Designing bandpass filters in 8 – 14 μm range for Si and Ge substrates
Modular bandpass spectral filter for germanium and silicon substrates in 8 – 14 μm band applications have been proposed. The design approach, similar to antireflection coating design has been adopted to make the model simple with lesser number of layers. The full width half maximum (FWHM) value of t...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2004 |
| Автори: | Asghar, M.H., Khan, M.B., Naseem, S. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119214 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Designing bandpass filters in 8 – 14 μm range for Si and Ge substrates / M.H. Asghar, M.B. Khan, S. Naseem // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 4. — С. 355-359. — Бібліогр.: 19 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Modeling high performance multilayer antireflection coatings for visible and infrared (3-5μm) substrates
за авторством: Asghar, M.H., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Asghar, M.H., та інші
Опубліковано: (2003)
Tunable high-finesse narrow bandpass Fabry – Perot filter
за авторством: Markov, V.B., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Markov, V.B., та інші
Опубліковано: (2004)
Prediction of a region with high transmission (reflectance) for bandpass interferential filters by using the method of pointer function
за авторством: Yaremchuk, Ya., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yaremchuk, Ya., та інші
Опубліковано: (2008)
Ge/Si heterojunction photodetector for 1.064 μm laser pulses
за авторством: Ismail, Raid A., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Ismail, Raid A., та інші
Опубліковано: (2006)
Concentration dependences of the anisotropy parameter of mobility K = μ⊥/μ || and the anisotropy parameter of electron-phonon drag thermopower M = α || ph/α⊥ ph IN n-Ge and n-Si
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2014)
Designing of Half-Masks of Filtering Respirators
за авторством: S. I. Cheberiachko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: S. I. Cheberiachko, та інші
Опубліковано: (2020)
DESIGN RANGE CRITERIA IN DESIGNING OF CONTROLLED ASYNCHRONOUS MOTORS
за авторством: Petrushin, V. S., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Petrushin, V. S., та інші
Опубліковано: (2014)
7Li(15N, 14C)8Be reaction and 13,14C + 8Be nuclei interactions
за авторством: A. T. Rudchyk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. T. Rudchyk, та інші
Опубліковано: (2017)
Scaling nature of target fragments in the 28Si-emulsion interaction at an energy of 14.6A GeV
за авторством: M. A. Ahmad, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: M. A. Ahmad, та інші
Опубліковано: (2013)
Scaling nature of target fragments in the 28Si-emulsion interaction at an energy of 14.6A GeV
за авторством: M. A. Ahmad, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: M. A. Ahmad, та інші
Опубліковано: (2013)
Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
Electronic structure of Ag8GeS6
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2017)
Study of angular distribution and KNO scaling in the collisions of 28Si with emulsion nuclei at 14.6A GeV
за авторством: M. A. Ahmad, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: M. A. Ahmad, та інші
Опубліковано: (2012)
Study of angular distribution and KNO scaling in the collisions of 28Si with emulsion nuclei at 14.6A GeV
за авторством: M. A. Ahmad, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: M. A. Ahmad, та інші
Опубліковано: (2012)
Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)
The effect of strain on the thermodynamic properties of Ge-Si, Ge-Sn, Si-Sn, Si-C thin solid films
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)
Subcooling during crystallization of a Ge-Au eutectic on an amorphous germanium substrate
за авторством: R. V. Sukhov, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: R. V. Sukhov, та інші
Опубліковано: (2010)
Design and characterization of nanostructured SERS substrates based on gold nanostars
за авторством: V. O. Yukhymchuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. O. Yukhymchuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Design and characterization of nanostructured SERS substrates based on gold nanostars
за авторством: Yukhymchuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Yukhymchuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2017)
Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2000)
Zone for collecting the ions of a given mass range in the plasma filter of masses
за авторством: Katrechko, V.V., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Katrechko, V.V., та інші
Опубліковано: (2020)
Topography of Si epitaxial monolayers obtained on Si (001) substrate by computer simulations
за авторством: Pyziak, L., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Pyziak, L., та інші
Опубліковано: (2003)
Spectral-ellipsometric examining the films of gold nanoparticles on Si/SiO₂ substrate
за авторством: Bortchagovsky, E.G., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Bortchagovsky, E.G., та інші
Опубліковано: (2012)
Strain relaxation in thin Si₁-ₓ-yGeₓCy layers on Si substrates
за авторством: Valakh, M.Ya., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Valakh, M.Ya., та інші
Опубліковано: (2006)
Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)
Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)
Transformation of addimers >Ge=Ge<, >Ge=Si< AND >Si=Si< on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2021)
Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures
за авторством: Kozyrev, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Kozyrev, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2008)
Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)
Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si
за авторством: Хижный, В.И.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Хижный, В.И.
Опубліковано: (2008)
Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)
On Weakly (μ, λ)-Open Functions
за авторством: B. Roy
Опубліковано: (2014)
за авторством: B. Roy
Опубліковано: (2014)
On Weakly (μ, λ)-Open Functions
за авторством: Roy, B., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Roy, B., та інші
Опубліковано: (2014)
On weakly (μ, λ)-open functions
за авторством: Roy, B.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Roy, B.
Опубліковано: (2014)
Spectral-ellipsometric examining the films of gold nanoparticles on Si/SiO2 substrate
за авторством: E. G. Bortchagovsky, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: E. G. Bortchagovsky, та інші
Опубліковано: (2012)
Estimation of Efficiency of Optimal Filtering Application in the Laser Frequency-Phase Range Finder System
за авторством: I. A. Braginets
Опубліковано: (2014)
за авторством: I. A. Braginets
Опубліковано: (2014)
Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
за авторством: Гниленко, А.Б., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Гниленко, А.Б., та інші
Опубліковано: (2015)
8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)
8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2013)
Nanocrystalline Ge films created by thermal vacuum deposition on GaAs substrates: structural and electric properties
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2014)
Схожі ресурси
-
Modeling high performance multilayer antireflection coatings for visible and infrared (3-5μm) substrates
за авторством: Asghar, M.H., та інші
Опубліковано: (2003) -
Tunable high-finesse narrow bandpass Fabry – Perot filter
за авторством: Markov, V.B., та інші
Опубліковано: (2004) -
Prediction of a region with high transmission (reflectance) for bandpass interferential filters by using the method of pointer function
за авторством: Yaremchuk, Ya., та інші
Опубліковано: (2008) -
Ge/Si heterojunction photodetector for 1.064 μm laser pulses
за авторством: Ismail, Raid A., та інші
Опубліковано: (2006) -
Concentration dependences of the anisotropy parameter of mobility K = μ⊥/μ || and the anisotropy parameter of electron-phonon drag thermopower M = α || ph/α⊥ ph IN n-Ge and n-Si
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2014)