Зображення обкладинки

Varistor-like current-voltage characteristic of porous silicon

The porous silicon (PS) current-voltage characteristic (CVC) has measured in transverse and longitudinal applied electric field. The obtained CVC has a varistor-like shape. Besides the practical application this confirms the PS grain structure whose influence is discussed in analizing the mechanism...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	1999
Автори:	Vakulenko, O.V., Kondratenko, S.V., Shutov, B.M.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1999
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119066
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Varistor-like current-voltage characteristic of porous silicon / O.V. Vakulenko, S.V. Kondratenko, B.M. Shutov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 2. — С. 88-89. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Photovoltage and photocurrent spectroscopy of luminescent porous silicon
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2003)

Kinetics deformation of current-voltage characteristics of the varistor oxide structures due to overcharging of the localized states
за авторством: A. S. Tonkoshkur, та інші
Опубліковано: (2014)

Spectral dependence of the photomagnetic effect in porous silicon
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2001)

Evidence for photochemical transformations in porous silicon
за авторством: Shevchenko, V.B., та інші
Опубліковано: (1999)

The nature of red emission in porous silicon
за авторством: Khomenkova, L.Yu., та інші
Опубліковано: (2005)

Influence of sintering time on the microstructure and electric properties of low-voltage Zinc oxide-based varistor ceramics
за авторством: Yu. Lyashkov
Опубліковано: (2014)

Influence of sintering time on the microstructure and electric properties of low-voltage Zinc oxide-based varistor ceramics
за авторством: Ju. Ljashkov
Опубліковано: (2014)

Electromigration degradation model of metal oxide varistor structures
за авторством: O. V. Ivanchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Photosensitive porous silicon based structures
за авторством: Svechnikov, S.V., та інші
Опубліковано: (1998)

The influence of non-uniform deformation on photoelectric properties of crystalline silicon
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Electromigration degradation model of metal oxide varistor structures
за авторством: A. V. Ivanchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)

Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)

Impact of traps on current-voltage characteristic of ⁺--⁺ diode
за авторством: Kruglenko, P.M.
Опубліковано: (2017)

Zn and Mn impurity effect on electron and luminescent properties of porous silicon
за авторством: Primachenko, V.E, та інші
Опубліковано: (2005)

Photoelectric properties of metal-porous silicon-silicon planar heterostructures
за авторством: Brodovoi, A.V., та інші
Опубліковано: (2002)

Sensing to gases of structures silicide cobalt-porous silicon-silicon
за авторством: I. V. Belousov, та інші
Опубліковано: (2006)

Current–voltage characteristics of Nb–carbon–Nb junctions
за авторством: I. P. Nevirkovets, та інші
Опубліковано: (2014)

Current–voltage characteristics of Nb–carbon–Nb junctions
за авторством: Nevirkovets, I.P., та інші
Опубліковано: (2014)

Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates
за авторством: I. B. Olenych
Опубліковано: (2012)

Cadmium sulfide−porous silicon nanocomposite structures
за авторством: M. O. Davydenko, та інші
Опубліковано: (2013)

The structure of oxide film on the porous silicon surface
за авторством: O. I. Zavalistyi, та інші
Опубліковано: (2020)

The structure of oxide film on the porous silicon surface
за авторством: O. I. Zavalistyi, та інші
Опубліковано: (2020)

Thermostimulated luminescence spectra of InxTl₁-xI nanostructures synthesized in porous silicon
за авторством: Franiv, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)

Cadmium sulfide−porous silicon nanocomposite structures
за авторством: N. A. Davidenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Photoluminescence of nanocrystalline cdte, introduced into porous silicon
за авторством: H. A. Pashchenko, та інші
Опубліковано: (2021)

The device that simulates current-voltage characteristics of the PV battery physically
за авторством: R. V. Antipenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Features of electrical charge transfer in porous silicon
за авторством: Monastyrskii, L.S.
Опубліковано: (2001)

Functionalization and nanostructurization of surface layers of porous silicon
за авторством: Ye. I. Zubko
Опубліковано: (2013)

Spectroscopy of fullerene-like molecules of silicon dioxide
за авторством: O. V. Filonenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Changing the conductivity of porous silicon with silver nanoparticles/silicon structures when detecting hydrogen peroxide
за авторством: Yu. Kutova, та інші
Опубліковано: (2018)

Mechanical Behaviour of the Porous and Foam Aluminium in Conditions of Compression: Determination of Key Mechanical Characteristics
за авторством: Byakova, O.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Classification of methods for measuring current-voltage characteristics of semiconductor devices
за авторством: E. A. Ermolenko
Опубліковано: (2014)

The current-voltage characteristics of Corbino disk in the quantum Hall effect regime
за авторством: V. Shikin
Опубліковано: (2016)

MODELING OF PV MODULE CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTIC WITH VARIATIVE IDEALITY FACTOR AND REVERSE SATURATION CURRENT
за авторством: Ivanchuk , V., та інші
Опубліковано: (2024)

Impact of traps on current-voltage characteristic of n+-n-n+ diode
за авторством: P. M. Kruglenko
Опубліковано: (2017)

Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface
за авторством: Terebinska, M.I., та інші
Опубліковано: (2010)

Ultrathin superconducting NbRe microstrips with hysteretic voltage-current characteristic
за авторством: C. Cirillo, та інші
Опубліковано: (2020)

Avalanche multiplication of charge carriers in nanostructured porous silicon
за авторством: Timokhov, D.F., та інші
Опубліковано: (2003)

Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)