Obtaining heterostructures with quantium dots for sensors by using liquid phase epitaxy
Peculiarities of the crystallization processes forming the structures with quantum dots (QD) by the method of pulse cooling of saturated solution-melt were considered. A theoretical model of QD formation was developed, and it was shown that sizes of experimentally obtained QDs are in good accordance...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2004 |
| Автори: | Maronchuk, I.E., D’yachenko, A.M., Minailov, A.I., Kurak, V.V., Chorny, I.V. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119216 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Obtaining heterostructures with quantium dots for sensors by using liquid phase epitaxy / I.E. Maronchuk, A.M. D’yachenko, A.I. Minailov, V.V. Kurak, I.V. Chorny // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 4. — С. 363-367. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Liquid phase epitaxy and properties of nanoheterostruc-tures based on the III–V compounds
за авторством: I. E. Maronchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: I. E. Maronchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
p-n junctions obtained in (Ge₂)x(GaAs)₁₋x varizone solid solutions by liquid phase epitaxy
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005)
Thick layers liquid-phase epitaxy method
за авторством: S. N. Dranchuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. N. Dranchuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Electron tunneling in the germanium/silicon heterostructure with germanium quantum dots: theory
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2021)
Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)
Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)
Formation of atomic composition of A3B5 heterostructures at ionized beam epitaxy
за авторством: V. G. Verbitskij, та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: V. G. Verbitskij, та інші
Опубліковано: (2004)
Radiation stability of natural aluminosilicates various structural types by electrons and gamma quantium
за авторством: Dikiy, N.P., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Dikiy, N.P., та інші
Опубліковано: (2023)
Effect of quantum dot shape of the GaAs/AlAs heterostructure on interlevel hole light absorption
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of internal parameters on the signal value in optical sensor based on the non-ideal heterostructure CdS-Cu₂S
за авторством: Borschak, V.A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Borschak, V.A., та інші
Опубліковано: (2012)
Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2014)
Deep attachment levels in In0.4Ga0.6As/GaAs heterostructures with quantum dots
за авторством: O. V. Vakulenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: O. V. Vakulenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)
Obtaining of bilateral high voltage epitaxial p—i—n Si structures by LPE method
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of internal parameters on the signal value in optical sensor based on the non-ideal heterostructure CdS-Cu2S
за авторством: V. A. Borschak, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. A. Borschak, та інші
Опубліковано: (2012)
Topography of Si epitaxial monolayers obtained on Si (001) substrate by computer simulations
за авторством: Pyziak, L., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Pyziak, L., та інші
Опубліковано: (2003)
Effect of thermal annealing on the luminescent characteristics of CdSe/ZnSe quantum dot heterostructure
за авторством: L. V. Borkovska, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: L. V. Borkovska, та інші
Опубліковано: (2010)
Effect of thermal annealing on the luminescent characteristics of CdSe/ZnSe quantum dot heterostructure
за авторством: Borkovska, L.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Borkovska, L.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Obtaining and examination of heterostructure ZnO:Al/por-Si/Si
за авторством: A. F. Diadenchuk, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: A. F. Diadenchuk, та інші
Опубліковано: (2020)
Growing of heteroepitaxial layers on lattice mismatched substrates by the method of scanning liquid phase epitaxy
за авторством: V. V. Tsybulenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: V. V. Tsybulenko, та інші
Опубліковано: (2020)
Growing the epitaxial undoped and N-doped ZnO films by radical beam gettering epitaxy
за авторством: Rogozin, I.V.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Rogozin, I.V.
Опубліковано: (2006)
Exciton spectroscopy with a spatially separated electron and a hole in a Ge/Si heterostructure with germanium quantum dots
за авторством: S. I. Pokutnij
Опубліковано: (2018)
за авторством: S. I. Pokutnij
Опубліковано: (2018)
Influence of cation vacancy related defects on the self-assembly processes in CdSe/ZnSe quantum dot heterostructures
за авторством: Borkovska, L.V., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Borkovska, L.V., та інші
Опубліковано: (2003)
Ohmic contacts to Hall sensors based on n-InSb-GaAs(i) heterostructures
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)
Development of an Optical Temperature Sensor on Liquid Crystals
за авторством: V. Y. Skosar, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: V. Y. Skosar, та інші
Опубліковано: (2023)
Room-temperature NH3 gas sensors based on heterostructures PbS/CdS
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Room-temperature gas sensor based on semiconductor nanoscale heterostructures ZnS/CdS
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Glutathione-Capped Quaternary Ag–(In,Ga)–S Quantum dots obtained by colloidal synthesis in aqueous solutions
за авторством: Y. M. Azhniuk, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Y. M. Azhniuk, та інші
Опубліковано: (2024)
Glutathione-Capped Quaternary Ag–(In,Ga)–S Quantum dots obtained by colloidal synthesis in aqueous solutions
за авторством: Y. M. Azhniuk, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Y. M. Azhniuk, та інші
Опубліковано: (2024)
Critical currents and relaxation in Josephson media
за авторством: D’yachenko, A.I., та інші
Опубліковано: (1996)
за авторством: D’yachenko, A.I., та інші
Опубліковано: (1996)
Crystal lattice engineering the novel substrates for III-nitride-oxide heterostructures
за авторством: V. Osinsky, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. Osinsky, та інші
Опубліковано: (2010)
Crystal lattice engineering the novel substrates for III-nitride-oxide heterostructures
за авторством: Osinsky, V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Osinsky, V., та інші
Опубліковано: (2010)
Development of technology for obtaining nano-sized heterostructured films by ion-plasma deposition
за авторством: M. T. Normuradov, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: M. T. Normuradov, та інші
Опубліковано: (2023)
Obtaining porous silicon suitable for sensor technology using MacEtch nonelectrolytic etching
за авторством: I. R. Jatsunskij
Опубліковано: (2013)
за авторством: I. R. Jatsunskij
Опубліковано: (2013)
Numerical modelling of light propagation in surface plasmon resonance sensor with liquid crystal
за авторством: Yarmoshchuk, Ye.S., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Yarmoshchuk, Ye.S., та інші
Опубліковано: (2018)
“Multicoloured” superradiance in quantum heterostructures
за авторством: Pikaruk, O.O., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Pikaruk, O.O., та інші
Опубліковано: (2004)
Model of heterotransistor with quantum dots
за авторством: V. I. Timofeyev, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. I. Timofeyev, та інші
Опубліковано: (2010)
Model of heterotransistor with quantum dots
за авторством: Timofeyev, V.I., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Timofeyev, V.I., та інші
Опубліковано: (2010)
Pyrolytic mass-spectrometry of some liquid rubbers obtained by radical polymerization
за авторством: T. V. Dmitrieva, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: T. V. Dmitrieva, та інші
Опубліковано: (2014)
Optimization of the process of obtaining low temperatures in universal liquid-flow cryostats
за авторством: I. P. Zharkov, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. P. Zharkov, та інші
Опубліковано: (2021)
Схожі ресурси
-
Liquid phase epitaxy and properties of nanoheterostruc-tures based on the III–V compounds
за авторством: I. E. Maronchuk, та інші
Опубліковано: (2012) -
p-n junctions obtained in (Ge₂)x(GaAs)₁₋x varizone solid solutions by liquid phase epitaxy
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005) -
Thick layers liquid-phase epitaxy method
за авторством: S. N. Dranchuk, та інші
Опубліковано: (2013) -
Electron tunneling in the germanium/silicon heterostructure with germanium quantum dots: theory
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2021) -
Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)