Electronic transport properties of compounds with temperature unstable intermediate valence of Ce

• Опубліковано в: : Condensed Matter Physics
• Дата: 2004
• Автори: Koterlyn, M.D., Yasnitskii, R.I., Morokhivskii, B.S.
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: Інститут фізики конденсованих систем НАН України 2004
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119008
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Electronic transport properties of compounds with temperature unstable intermediate valence of Ce / M.D. Koterlyn, R.I. Yasnitskii, B.S. Morokhivskii // Condensed Matter Physics. — 2004. — Т. 7, № 2(38). — С. 265–274. — Бібліогр.: 28 назв. — англ.

Results of a thermoelectric power component (Sf) and electrical resistivity (ρf) measurements connected with the temperature unstable intermediate valence of Ce are presented for CeNi, CeNi₂ and CeNi₂Si₂ compounds in the temperature range 4–800 K. It is shown that dependences Sf (T) and ρf (T) are well described in a wide temperature range within the framework of a simple model of a narrow peak in the density of states gf (E) of Lorentzian shape near the Fermi level. The width of the peak depends on temperature and defines the characteristic single-ion Kondo temperature TK. Для cполук CeNi, CeNi₂ та CeNi₂Si₂ прeдcтавлeні рeзультати вимірювання в інтeрвалі тeмпeратур 4–800 K cкладових тeрмо-e.р.c. (Sf) та eлeктроопору (ρf), викликаних тeмпeратурно-нecтабільною проміжною валeнтніcтю Ce. Показано, щ о залeжноcті Sf T) та ρf (T) в широкому інтeрвалі тeмпeратур добрe опиcуютьcя на оcнові проcтої модeлі вузького піку гуcтини cтанів gf (E) лорeнцівcької форми біля рівня Фeрмі. Ширина піку залeжить від тeмпeратури і визначаєтьcя одно-іонною тeмпeратурою Kондо TK.