Зображення обкладинки

Refractory contact to a-SiC produced by laser technology methods

Developed in the paper are method and technological scheme to obtain ohmic contacts (OC) to a-SiC(:N), Nd - Na ~1 - 3.10¹⁸ cm⁻³ by pulse laser deposition (PLD) of multilayer structures Ni/W/Si₃N₄/W and the following laser annealing (LA). When using an YAG:Nd³⁺ laser, threshold levels and optimal reg...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:2001
Автори: Fedorenko, L.L., Kiseleov, V.S., Svechnikov, S.V., Yusupov, M.M., Beketov, G.V.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119279
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Refractory contact to a-SiC produced by laser technology methods / L.L. Fedorenko, V.S. Kiseleov, S.V. Svechnikov, M.M. Yusupov, G.V. Beketov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 3. — С. 192-195. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси