Зображення обкладинки

Partial polarization switching in ferroelectrics-semiconductors with charged defects

We propose the phenomenological description of ferroelectric disordering caused by charged defects in ferroelectric-semiconductors. The good agreement between the obtained experimental results for PZT films and theoretical calculations has been shown. We suppose that proportional to the ave...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2004
Автори:	Morozovska, A.N., Eliseev, E.A., Cattan, E., Remiens, D.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119120
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Partial polarization switching in ferroelectrics-semiconductors with charged defects / A.N. Morozovska, E.A. Eliseev, E. Cattan, D. Remiens // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 3. — С. 251-262. — Бібліогр.: 25 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Dielectric response of disordered ferroelectrics with embedded charged clusters
за авторством: Morozovska, A.N., та інші
Опубліковано: (2003)

Polar properties and hysteresis loops in multilayered thin films ferroelectric/virtual ferroelectric
за авторством: E. A. Eliseev, та інші
Опубліковано: (2012)

Pyroelectric response of inhomogeneous ferroelectric-semiconductor films
за авторством: Morozovska, A.N.
Опубліковано: (2007)

Dielectric, ferroelectric and piezoelectric properties of sputtered PZT thin films on Si substrates: influence of film thickness and orientation
за авторством: Haccart, T., та інші
Опубліковано: (2002)

Comparison of polarization switching in ferroelectric TGS and relaxor SBN crystals
за авторством: Matyjasek, K., та інші
Опубліковано: (2013)

Polar properties and local piezoelectric response of ferroelectric nanotubes
за авторством: Morozovska, A.N., та інші
Опубліковано: (2008)

Polar properties and hysteresis loops in multilayered thin films ferroelectric/virtual ferroelectric
за авторством: Ye. A. Yelisieiev, та інші
Опубліковано: (2012)

Modelling of micro- and nanodomain arrays recorded in ferroelectrics-semiconductors by using atomic force microscopy
за авторством: Morozovska, A.N.
Опубліковано: (2006)

Photo-microdomains in ferroelectrics: formation and light scattering caused by them
за авторством: Morozovska, A.N., та інші
Опубліковано: (2003)

The inﬂuence of defects and conductivity on the domain structure properties and the memory effect in the ferroelectrics-semiconductors Sn₂P₂Se₆
за авторством: Vysochanskii, Yu.M., та інші
Опубліковано: (1999)

Selective polarization of ferroelectrics in functional electronics
за авторством: Lepikh, Ya.I.
Опубліковано: (1999)

The influence of depolarization field on dielectric and pyroelectric properties of ferroelectric films
за авторством: Glinchuk, M.D., та інші
Опубліковано: (2002)

Peculiarities and asymmetry of polarization reversal in Pt/PZT-film/Pt:Ti/SiO₂/Si-substrate structures in pyroelectric response investigations
за авторством: Bravina, S.L., та інші
Опубліковано: (2004)

On features of crystal structure of semiconductor-ferroelectric Ag₃AsS₃
за авторством: Borovoy, N., та інші
Опубліковано: (2013)

Vortex polarity switching in magnets with surface anisotropy
за авторством: O. V. Pylypovskyi, та інші
Опубліковано: (2015)

Vortex polarity switching in magnets with surface anisotropy
за авторством: Pylypovskyi, O.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Powerful High-Voltage Generators with the Semiconductor Switches
за авторством: N. I. Bojko
Опубліковано: (2014)

On features of crystal structure of semiconductor-ferroelectric Ag3AsS3
за авторством: N. Borovoy, та інші
Опубліковано: (2013)

Image infrared converters based on ferroelectric- semiconductor thin-layer systems
за авторством: Sosnin, A.
Опубліковано: (2000)

Formation and properties of intercalatal nanostructures of an inorganic semiconductor/ferroelectric liquid crystal
за авторством: T. M. Bishchaniuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Dependence of soft phonon spectra on flexoelectric coupling in ferroelectrics
за авторством: A. N. Morozovska, та інші
Опубліковано: (2018)

Dependence of soft phonon spectra on flexoelectric coupling in ferroelectrics
за авторством: A. N. Morozovska, та інші
Опубліковано: (2018)

Dynamics of photoinduced instability in ferroelectric photorefractive crystals
за авторством: Morozovska, A.N., та інші
Опубліковано: (2001)

Spatial-temporal peculiarities of periodical PILS in ferroelectric PR-crystals
за авторством: Morozovska, A.N., та інші
Опубліковано: (2003)

Soft polar molecular layers adsorbed on charged nanowire
за авторством: Lykah, V.A., та інші
Опубліковано: (2004)

Polarization and pyroelectric coefficients of antiferrodistortive boundaries: SrTiO3 as an example
за авторством: J. V. Jakovenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Simulation of energy states in solid solutions based on the ferroelectrics- semiconductors of Sn₂P₂S₆ type
за авторством: Mitin, O.B., та інші
Опубліковано: (2000)

Photogeneration of charge carriers in photosensitive organic semiconductors
за авторством: Barabash, Yu.M., та інші
Опубліковано: (1999)

Theoretical investigations of thermodynamic properties of partially deuterated K(H₁₋xDx)₂PO₄ ferroelectrics
за авторством: Levitskii, R.R., та інші
Опубліковано: (2007)

Charge carrier generation in photosensitive amorphous molecular semiconductors
за авторством: Zabolotny, M.A.
Опубліковано: (2003)

Influence of polarization of conduction electrons in semiconductor on their light absorption
за авторством: Severin, V.S.
Опубліковано: (2011)

Influence of polarization of conduction electrons in semiconductor on their light absorption
за авторством: V. S. Severin
Опубліковано: (2011)

Nontrivial magnetic field related phenomena in the single-layer graphene on ferroelectric substrate
за авторством: M. V. Strikha, та інші
Опубліковано: (2020)

Two-channel microwave power switch construction on the basis of electrically active semiconductor structures
за авторством: Ju. N. Lavrich, та інші
Опубліковано: (2014)

Photoelectric state without an external polarizing field in homogeneous semiconductors
за авторством: Z. I. Mirzaeva, та інші
Опубліковано: (2008)

Influence of domain structure in ferroelectric substrate on graphene conductance (authors&#039; review)
за авторством: M. V. Strikha, та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of domain structure in ferroelectric substrate on graphene conductance (authors&#039; review)
за авторством: M. V. Strikha, та інші
Опубліковано: (2018)

Rf mems switches
за авторством: V. N. Shoffa, та інші
Опубліковано: (2014)

Dynamics of photoinduced instability in ferroelectric photorefractive crystals caused by space recharging trap waves
за авторством: Morozovska, A.N., та інші
Опубліковано: (2002)

Thin film PZT-Si structure with quadrant-diagonal electrode system as an element of position sensitive pyroelectric detector
за авторством: Bravina, S.L., та інші
Опубліковано: (2002)