Features of growing epitaxial layers from solid solutions based on indium and aluminium arsenides
Growing the epitaxial layers that contain the aluminium or indium has its specific features. So, the epitaxial layers prepared using the method of liquid-phase epitaxy at high (0.1 to 0.2 at. %) contents of a replacing element can possess a phase non-uniform boundary interface or goffered surface. H...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2004 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119202 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Features of growing epitaxial layers from solid solutions based on indium and aluminium arsenides / D.M. Yodgorova, A.V. Karimov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 4. — С. 377-379. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Dissolution of indium arsenide in nitric solutions of the hydrobromic acid
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)
Chemical dissolution of indium arsenide in the Br₂-HBr solutions
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)
Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)
The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017)
Growing of heteroepitaxial layers on lattice mismatched substrates by the method of scanning liquid phase epitaxy
за авторством: V. V. Tsybulenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: V. V. Tsybulenko, та інші
Опубліковано: (2020)
Growing the epitaxial undoped and N-doped ZnO films by radical beam gettering epitaxy
за авторством: Rogozin, I.V.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Rogozin, I.V.
Опубліковано: (2006)
Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)
Photoelectric converters based on porous gallium arsenide
за авторством: A. I. Kirilash, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. I. Kirilash, та інші
Опубліковано: (2012)
Microwave irradiation of gallium arsenide
за авторством: Red'ko, R.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Red'ko, R.
Опубліковано: (2006)
Solid state doping of CdxHg₁₋xTe epitaxial layers with elements of V group
за авторством: Vlasov, A.P., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Vlasov, A.P., та інші
Опубліковано: (2006)
Thick layers liquid-phase epitaxy method
за авторством: S. N. Dranchuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. N. Dranchuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Crystal structure of the arsenide HfNiAs
за авторством: O. Zhak
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. Zhak
Опубліковано: (2018)
Epitaxial InGaN nanostructures grown in pores of anodic aluminium oxide on Si
за авторством: G. G. Gorokh, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: G. G. Gorokh, та інші
Опубліковано: (2011)
Features of the technology of formation of metal contacts to discrete IR and THz radiation detectors based on CdHgTe epitaxial layers
за авторством: Z. F. Tsybrii
Опубліковано: (2019)
за авторством: Z. F. Tsybrii
Опубліковано: (2019)
Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)
Crystallization mechanism control during epitaxy from solution-melt
за авторством: Baganov, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Baganov, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2006)
The influence of hydrogen-charging on the properties of layered crystals of gallium and indium monoselenides
за авторством: O. O. Balytskyi
Опубліковано: (2010)
за авторством: O. O. Balytskyi
Опубліковано: (2010)
Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers
за авторством: Sh. D. Kurmashev, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Sh. D. Kurmashev, та інші
Опубліковано: (2014)
p-n junctions obtained in (Ge₂)x(GaAs)₁₋x varizone solid solutions by liquid phase epitaxy
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Excitonic photoconductivity of heterostructures based on gallium and indium selenides
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2017)
Indium admixture influence on photo-voltaic properties of slanting deposited films CdTe
за авторством: M. A. Karimov, та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: M. A. Karimov, та інші
Опубліковано: (2005)
On the prospects of using porous indium phosphide as substrates for indium nitride films
за авторством: Ja. A. Sychikova
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ja. A. Sychikova
Опубліковано: (2010)
Interdiffusion in EuS -based epitaxial superlattice nanostructures
за авторством: Fedorov, A.G., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Fedorov, A.G., та інші
Опубліковано: (2013)
Comprehensive studies of defect production and strained states in silicon epitaxial layers and device structures based on them
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2001)
Properties of the Pb₁-ₓSnₓTe₁-ᵧSeᵧ epitaxial layers grown from the supersaturated melt-solution on dielectric and semiconductor substrates
за авторством: Tsarenko, O.N., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Tsarenko, O.N., та інші
Опубліковано: (2005)
Technological bases forming porous space surface phosphide indium
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2014)
Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)
Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
за авторством: N. I. Klyui, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: N. I. Klyui, та інші
Опубліковано: (2014)
Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
за авторством: M. I. Kliui, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: M. I. Kliui, та інші
Опубліковано: (2014)
Thermoelectric properties of solid solutions based on tin telluride
за авторством: Freik, D.M., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Freik, D.M., та інші
Опубліковано: (2000)
Photoemission spectra of indium selenide
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2006)
Growing of Sm³⁺ doped polycrystalline calcium fluorapatite from aqueous solutions
за авторством: Babayevskaya, N.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Babayevskaya, N.V., та інші
Опубліковано: (2006)
Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)
Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (1999)
Capture coefficients of free excitons by shallow acceptors and donors in gallium arsenide
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)
Features of luminescence of nanostructured aluminium oxide
за авторством: V. S. Kortov, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. S. Kortov, та інші
Опубліковано: (2011)
Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
Application of a layered composite material based on aluminium and titanium alloys to produce welded three-layer honeycomb panels
за авторством: L. V. Petrushynets, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: L. V. Petrushynets, та інші
Опубліковано: (2022)
Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
за авторством: Yu. Dobrovolskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Yu. Dobrovolskyi, та інші
Опубліковано: (2014)