Buchumschlag

Effect of low-temperature treatments on photoluminescence enhancement of ion-beam synthesized Si nanocrystals in SiO₂ matrix

The results of experimental researches of photoluminescence (PL) spectra in Si nanocluster structures obtained by implantation of silicon ions to SiO₂-Si structures with high-temperature (1100 °C) and following low-temperature annealings in various regimes are given. We have found that additional...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2008
Hauptverfasser:	Khatsevich, I., Melnik, V., Popov, V., Romanyuk, B., Fedulov, V.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119068
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Effect of low-temperature treatments on photoluminescence enhancement of ion-beam synthesized Si nanocrystals in SiO₂ matrix / I. Khatsevich, V. Melnik, V. Popov, B. Romanyuk, V. Fedulov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2008. — Т. 11, № 4. — С. 352-355. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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