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Strain effects on the valence band structure, optical transitions, and light gain spectrums in zinc-blende GaN quantum wells

A study for the effects of size quantization and strain effects on the valence band spectra, the interband matrix elements, and the light gain spectrum in zinc-blende GaN quantum wells is presented. In the framework of the effective mass theory, the Schrödinger equation is...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2008
1. Verfasser:	Lokot, L.O.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119073
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Strain effects on the valence band structure, optical transitions, and light gain spectrums in zinc-blende GaN quantum wells / L.O. Lokot // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2008. — Т. 11, № 4. — С. 364-369. — Бібліогр.: 36 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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