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Photosensitive heterostructures CdTe-PbTe prepared by hot-wall technique

Hot-wall technique has been used for preparation of CdTe-PbTe heterostructures. BaF₂ single crystals served as substrates. Electrical, photoelectric properties as well as noise spectra were investigated. Heterostructures exhibit photosensitivity up to room temperatures in the middle infrared (IR) re...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:1999
ISSN:1560-8034
Hauptverfasser: Movchan, S., Sizov, F., Tetyorkin, V.
Format: Artikel
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1999
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119065
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Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Photosensitive heterostructures CdTe-PbTe prepared by hot-wall technique / S. Movchan, F. Sizov, V. Tetyorkin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 2. — С. 84-87. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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