Influence of neutron irradiation on elctrooptical and structural properties of silicon
Processes of structure defects formation, which accompanied by oxygen precipitation after a neutron irradiation (10¹⁵- 10¹⁹ n/cm²) and high-temperature treatment (800 - 1000°С) in CZ silicon, were investigated by the transmission electron microscopy. Influence of the structure defects on electroopti...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2001 |
| Автори: | , , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119263 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Influence of neutron irradiation on elctrooptical and structural properties of silicon / A.A. Groza, E.F. Venger, V.I. Varnina, R.Yu. Holiney, P.G. Litovchenko, L.A. Matveeva, A.P. Litovchenko, M.I. Starchik, V.I. Sugakov, G.G. Shmatko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 3. — С. 152-155. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Investigation of the undersurface damaged layers in silicon wafers
за авторством: Holiney, R.Yu., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Holiney, R.Yu., та інші
Опубліковано: (1999)
Influence of growing and doping methods on radiation hardness of n-Si irradiated by fast-pile neutrons
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2004)
Dependence of the defect introduction rate on the dose of irradiation of p-Si by fast-pile neutrons
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2007)
Influence of preliminary irradiation on radiation hardness of silicon and indium antimonide
за авторством: Litovchenko, P.G., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Litovchenko, P.G., та інші
Опубліковано: (2001)
The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2011)
Magnetic and magnetoresistive characteristics of neutron-irradiated Si₀.₉₇Ge₀.₀₃ whiskers
за авторством: Litovchenko, P.G., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Litovchenko, P.G., та інші
Опубліковано: (2014)
Voids’ layer structures in silicon irradiated with high doses of high-energy helium ions
за авторством: Starchyk, M.I., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Starchyk, M.I., та інші
Опубліковано: (2015)
Peculiarities of neutron irradiation influence on GaP light-emitting structures
за авторством: Litovchenko, P., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Litovchenko, P., та інші
Опубліковано: (2009)
Nuclear irradiation-induced superconductivity in the binary semiconductor InAs
за авторством: Kаrpenko, А.Ya., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Kаrpenko, А.Ya., та інші
Опубліковано: (2003)
Electron beam application for mechanical stress relaxation and for SI-SIO₂ interface structural regulation
за авторством: Matveeva, L.A., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Matveeva, L.A., та інші
Опубліковано: (1999)
Semiconductor sensors for dosimetry of epithermal neutrons
за авторством: Litovchenko, P.G., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Litovchenko, P.G., та інші
Опубліковано: (1999)
Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments
за авторством: Gorbach, T.Ya., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Gorbach, T.Ya., та інші
Опубліковано: (1998)
The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2011)
Magnetic and magnetoresistive characteristics of neutron-irradiated Si0. 97Ge0. 03 whiskers
за авторством: P. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: P. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2014)
Voids' layer structures in silicon irradiated with high doses of high-energy helium ions
за авторством: M. I. Starchyk, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: M. I. Starchyk, та інші
Опубліковано: (2015)
Neutron irradiation influence on the silicon voltage limiter parameters
за авторством: Rakhmatov, A.Z., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Rakhmatov, A.Z., та інші
Опубліковано: (2012)
The radiation hardness of pulled silicon doped with germanium
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2007)
Influence of radiation defects on the electrophysical and detector properties of CdTe:Cl irradiated by neutrons
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2020)
Influence of the annealing of silicon crystals at 1200 °C on the Hall effect and magnetoresistance
за авторством: Baranskyy, P.I., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Baranskyy, P.I., та інші
Опубліковано: (2002)
Instabilities in binary compounds under irradiation
за авторством: Mykhaylovskyy, V.V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Mykhaylovskyy, V.V., та інші
Опубліковано: (2000)
Peculiarities of neutron fields formation in the systems “neutron producing target – moderator” irradiated by high energy particles
за авторством: Chigrinov, S.E., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Chigrinov, S.E., та інші
Опубліковано: (2005)
Computation studying of the neutron yield from the neutron-production target irradiated with electrons
за авторством: Prokhorets, I.M., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Prokhorets, I.M., та інші
Опубліковано: (2009)
Influence of neutron irradiation on the modulation processes of the base region of the silicon p+nn+-structure
за авторством: A. Z. Rakhmatov
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. Z. Rakhmatov
Опубліковано: (2013)
Influence of structural defects on photoconductivity of zinc diphosphide
за авторством: Kudin, A.P., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Kudin, A.P., та інші
Опубліковано: (2001)
Effect of neutron irradiation on the structure and strength of the SAV 1 aluminum alloy
за авторством: S. A. Alikulov, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: S. A. Alikulov, та інші
Опубліковано: (2022)
Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2016)
Optimization of technology for fabrication of sectional nuclear radiation detectors based on high-resistance silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2017)
Hybrid scintillators on the basis of ammonium salicylate and ammonium dihydrogen phosphate for neutrons detection
за авторством: Ananenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ananenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2012)
Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2011)
Mechanisms of Fracture in Neutron-Irradiated 15Ch2MFA Steel
за авторством: Valek, S., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Valek, S., та інші
Опубліковано: (2008)
Low-temperature studies of Cr3+ ions in natural and neutron-irradiated Mg-Al spinel
за авторством: N. Mironova-Ulmane, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: N. Mironova-Ulmane, та інші
Опубліковано: (2020)
Optical properties of diamond-like carbon films subjected to ultraviolet irradiation
за авторством: Klyui, N.I., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Klyui, N.I., та інші
Опубліковано: (2008)
Thermodonor activation energy and mechanisms of tensoeffects in transmutation-doped y-irradiated silicon
за авторством: Dotsenko, Yu.P., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Dotsenko, Yu.P., та інші
Опубліковано: (2003)
Surface photovoltage spectroscopy research of solar silicon recombination parameters
за авторством: V. G. Litovchenko
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. G. Litovchenko
Опубліковано: (2015)
Spectroscopic studies of defects in gamma- and neutron-irradiated magnesium aluminates spinel ceramics
за авторством: Kazarinov, Yu., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Kazarinov, Yu., та інші
Опубліковано: (2017)
Effects of interband phototunneling and filling the bands in electroreflectance spectra of germanium
за авторством: Gentsar, P.A., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Gentsar, P.A., та інші
Опубліковано: (2003)
Electrophysical characteristics of GaAs₁₋ₓPₓ LEDs irradiated by 2 MeV electrons
за авторством: Vernydub, R.M., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Vernydub, R.M., та інші
Опубліковано: (2020)
The prospects of use of silicon photodiodes for registration alpha, beta radiation and neutrons
за авторством: Voronkin, E.F., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Voronkin, E.F., та інші
Опубліковано: (2016)
Gamma and fast neutrons flux radiation minimization during the concentrated flux formation of delayed neutrons
за авторством: Gokov, S.P., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Gokov, S.P., та інші
Опубліковано: (2023)
Effect of neutron irradiation on non-equilibrium HfB₂-B₄C composites
за авторством: Totsky, I.M., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Totsky, I.M., та інші
Опубліковано: (2013)