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Characterization of «solar» multicrystalline silicon by local measurements

The features of local measurements of «solar» multicrystalline silicon (mc-Si) parameters are surveyed using examples of grain sizes, diffusion length of minority non-equilibrium charge carriers Ld and effective reflectivity of light R. It is revealed that the crystal grains in mc-Si have 4 groups o...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2001
ISSN:	1560-8034
1. Verfasser:	Popov, V.G.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119271
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Characterization of «solar» multicrystalline silicon by local measurements/ V.G. Popov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 3. — С. 182-186. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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