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Electronic properties of silicon surface at different oxide film conditions

We used measurements of temperature and electric field dependencies of surface photovoltage to study electronic properties of (100) n-silicon surface after its thermal and chemical oxidation, as well as after oxide films removal in HF. Measurements of surface photovoltage vs temperature curves revea...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2001
Hauptverfasser:	Kirillova, S.I., Primachenko, V.E., Venger, E.F., Chernobai, V.A.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119235
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Electronic properties of silicon surface at different oxide film conditions / S.I. Kirillova, V.E. Primachenko, E.F. Venger, V.A. Chernobai // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 1. — С. 12-18. — Бібліогр.: 29 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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