The influence of H₂S and H₂ adsorption on characteristics of MIS structures with Si porous layers

The adsorboelectric effect arising in multilayered semiconductor structures
 based on the porous Si with catalytically active Pd electrodes due to action of low
 concentrations of hydrogen containing gases (Н₂, H₂S) at the room temperature is
 studied. The kinetic dependences...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:2008
Автори: Solntsev, V.S., Gorbanyuk, T.I., Litovchenko, V.G., Evtukh, A.A.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119080
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:The influence of H₂S and H₂ adsorption on characteristics of MIS structures with Si porous layers / V.S. Solntsev, T.I. Gorbanyuk, V.G. Litovchenko, A.A. Evtukh // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2008. — Т. 11, № 4. — С. 381-384. — Бібліогр.: 24 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine