Зображення обкладинки

The features of structural-impurity ordering of interfaces in Ta₂O₅-p-Si heterostructures (exposed to microwave pretreatment and aging) induced by further microwave treatment

The effect of short-term microwave treatment (MT) on the electronic
 properties of interface in the Ta₂O₅−SiOx−p-Si structures has been investigated. The
 samples of two types were studied: check ones (batch I) and those exposed to previous
 MT (batch II). The samples were ag...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:2008
Автори: Kolyadina, E.Yu., Konakova, R.V., Matveeva, L.A., Mitin, V.F., Shynkarenko, V.V., Atanassova, E.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119071
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:The features of structural-impurity ordering of interfaces in Ta₂O₅-p-Si heterostructures (exposed to microwave pretreatment and aging) induced by further microwave treatment / E.Yu. Kolyadina, R.V. Konakova, L.A. Matveeva, V.F. Mitin, V.V. Shynkarenko, E. Atanassova // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2008. — Т. 11, № 4. — С. 311-318. — Бібліогр.: 32 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси