Effect of surface condition on strain in semiconductor crystal sample
Using the optical-polarization technique with polarization modulation, we measured stresses due to surface tension in a single-crystalline silicon sample. Optical anisotropy distribution along the normal to the sample surface was studied at different state conditions, depending on its treatment. It...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2001 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119234 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Effect of surface condition on strain in semiconductor crystal sample / B.K. Serdega, E.V. Nikitenko, V.I. Prikhodenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 1. — С. 9-11. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. |