Hall mobility of charge carriers in films of (PbX)₁₋x (Sm₂X₃)x semiconductors formed on porous silicon
Presented paper is devoted to studying the methods to prepare epitaxial films of (PbX)₁₋x(Sm₂X₃)x − (X – S, Se, Te; x = 0.04) semiconductors and to examine the Hall mobility of charge carriers in these films. It is revealed that the derived dependences μH (T) for the samples on values of the e...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2008 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119069 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Hall mobility of charge carriers in films of (PbX)₁₋x (Sm₂X₃)x semiconductors formed on porous silicon / H.A. Hasanov, M.I. Murguzov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2008. — Т. 11, № 4. — С. 356-359. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
за авторством: Hasanov, G. A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Hasanov, G. A., та інші
Опубліковано: (2008)
I¹²⁷ NQR spectra of Pb₁₋ₓCdₓI₂ and (BiI₃)₍₁₋ₓ₎(PbI₂)ₓ of mixed layered semiconductors
за авторством: Vertegel, I.G., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Vertegel, I.G., та інші
Опубліковано: (2017)
Symmetry peculiarities of the intracrystalline fields layered semiconductor crystals (PbI₂)₍₁₋ₓ₎(BiI₃)ₓ
за авторством: Barabash, O.I., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Barabash, O.I., та інші
Опубліковано: (2012)
Formation of polished surface of PbTe and Pb1-xSnxTe semiconductor plates PbTe y Pb1–xSnxTe
за авторством: G. P. Malanich, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: G. P. Malanich, та інші
Опубліковано: (2018)
I127 NQR spectra of Pb1–xCdxI2 and (BiI3)(1–x)(PbI2)x of mixed layered semiconductors
за авторством: I. G. Vertegel, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. G. Vertegel, та інші
Опубліковано: (2017)
Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
за авторством: Гасанов, Г.А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Гасанов, Г.А., та інші
Опубліковано: (2008)
Exciton absorption spectrum of thin (KI)₁₋x(PbI₂)x films
за авторством: Yunakova, O.N., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Yunakova, O.N., та інші
Опубліковано: (2013)
Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
за авторством: Arapov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Arapov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2007)
Charge-transfer processes in (SnS)1 – x(PrS)x Alloys
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2017)
Charge-transfer processes in (SnS)1 – x(PrS)x Alloys
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2017)
Peculiarities of concentration dependences of thermal conductivity in (PbTe)1-x (Bi2Te3)x semiconductor solid solutions
за авторством: E. I. Rogacheva, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. I. Rogacheva, та інші
Опубліковано: (2014)
Synthesis and properties of semiconductor solid solutions (inSb)₁₋x(CdTe)x
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (2006)
Electron mobility in CdxHg₁₋xSe
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)
Investigations on temperature dependences of parameters of ¹²⁷I NQR spectrum of (BiI₃)(₁₋ₓ)(PbI₂)ₓ mixed layered semiconductor and alkaline halogens crystals
за авторством: Vertegel, I.G., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Vertegel, I.G., та інші
Опубліковано: (2017)
Band structure of [100] surface of Cd₁₋x Mn x Te diluted magnetic semiconductor
за авторством: Melnichuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Melnichuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2000)
Асимптотическое поведение решений задачи Коши x′ = f(t, x, x′), x(0) = 0
за авторством: Зернов, А.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Зернов, А.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
Asymptotic Behavior of Solutions of the Cauchy Problem x′ = f(t, x, x′), x(0) = 0
за авторством: Zernov, A. E., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Zernov, A. E., та інші
Опубліковано: (2002)
Существование и асимптотическое поведение решений задачи Коши x(x')^γ=f(t,x,x'), x(0)=0
за авторством: Зернов, А.Е., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Зернов, А.Е., та інші
Опубліковано: (2003)
Polarizability of D+X complex in bulk semiconductors
за авторством: Katih, M., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Katih, M., та інші
Опубліковано: (2006)
Synthesis, characterization and electrical properties of Pb(₈₋x)Na₂Ndx(VO₄)₆O(x/₂) solid solutions
за авторством: Getman, E.I., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Getman, E.I., та інші
Опубліковано: (2014)
Флуктуационная проводимость и псевдощель в SmFeAsO₁-x
за авторством: Соловьев, А.Л., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Соловьев, А.Л., та інші
Опубліковано: (2009)
Simulation of statistical mean and variance of normally distributed data NX(mX,σX) transformed by nonlinear functions g(X) = cosX, eX and their inverse functions g−1(X) = arccosX, lnX
за авторством: P. S. Kosoboutskyy, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: P. S. Kosoboutskyy, та інші
Опубліковано: (2023)
The mixed-state Hall conductivity of single-crystal films Nd₂–xCexCuO₄₊δ (x = 0.14)
за авторством: Shelushinina, N.G., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Shelushinina, N.G., та інші
Опубліковано: (2017)
Dynamical behavior of rational difference equation $x_{n+1}=\dfrac{x_{n-13}}{\pm1\pm x_{n-1}x_{n-3}x_{n-5}x_{n-7}x_{n-9} x_{n-11}x_{n-13}}$
за авторством: Şimşek, D., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Şimşek, D., та інші
Опубліковано: (2024)
Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
за авторством: Кондрат, А.Б., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Кондрат, А.Б., та інші
Опубліковано: (2001)
ЕЛЕКТРОПРОВІДНІСТЬ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ Pb0,86‑xSmxSn1,14F4+x
за авторством: Pohorenko, Yuliia, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Pohorenko, Yuliia, та інші
Опубліковано: (2021)
Diluted magnetic А₁₋xMnxВ semiconductors
за авторством: Bryksa, V.P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Bryksa, V.P., та інші
Опубліковано: (2004)
Avalanche multiplication of charge carriers in nanostructured porous silicon
за авторством: Timokhov, D.F., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Timokhov, D.F., та інші
Опубліковано: (2003)
Thermostimulated luminescence spectra of InxTl₁-xI nanostructures synthesized in porous silicon
за авторством: Franiv, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Franiv, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)
Charge carrier mobility in the configuration restructuring divacancies in silicon
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2014)
Kinetic parameters of charge carrier traps in magnesium-aluminum spinel crystals after X-ray and UV irradiation
за авторством: Kobyakov, V.A., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Kobyakov, V.A., та інші
Опубліковано: (2006)
The mixed-state Hall conductivity of single-crystal films Nd2–xCexCuO4+δ (x = 0.14)
за авторством: N. G. Shelushinina, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: N. G. Shelushinina, та інші
Опубліковано: (2017)
Investigations of the EPR parameters for the tetrahedral [FeX₄]- clusters in AgX (X=Cl, Br)
за авторством: Song, B.-T., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Song, B.-T., та інші
Опубліковано: (2012)
One-dimensional inverse power reflectionless potentials V(x) = const│x-x₀ │⁻ⁿ
за авторством: Maydanyuk, S.P.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Maydanyuk, S.P.
Опубліковано: (2004)
Qualitative Investigation of the Singular Cauchy Problem F(t, x, x′) = 0, x(0) = 0
за авторством: Zernov, A. E., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Zernov, A. E., та інші
Опубліковано: (2003)
INFLUENCE OF HETEROVALENT SUBSTITUTION ON THE CONDUCTIVITY OF MxPb1-xSnF4±х AND MxPb0,86-xSn1,14F4±х (M=K, Rb, Nd, Sm) FLUORIDE-CONDUCTING PHASES
за авторством: Nahornyi, Anton, та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Nahornyi, Anton, та інші
Опубліковано: (2025)
Магнитные свойства мультиферроиков Bi₁₋xCaxFe₁₋xMnxO₃ и Bi₁₋xCaxFe₁₋xTixO₃
за авторством: Троянчук, И.О., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Троянчук, И.О., та інші
Опубліковано: (2016)
Ellipsometric studies of (Cu₆PS₅Br)₁₋ₓ(Cu₇PS₆)ₓ and (Cu₆PS₅Br)₁₋ₓ(Cu₇PS₆)ₓ mixed crystals
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2019)
Ferromagnetism induced in diluted A₁₋xMnxB semiconductors
за авторством: Bryksa, V.P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Bryksa, V.P., та інші
Опубліковано: (2004)
Investigation of dielectric properties of LixNa₁₋xNbO₃ ceramics for x = 1 and x=4
за авторством: Bak, W., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Bak, W., та інші
Опубліковано: (1999)