Hasanov, H., & Murguzov, M. (2008). Hall mobility of charge carriers in films of (PbX)₁₋x (Sm₂X₃)x semiconductors formed on porous silicon. Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Hasanov, H.A, та M.I Murguzov. "Hall Mobility of Charge Carriers in Films of (PbX)₁₋x (Sm₂X₃)x Semiconductors Formed on Porous Silicon." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics 2008.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Hasanov, H.A, та M.I Murguzov. "Hall Mobility of Charge Carriers in Films of (PbX)₁₋x (Sm₂X₃)x Semiconductors Formed on Porous Silicon." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2008.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.