Varistor-like current-voltage characteristic of porous silicon
The porous silicon (PS) current-voltage characteristic (CVC) has measured in transverse and longitudinal applied electric field. The obtained CVC has a varistor-like shape. Besides the practical application this confirms the PS grain structure whose influence is discussed in analizing the mechanism...
Збережено в:
| Дата: | 1999 |
|---|---|
| Автори: | Vakulenko, O.V., Kondratenko, S.V., Shutov, B.M. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119066 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Varistor-like current-voltage characteristic of porous silicon / O.V. Vakulenko, S.V. Kondratenko, B.M. Shutov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 2. — С. 88-89. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Varistor-like current-voltage characteristic of porous silicon
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (1999) -
Varistor-like current-voltage characteristic of porous silicon
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (1999) -
Photovoltage and photocurrent spectroscopy of luminescent porous silicon
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2003) -
Kinetics deformation of current-voltage characteristics of the varistor oxide structures due to overcharging of the localized states
за авторством: A. S. Tonkoshkur, та інші
Опубліковано: (2014) -
Spectral dependence of the photomagnetic effect in porous silicon
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2001)