Radiation-stimulated relaxation of internal mechanical straines in homoepitaxial GaP films

• Опубліковано в: : Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Дата: 2004
• Автори: Gentsar, P.A., Kudryavtsev, A.A.
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119117
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Radiation-stimulated relaxation of internal mechanical straines in homoepitaxial GaP films / P.A. Gentsar, A.A. Kudryavtsev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 3. — С. 240-242. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.

The electroreflectance method based on the electrolyte technique is used for investigation of electron transitions E₀, E₀ + Δ₀ in homoepitaxial films n-GaP (111) with the electron concentration 5.7*10²³ m⁻³ before and after irradiation by ⁶⁰Co gamma quanta in the dose range 10⁵ – 10⁶ rad under the r...