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The influence of H₂S and H₂ adsorption on characteristics of MIS structures with Si porous layers

The adsorboelectric effect arising in multilayered semiconductor structures based on the porous Si with catalytically active Pd electrodes due to action of low concentrations of hydrogen containing gases (Н₂, H₂S) at the room temperature is studied. The kinetic dependences...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2008
ISSN:	1560-8034
Hauptverfasser:	Solntsev, V.S., Gorbanyuk, T.I., Litovchenko, V.G., Evtukh, A.A.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119080
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	The influence of H₂S and H₂ adsorption on characteristics of MIS structures with Si porous layers / V.S. Solntsev, T.I. Gorbanyuk, V.G. Litovchenko, A.A. Evtukh // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2008. — Т. 11, № 4. — С. 381-384. — Бібліогр.: 24 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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