Semiconductor sensors for dosimetry of epithermal neutrons
Minimum energy of neutron to displace atoms in silicon crystals are equal to 200 eV. Due to this fact testing our p-i-n diodes under irradiation by the epithermal neutrons was carried out. The more advanced p-i-n diodes on the base of high purity silicon were used at present work, and, as a result,...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 1999 |
| Автори: | , , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119067 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Semiconductor sensors for dosimetry of epithermal neutrons / P.G. Litovchenko, R. Moss, F. Stecher-Rasmussen, K. Appelman, L.I. Barabash, T.I. Kibkalo, V.F. Lastovetsky, A.P. Litovchenko, M.B. Pinkovska // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 2. — С. 90-91. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Influence of growing and doping methods on radiation hardness of n-Si irradiated by fast-pile neutrons
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2004)
Peculiarities of neutron irradiation influence on GaP light-emitting structures
за авторством: Litovchenko, P., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Litovchenko, P., та інші
Опубліковано: (2009)
Integration of computation methods in dosimetry of radiation processing
за авторством: Lazurik, V.T., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Lazurik, V.T., та інші
Опубліковано: (2008)
Dependence of the defect introduction rate on the dose of irradiation of p-Si by fast-pile neutrons
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2007)
New possibility of retrospective EPR dosimetry
за авторством: Vorona, I., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Vorona, I., та інші
Опубліковано: (2000)
Influence of neutron irradiation on elctrooptical and structural properties of silicon
за авторством: Groza, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Groza, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)
A dosimetry technique of high-energy X-ray in MGy range
за авторством: Rogov, Ju.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Rogov, Ju.V., та інші
Опубліковано: (2015)
Influence of volcanism, region metamorphism and epithermal activisation in the gold deposition at archaean greenstone belts of the pridneprovie area
за авторством: Ju. A. Fomin, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Ju. A. Fomin, та інші
Опубліковано: (2017)
Individuality of photoresponse dynamics of semiconductor sensors
за авторством: Mygal, V.P., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Mygal, V.P., та інші
Опубліковано: (2017)
Influence of structural defects on photoconductivity of zinc diphosphide
за авторством: Kudin, A.P., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Kudin, A.P., та інші
Опубліковано: (2001)
The structure peculiarities of semiconductor vibration-frequency sensors
за авторством: R. I. Bajtsar, та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: R. I. Bajtsar, та інші
Опубліковано: (1998)
On some important results in semiconductor surface science obtained in Ukraine during the independence years (1991–2016)
за авторством: V. G. Litovchenko
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. G. Litovchenko
Опубліковано: (2017)
On some important results in semiconductor surface science obtained in Ukraine during the independence years (1991–2016)
за авторством: V. G. Litovchenko
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. G. Litovchenko
Опубліковано: (2017)
Geometrization of the temporal photoresponse from the semiconductor sensor materials
за авторством: Mygal, V.P., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Mygal, V.P., та інші
Опубліковано: (2012)
Electron-hole Fermi liquid in nanosized semiconductor structures
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2010)
Electron-hole Fermi liquid in nanosized semiconductor structures
за авторством: Litovchenko, V.G., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Litovchenko, V.G., та інші
Опубліковано: (2010)
X-ray dosimetry of copper-doped CdGa₂S₄ single crystals
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2012)
Zoning, Optimal Survey and Verification of Surface Radiation Fields Dosimetry Data
за авторством: I. B. Snisar
Опубліковано: (2015)
за авторством: I. B. Snisar
Опубліковано: (2015)
Nuclear irradiation-induced superconductivity in the binary semiconductor InAs
за авторством: Kаrpenko, А.Ya., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Kаrpenko, А.Ya., та інші
Опубліковано: (2003)
Dosimetry method based on a two-parametric model of electrons beam for radiation processing
за авторством: Lazurik, V.T., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Lazurik, V.T., та інші
Опубліковано: (2017)
X-ray dosimetry of copper-doped CdGa2S4 single crystals
за авторством: S. N. Mustafaeva, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: S. N. Mustafaeva, та інші
Опубліковано: (2012)
Influence of preliminary irradiation on radiation hardness of silicon and indium antimonide
за авторством: Litovchenko, P.G., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Litovchenko, P.G., та інші
Опубліковано: (2001)
Room-temperature gas sensor based on semiconductor nanoscale heterostructures ZnS/CdS
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2017)
A Nobel Prize-grade result. Academician of the NAS of Ukraine Vadym Evgenovych Lashkaryov: the outstanding Physicist of the 20-th century, the discoverer of a p-n-junction (to the 55-th anniversary of the foundation of the Institute of Semiconductor Physi
за авторством: V. G. Litovchenko
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. G. Litovchenko
Опубліковано: (2016)
The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2011)
Two-parametric beam model for dosimetry of the process of electron irradiation of materials with low density and atomic number
за авторством: Lazurik, V.T., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Lazurik, V.T., та інші
Опубліковано: (2021)
Using the cytogenetic dosimetry for the control of potential over exposure of contractors enterprises staff of SSE ChNPP
за авторством: L. K. Bezdrobnaja, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: L. K. Bezdrobnaja, та інші
Опубліковано: (2016)
Interface model of low temperature plasticity in high uniaxially strained monocrystalline semiconductors
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (2000)
Analysis of neutron-temperature oscilations in neutron multiplying systems with delayed neutrons
за авторством: Vodyanitskii, A.A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Vodyanitskii, A.A., та інші
Опубліковано: (2011)
Magnetic and magnetoresistive characteristics of neutron-irradiated Si0. 97Ge0. 03 whiskers
за авторством: P. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: P. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2014)
Photogeneration of charge carriers in photosensitive organic semiconductors
за авторством: Barabash, Yu.M., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Barabash, Yu.M., та інші
Опубліковано: (1999)
Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2011)
Low-energy parameters of neutron-neutron scattering
за авторством: V. A. Babenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. A. Babenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Neutronic model of a fusion neutron source
за авторством: Chernitskiy, S.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Chernitskiy, S.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Static neutronic calculation of a fusion neutron source
за авторством: Chernitskiy, S.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Chernitskiy, S.V., та інші
Опубліковано: (2014)
Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
за авторством: M. Zavada, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. Zavada, та інші
Опубліковано: (2018)
Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
за авторством: Zavada, M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Zavada, M., та інші
Опубліковано: (2018)
Frequency multipliers on semiconductor diode structures
за авторством: N. F. Karushkin
Опубліковано: (2018)
за авторством: N. F. Karushkin
Опубліковано: (2018)
Silicon semiconductor: technologies and prospects
за авторством: A. M. Verkhovljuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. M. Verkhovljuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Influence of the annealing of silicon crystals at 1200 °C on the Hall effect and magnetoresistance
за авторством: Baranskyy, P.I., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Baranskyy, P.I., та інші
Опубліковано: (2002)