Paramagnetic defects related to photoluminescence in SiOx films
The correlation between the photoluminescence and paramagnetic defects is studied in SiOx films grown by vacuum thermal deposition and annealed at 750 ⁰C. The as-grown samples exhibit a wide structureless EPR line centered at g = 2.0040, which is explained by the presence of a variety of dangling bo...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2004 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119207 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Paramagnetic defects related to photoluminescence in SiOx films / G.Yu. Rudko, I.P. Vorona, I.Z. Indutnyy, S.S. Ishchenko, P.E. Shepeliavyi, V.O. Yukhymchuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 4. — С. 400-403. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |