Зображення обкладинки

Strain effects on the valence band structure, optical transitions, and light gain spectrums in zinc-blende GaN quantum wells

A study for the effects of size quantization and strain effects on the valence band spectra, the interband matrix elements, and the light gain spectrum in zinc-blende GaN quantum wells is presented. In the framework of the effective mass theory, the Schrödinger equation is...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2008
Автор:	Lokot, L.O.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119073
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Strain effects on the valence band structure, optical transitions, and light gain spectrums in zinc-blende GaN quantum wells / L.O. Lokot // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2008. — Т. 11, № 4. — С. 364-369. — Бібліогр.: 36 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Hartree−Fock problem of electron-hole pair in quantum well GaN
за авторством: L. O. Lokot
Опубліковано: (2013)

Hartree−Fock problem of electron-hole pair in quantum well GaN
за авторством: L. O. Lokot
Опубліковано: (2013)

Statistical strained-tetrahedron model of local ternary zinc blende crystal structures
за авторством: Robouch, B.V., та інші
Опубліковано: (2004)

Optical polarization anisotropy, intrinsic Stark effect and Coulomb effects on the lasing characteristics of |0001|-oriented GaN/Al0.3Ga0.7N quantum wells
за авторством: L. O. Lokot
Опубліковано: (2012)

Optical polarization anisotropy, intrinsic Stark effect and Coulomb effects on the lasing characteristics of |0001|-oriented GaN/Al0.3Ga0.7N quantum wells
за авторством: L. O. Lokot
Опубліковано: (2012)

Оптична поляризаційна анізотропія, внутрішній ефект Штарка квантового конфайнменту і вплив кулонівських ефектів на лазерні характеристики [0001]-орієнтованих GaN/Al0,3Ga0,7N квантових ям
за авторством: Lokot, L.O.
Опубліковано: (2012)

Electro-optic effect in GaN/Al₀.₁₅Ga₀.₈₅N single quantum wells for optical switch
за авторством: Elkadadra, A., та інші
Опубліковано: (2010)

Peculiarities of valence band formation in As-Ge-Se semiconductor glasses
за авторством: M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2012)

Peculiarities of valence band formation in As-Ge-Se semiconductor glasses
за авторством: Vakiv, M., та інші
Опубліковано: (2012)

Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Accessing of the mixed-valence states in the zinc meso-ferrocenylporphyrin: experimental and theoretical data.
за авторством: Nemykin, V.N., та інші
Опубліковано: (2005)

Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
за авторством: V. P. Kladko, та інші
Опубліковано: (2014)

Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2014)

One-dimensional warm electron transport in GaN quantum well wires at low temperatures
за авторством: Sarkar, S.K.
Опубліковано: (2003)

Modeling the intermixing effects in highly strained asymmetric InGaAs/GaAs quantum well
за авторством: Souaf, M., та інші
Опубліковано: (2015)

Хартрi–фокiвська задача електронно-дiркової пари в квантовiй ямi GaN
за авторством: Lokot, L. E.
Опубліковано: (2018)

Instability of homogeneous composition of highly strained quantum wells in heterostructures GaAs/InxGa₁₋xAs/GaAs
за авторством: Klimovskaya, A.I., та інші
Опубліковано: (2002)

Average replicated T-matrix approximation: valence band of non-crystalline metallic alloys
за авторством: Yakibchuk, P., та інші
Опубліковано: (2007)

Electro-optic effect in GaN/Al0. 15Ga0. 85N single quantum wells for optical switch
за авторством: A. Elkadadra, та інші
Опубліковано: (2010)

Фононні та поляронні стани циліндричних дротів ZnO/GaN та GaN/AlN
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2022)

Empirical prediction of thermal properties, microhardness and sound velocity of cubic zinc-blende AlN
за авторством: S. Daoud
Опубліковано: (2019)

Empirical prediction of thermal properties, microhardness and sound velocity of cubic zinc-blende AlN
за авторством: Daoud, S.
Опубліковано: (2019)

Photostimulated Ga diffusion in zinc sulfide
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2004)

Resonant impurity level of Ni in the valence band of Pb1–xSnxTe alloys
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2021)

Reduction of reverse leakage current at the TiO₂/GaN interface in field plate Ni/Au/-GaN Schottky diodes
за авторством: Shashikala, B.N., та інші
Опубліковано: (2021)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: Ye. Bieliaiev, та інші
Опубліковано: (2014)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2014)

On the Discrete Spectrum of Complex Banded Matrices
за авторством: Golinskii, L., та інші
Опубліковано: (2006)

Pressure dependence of elastic and dynamical properties of zinc-blende ZnS and ZnSe from first principle calculation
за авторством: Wang, H.Y., та інші
Опубліковано: (2012)

Specificities of the behavior of thermoelectric power in CeNi4Ga with an instable valence of Ce
за авторством: M. D. Koterlin, та інші
Опубліковано: (2019)

Theory of the shear acoustic phonons spectrum and their interactionwith electrons due to the piezoelectric potential in AlN/GaN nanostructures of plane symmetry
за авторством: I. V. Boyko, та інші
Опубліковано: (2021)

Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
за авторством: A. G. Golenkov, та інші
Опубліковано: (2015)

Дослідження пасток в гетероструктурах AlGaN/GaN ультразвуковими коливаннями
за авторством: Kaliuzhnyi, V.V., та інші
Опубліковано: (2021)

Оже-рекомбінація в полярних InGaN/GaN квантових ямах
за авторством: Zinovchuk, A.V., та інші
Опубліковано: (2025)

Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
за авторством: Golenkov, A.G., та інші
Опубліковано: (2015)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)