Effect of pulse thermal treatments on the Ni(Ti)–n-21R(6H)-SiC contact parameters
We present experimental investigations of the effect of rapid thermal treatment with incoherent IR radiation, as well as electric-spark and electron-beam treatments, on the electric parameters of Ni(Ti) n-21R(6H)-SiC contacts. The results obtained show that pulse thermal treatment is an efficient te...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2004 |
| Автори: | , , , , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119122 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Effect of pulse thermal treatments on the Ni(Ti)–n-21R(6H)-SiC contact parameters / S.P. Avdeev, O.A. Agueev, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, O.S. Lytvyn, P.M. Lytvyn, V.V. Milenin, D.A. Sechenov, A.M. Svetlichny, S.I. Soloviev, T.S. Sudarshan // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 3. — С. 272-278. — Бібліогр.: 30 назв. — англ. |