Hall mobility of charge carriers in films of (PbX)₁₋x (Sm₂X₃)x semiconductors formed on porous silicon
Presented paper is devoted to studying the methods to prepare epitaxial films
 of (PbX)₁₋x(Sm₂X₃)x − (X – S, Se, Te; x = 0.04) semiconductors and to examine the
 Hall mobility of charge carriers in these films. It is revealed that the derived dependences
 μH (T) for the sa...
Збережено в:
| Опубліковано в: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2008 |
| ISSN: | 1560-8034 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119069 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Hall mobility of charge carriers in films of (PbX)₁₋x (Sm₂X₃)x semiconductors formed on porous silicon / H.A. Hasanov, M.I. Murguzov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2008. — Т. 11, № 4. — С. 356-359. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
за авторством: Hasanov, G. A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Hasanov, G. A., та інші
Опубліковано: (2008)
Electrophysical properties of SmxPb₁₋xTe solid solutions
за авторством: Hasanov, H.A.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Hasanov, H.A.
Опубліковано: (2009)
I¹²⁷ NQR spectra of Pb₁₋ₓCdₓI₂ and (BiI₃)₍₁₋ₓ₎(PbI₂)ₓ of mixed layered semiconductors
за авторством: Vertegel, I.G., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Vertegel, I.G., та інші
Опубліковано: (2017)
Symmetry peculiarities of the intracrystalline fields layered semiconductor crystals (PbI₂)₍₁₋ₓ₎(BiI₃)ₓ
за авторством: Barabash, O.I., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Barabash, O.I., та інші
Опубліковано: (2012)
Formation of polished surface of PbTe and Pb1-xSnxTe semiconductor plates PbTe y Pb1–xSnxTe
за авторством: G. P. Malanich, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: G. P. Malanich, та інші
Опубліковано: (2018)
I127 NQR spectra of Pb1–xCdxI2 and (BiI3)(1–x)(PbI2)x of mixed layered semiconductors
за авторством: I. G. Vertegel, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. G. Vertegel, та інші
Опубліковано: (2017)
Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
за авторством: Гасанов, Г.А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Гасанов, Г.А., та інші
Опубліковано: (2008)
Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
за авторством: Arapov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Arapov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2007)
Exciton absorption spectrum of thin (KI)₁₋x(PbI₂)x films
за авторством: Yunakova, O.N., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Yunakova, O.N., та інші
Опубліковано: (2013)
Charge-transfer processes in (SnS)1 – x(PrS)x Alloys
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2017)
Charge-transfer processes in (SnS)1 – x(PrS)x Alloys
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2017)
Peculiarities of concentration dependences of thermal conductivity in (PbTe)1-x (Bi2Te3)x semiconductor solid solutions
за авторством: E. I. Rogacheva, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. I. Rogacheva, та інші
Опубліковано: (2014)
Synthesis and properties of semiconductor solid solutions (inSb)₁₋x(CdTe)x
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (2006)
Electron mobility in CdxHg₁₋xSe
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)
Investigations on temperature dependences of parameters of ¹²⁷I NQR spectrum of (BiI₃)(₁₋ₓ)(PbI₂)ₓ mixed layered semiconductor and alkaline halogens crystals
за авторством: Vertegel, I.G., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Vertegel, I.G., та інші
Опубліковано: (2017)
Band structure of [100] surface of Cd₁₋x Mn x Te diluted magnetic semiconductor
за авторством: Melnichuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Melnichuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2000)
Асимптотическое поведение решений задачи Коши x′ = f(t, x, x′), x(0) = 0
за авторством: Зернов, А.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Зернов, А.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
Polarizability of D+X complex in bulk semiconductors
за авторством: Katih, M., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Katih, M., та інші
Опубліковано: (2006)
Существование и асимптотическое поведение решений задачи Коши x(x')^γ=f(t,x,x'), x(0)=0
за авторством: Зернов, А.Е., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Зернов, А.Е., та інші
Опубліковано: (2003)
Synthesis, characterization and electrical properties of Pb(₈₋x)Na₂Ndx(VO₄)₆O(x/₂) solid solutions
за авторством: Getman, E.I., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Getman, E.I., та інші
Опубліковано: (2014)
Флуктуационная проводимость и псевдощель в SmFeAsO₁-x
за авторством: Соловьев, А.Л., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Соловьев, А.Л., та інші
Опубліковано: (2009)
Simulation of statistical mean and variance of normally distributed data NX(mX,σX) transformed by nonlinear functions g(X) = cosX, eX and their inverse functions g−1(X) = arccosX, lnX
за авторством: P. S. Kosoboutskyy, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: P. S. Kosoboutskyy, та інші
Опубліковано: (2023)
The mixed-state Hall conductivity of single-crystal films Nd₂–xCexCuO₄₊δ (x = 0.14)
за авторством: Shelushinina, N.G., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Shelushinina, N.G., та інші
Опубліковано: (2017)
Avalanche multiplication of charge carriers in nanostructured porous silicon
за авторством: Timokhov, D.F., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Timokhov, D.F., та інші
Опубліковано: (2003)
Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
за авторством: Кондрат, А.Б., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Кондрат, А.Б., та інші
Опубліковано: (2001)
ЕЛЕКТРОПРОВІДНІСТЬ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ Pb0,86‑xSmxSn1,14F4+x
за авторством: Pohorenko, Yuliia, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Pohorenko, Yuliia, та інші
Опубліковано: (2021)
Charge carrier mobility in the configuration restructuring divacancies in silicon
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2014)
Diluted magnetic А₁₋xMnxВ semiconductors
за авторством: Bryksa, V.P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Bryksa, V.P., та інші
Опубліковано: (2004)
Thermostimulated luminescence spectra of InxTl₁-xI nanostructures synthesized in porous silicon
за авторством: Franiv, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Franiv, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)
Structural behaviour of continuous solid solution SmCo₁₋xFexO₃
за авторством: Kharko, O.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Kharko, O.V., та інші
Опубліковано: (2014)
Взаимное влияние квантованныx виxрей и тепловыx импульсов в сверxтекучем гелии
за авторством: Кондауpова, Л.П., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Кондауpова, Л.П., та інші
Опубліковано: (1999)
Kinetic parameters of charge carrier traps in magnesium-aluminum spinel crystals after X-ray and UV irradiation
за авторством: Kobyakov, V.A., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Kobyakov, V.A., та інші
Опубліковано: (2006)
The mixed-state Hall conductivity of single-crystal films Nd2–xCexCuO4+δ (x = 0.14)
за авторством: N. G. Shelushinina, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: N. G. Shelushinina, та інші
Опубліковано: (2017)
Investigations of the EPR parameters for the tetrahedral [FeX₄]- clusters in AgX (X=Cl, Br)
за авторством: Song, B.-T., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Song, B.-T., та інші
Опубліковано: (2012)
One-dimensional inverse power reflectionless potentials V(x) = const│x-x₀ │⁻ⁿ
за авторством: Maydanyuk, S.P.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Maydanyuk, S.P.
Опубліковано: (2004)
Качественное исследование сингулярной задачи Коши F(t, x, x′) = 0, x(0) = 0
за авторством: Зернов, А.Е., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Зернов, А.Е., та інші
Опубліковано: (2003)
INFLUENCE OF HETEROVALENT SUBSTITUTION ON THE CONDUCTIVITY OF MxPb1-xSnF4±х AND MxPb0,86-xSn1,14F4±х (M=K, Rb, Nd, Sm) FLUORIDE-CONDUCTING PHASES
за авторством: Nahornyi, Anton, та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Nahornyi, Anton, та інші
Опубліковано: (2025)
Spectroscopy of the solid solutions (Si₂)₁₋x(ZnS)x
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005)
Ferromagnetism induced in diluted A₁₋xMnxB semiconductors
за авторством: Bryksa, V.P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Bryksa, V.P., та інші
Опубліковано: (2004)
Магнитные свойства мультиферроиков Bi₁₋xCaxFe₁₋xMnxO₃ и Bi₁₋xCaxFe₁₋xTixO₃
за авторством: Троянчук, И.О., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Троянчук, И.О., та інші
Опубліковано: (2016)