционного перехода носителей. При концентрациях квантовых точек, близких к порогу, выявлены изменения интенсивности полосы...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2009
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118969 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Образование кластеров и перколяционного порога в двухфазной системе со случайным распределением квантовых точек ZnSe / Н.В. Бондарь // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 3. — С. 307–314. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-118969 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Бондарь, Н.В. 2017-06-02T11:20:12Z 2017-06-02T11:20:12Z 2009 Образование кластеров и перколяционного порога в двухфазной системе со случайным распределением квантовых точек ZnSe / Н.В. Бондарь // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 3. — С. 307–314. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.21.La, 78.67.–n, 78.55.Et https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118969 При исследовании двухфазной системы, представляющей собой боросиликатное стекло с квантовыми точками ZnSe, обнаружена особенность, связанная с образованием в ней фазового перколяционного перехода носителей. При концентрациях квантовых точек, близких к порогу, выявлены изменения интенсивности полосы излучения, обусловленные микроскопическими флуктуациями плотности квантовых точек-явление, напоминающее критическую опалесценцию, когда возникают аналогичные флуктуации плотности чистого вещества возле точки фазового перехода. Вычислено среднее расстояние между квантовыми точками с учетом доли объема, который они занимают на пороге. Предполагается, что диэлектрическое рассогласование материалов матрицы и ZnSe играет существенную роль в процессе делокализации носителей (экситонов), приводя к появлению "диэлектрической ловушки" на поверхности раздела и образованию там поверхностных состояний экситонов. При критической концентрации квантовых точек пространственное прекрытие состояний приводит к туннелированию носителей и появлению перколяционного перехода в такой системе. При дослідженні двофазної системи, яка являє собою боросилікатне скло з квантовими точками ZnSe, виявлена особливість, пов'язана з утворенням в ній фазового перколяційного переходу носіїв. При концентраціях квантових точок, близьких до порогу, виявлено зміни інтенсивності смуги випром інювання, що обумовлено мікроскопічними флуктуаціями щільності квантових точок — явище, яке нагадує критичну опалесценцію, коли виникають аналогічні флуктуації щільності чистої речовини біля точки фазового переходу. Вирахована середня відстань між квантовими точками з врахуванням частини об'єму, який вони займають на порозі. Передбачається, що діелектрична непогодженність материалів матриці і ZnSe відіграє суттєву роль в процесі делокалізації носіїв (екситонів), що призводить до появи «діелектричної пастки» на поверхні розділу і утворенню там поверхневих станів екситонів. При критичній концентрації квантових точок просторове перекриття станів призводить до тунелювання носіїв і появи перколяційного переходу в такій системі. The research of diphase systems, which are borosilicate glasses with ZnSe quantum dots, has uncovered a peculiarity responsible for by the formation of phase percolation threshold of carriers. For a quantum dot concentration close to the threshold, one can observe variations in emission band intensity due to microscope fluctuations in quantum dot density — the effect resembling the critical opalescence and occurring with similar fluctuations of pure material density in vicinity of the transition point. The average distance between the quantum dots is calculated with due account of the volume fraction occupied by these dots at the threshold. It is suggested that the dielectric mismatch of the matrix material and ZnSe is important in delocalization of carriers (excitons), resulting in the appearance of a «dielectric trap» at the phase boundary and the formation of surface states. For the critical concentration of quantum dots, the space overlapping causes the carriers to tunnel and the percolation threshold to appear in the system. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Образование кластеров и перколяционного порога в двухфазной системе со случайным распределением квантовых точек ZnSe Clustering and percolation threshold in diphase systems of random centered quantum dots of ZnSe Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Образование кластеров и перколяционного порога в двухфазной системе со случайным распределением квантовых точек ZnSe |
| spellingShingle |
Образование кластеров и перколяционного порога в двухфазной системе со случайным распределением квантовых точек ZnSe Бондарь, Н.В. Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| title_short |
Образование кластеров и перколяционного порога в двухфазной системе со случайным распределением квантовых точек ZnSe |
| title_full |
Образование кластеров и перколяционного порога в двухфазной системе со случайным распределением квантовых точек ZnSe |
| title_fullStr |
Образование кластеров и перколяционного порога в двухфазной системе со случайным распределением квантовых точек ZnSe |
| title_full_unstemmed |
Образование кластеров и перколяционного порога в двухфазной системе со случайным распределением квантовых точек ZnSe |
| title_sort |
образование кластеров и перколяционного порога в двухфазной системе со случайным распределением квантовых точек znse |
| author |
Бондарь, Н.В. |
| author_facet |
Бондарь, Н.В. |
| topic |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| topic_facet |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| publishDate |
2009 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физика низких температур |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Clustering and percolation threshold in diphase systems of random centered quantum dots of ZnSe |
| description |
При исследовании двухфазной системы, представляющей собой боросиликатное стекло с квантовыми точками ZnSe, обнаружена особенность, связанная с образованием в ней фазового перколяционного перехода носителей. При концентрациях квантовых точек, близких к порогу, выявлены изменения интенсивности полосы излучения, обусловленные микроскопическими флуктуациями плотности квантовых точек-явление, напоминающее критическую опалесценцию, когда возникают аналогичные флуктуации плотности чистого вещества возле точки фазового перехода. Вычислено среднее расстояние между квантовыми точками с учетом доли объема, который они занимают на пороге. Предполагается, что диэлектрическое рассогласование материалов матрицы и ZnSe играет существенную роль в процессе делокализации носителей (экситонов), приводя к появлению "диэлектрической ловушки" на поверхности раздела и образованию там поверхностных состояний экситонов. При критической концентрации квантовых точек пространственное прекрытие состояний приводит к туннелированию носителей и появлению перколяционного перехода в такой системе.
При дослідженні двофазної системи, яка являє собою боросилікатне скло з квантовими точками
ZnSe, виявлена особливість, пов'язана з утворенням в ній фазового перколяційного переходу носіїв.
При концентраціях квантових точок, близьких до порогу, виявлено зміни інтенсивності смуги випром
інювання, що обумовлено мікроскопічними флуктуаціями щільності квантових точок — явище,
яке нагадує критичну опалесценцію, коли виникають аналогічні флуктуації щільності чистої речовини
біля точки фазового переходу. Вирахована середня відстань між квантовими точками з врахуванням
частини об'єму, який вони займають на порозі. Передбачається, що діелектрична непогодженність материалів матриці і ZnSe відіграє суттєву роль в процесі делокалізації носіїв (екситонів),
що призводить до появи «діелектричної пастки» на поверхні розділу і утворенню там поверхневих
станів екситонів. При критичній концентрації квантових точок просторове перекриття станів призводить
до тунелювання носіїв і появи перколяційного переходу в такій системі.
The research of diphase systems, which are
borosilicate glasses with ZnSe quantum dots, has
uncovered a peculiarity responsible for by the formation
of phase percolation threshold of carriers.
For a quantum dot concentration close to the threshold,
one can observe variations in emission band intensity
due to microscope fluctuations in quantum
dot density — the effect resembling the critical
opalescence and occurring with similar fluctuations
of pure material density in vicinity of the transition
point. The average distance between the quantum
dots is calculated with due account of the volume
fraction occupied by these dots at the threshold. It is
suggested that the dielectric mismatch of the matrix
material and ZnSe is important in delocalization of
carriers (excitons), resulting in the appearance of a
«dielectric trap» at the phase boundary and the formation
of surface states. For the critical concentration
of quantum dots, the space overlapping causes
the carriers to tunnel and the percolation threshold
to appear in the system.
|
| issn |
0132-6414 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118969 |
| citation_txt |
Образование кластеров и перколяционного порога в двухфазной системе со случайным распределением квантовых точек ZnSe / Н.В. Бондарь // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 3. — С. 307–314. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT bondarʹnv obrazovanieklasteroviperkolâcionnogoporogavdvuhfaznoisistemesoslučainymraspredeleniemkvantovyhtočekznse AT bondarʹnv clusteringandpercolationthresholdindiphasesystemsofrandomcenteredquantumdotsofznse |
| first_indexed |
2025-12-07T20:15:19Z |
| last_indexed |
2025-12-07T20:15:19Z |
| _version_ |
1850881888469647360 |