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Features of electrical charge transfer in porous silicon

The thermostimulated depolarization (TSD) spectra of porous silicon (PS) in the range of temperatures 77 - 450 K were investigated. Several wide bands of TSD current with different values referred to different types of PS charged defects were discovered. Comparative investigation of TSD spectra of P...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2001
1. Verfasser:	Monastyrskii, L.S.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119244
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Features of electrical charge transfer in porous silicon / L.S. Monastyrskii // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 1. — С. 24-28. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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