TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment
The investigations of TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural characteristics in dependence on technological regimes of sputtering and TiB2-film thicknesses as well as structural relaxation processes at short-term thermal annealing were carried out. TiB₂-film on Czochralski-grown (001) GaAs substrates...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 1999 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119063 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment / T.G. Kryshtab, P.M. Lytvyn, M.O. Mazin, O.S. Lytvyn, I.V. Prokopenko, V.N. Ivanov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 2. — С. 73-77. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |