Зображення обкладинки

Aging of ZnS:Mn thin - film electroluminescent devices grown by two different atomic-layer epitaxial processes

Electroluminescent characteristics and the photodepolarization spectra of ZnS:Mn thin-film electroluminescent devices made with two different atomic-layer epitaxy processes based on chlorine and metalorganic precursors have been studied during initial stage of accelerated aging. Essential difference...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2001
Автори:	Vlasenko, N.A., Kononets, Ya.F., Denisova, Z.L., Kopytko, Yu.V., Veligura, L.I., Soininen, El., Tornqvist, R.O., Vasama, K.M.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119240
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Aging of ZnS:Mn thin - film electroluminescent devices grown by two different atomic-layer epitaxial processes / N.A. Vlasenko, Ya.F. Kononets, Z.L. Denisova, Yu.V. Kopytko, L.I. Veligura, El. Soininen, R.O. Tornqvist, K.M. Vasama // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 1. — С. 48-55. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

On origin of rapid portion of luminance-voltage dependence of ZnS:Mn TFEL devices and its aging behavior
за авторством: Vlasenko, N.A., та інші
Опубліковано: (2002)

Self-organization patterns in electroluminescence of bistable ZnS:Mn thin-film structures
за авторством: Vlasenko, N.A., та інші
Опубліковано: (2004)

Stimulated emission of Cr²⁺ ions in ZnS:Cr thin-film electroluminescent structures
за авторством: Vlasenko, N.A., та інші
Опубліковано: (2009)

Momentum relaxation of hot electrons during radiative intraband indirect transitions in ZnS:Cr
за авторством: Vlasenko, N.A., та інші
Опубліковано: (2005)

Cause of instability of laser oscillation detected in ZnS:Cr waveguide thin-film electroluminescent structure
за авторством: N. A. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Electroluminescence powdered ZnS:Cu obtained by one-stage synthesis
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2015)

Electroluminescence powdered ZnS:Cu obtained by one-stage synthesis
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2015)

Degradation processes in encapsulated ZnS: Cu powder electroluminescent phosphors
за авторством: Popovych, K.O.
Опубліковано: (2007)

Laser oscillation in Cr²⁺:ZnS waveguide thin-film structures under electrical pumping with impact excitation mechanism
за авторством: Vlasenko, N.A., та інші
Опубліковано: (2011)

Characterization of ZnSe nanocrystals grown by vapor phase epitaxy
за авторством: Tishchenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2006)

HgCdTe quantum wells grown by molecular beam epitaxy
за авторством: Dvoretsky, S.A, та інші
Опубліковано: (2007)

Epitaxial InGaN nanostructures grown in pores of anodic aluminium oxide on Si
за авторством: G. G. Gorokh, та інші
Опубліковано: (2011)

Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)

Laser oscillation in Cr2+:ZnS waveguide thin-film structures under electrical pumping with impact excitation mechanism
за авторством: N. A. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Ferromagnetism in Co-doped ZnO films grown by molecular beam epitaxy: magnetic, electrical and microstructural studies
за авторством: Strelchuk, V.V., та інші
Опубліковано: (2011)

Ferromagnetism in Co-doped ZnO films grown by molecular beam epitaxy: magnetic, electrical and microstructural studies
за авторством: V. V. Strelchuk, та інші
Опубліковано: (2011)

Flexible electroluminescent panels
за авторством: Vlaskin, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Electronic and magnetic properties of ZnS crystal doped by Mn and Cu substitution atoms
за авторством: Syrotyuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2011)

Formation of atomic composition of A3B5 heterostructures at ionized beam epitaxy
за авторством: V. G. Verbitskij, та інші
Опубліковано: (2004)

Acoustic emission and fluctuations of electroluminescence intensity in light-emitting heterostructures
за авторством: V. P. Veleschuk, та інші
Опубліковано: (2010)

Acoustic emission and fluctuations of electroluminescence intensity in light-emitting heterostructures
за авторством: Veleschuk, V.P., та інші
Опубліковано: (2010)

Properties of the Pb₁-ₓSnₓTe₁-ᵧSeᵧ epitaxial layers grown from the supersaturated melt-solution on dielectric and semiconductor substrates
за авторством: Tsarenko, O.N., та інші
Опубліковано: (2005)

Electrophysical properties of heterostructures CuS/ZnS and PCTFE–CuS/ZnS system
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Reliability of AC thick-film electroluminescent lamps
за авторством: Vlaskin, V., та інші
Опубліковано: (2009)

Application of ferroelectrics to create electroluminescent indicators of temperature
за авторством: V. G. Boyko, та інші
Опубліковано: (2012)

Formation of electroluminescence in an electrode–molecule–electrode system
за авторством: V. O. Leonov, та інші
Опубліковано: (2014)

Formation of electroluminescence in an electrode–molecule–electrode system
за авторством: V. O. Leonov, та інші
Опубліковано: (2014)

Features of selecting dielectric layers for electroluminescent structures
за авторством: V. H. Boiko, та інші
Опубліковано: (2021)

Електрофізичні властивості гетероструктури CuS/ZnS і системи CuS/ZnS-ПТФХЕ
за авторством: Prokopenko, S. L., та інші
Опубліковано: (2015)

IR spectroscopic study of thin ZnO films grown using the atomic layer deposition method
за авторством: Ye. F. Venher, та інші
Опубліковано: (2016)

Diode structures and electrical properties of ZnO films grown using the atomic layer deposition method
за авторством: T. V. Semikina
Опубліковано: (2016)

IR Spectroscopic Study of Thin ZnO Films Grown Using the Atomic Layer Deposition Method
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2016)

A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)

Novel polymer metal complexes as precursors for electroluminescent materials
за авторством: Savchenko, I., та інші
Опубліковано: (2012)

Growing the epitaxial undoped and N-doped ZnO films by radical beam gettering epitaxy
за авторством: Rogozin, I.V.
Опубліковано: (2006)

The energetic efficiency device for water atomization by low pressure centrifugal sprayers
за авторством: Pidvysotskyi O.M., та інші
Опубліковано: (2001)

Peculiarities of the PbTe nano-islet formation on BaF₂ substrate at "hot wall" epitaxy method investigated by atomic force microscopy
за авторством: Sheremeta, T.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Quantum electrical capacitance of epitaxial graphene
за авторством: Z. Z. Alisultanov, та інші
Опубліковано: (2015)

Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide
за авторством: S. I. Tiagulskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide
за авторством: Tiagulskyi, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)