Some features of transverse photovoltage in semiconductor heterostructure and Schottky contact
We investigated transverse photovoltage generated in semiconductor heterostructures by a modulated illumination. A complicated form of the photovoltage spectral curves for Ge-GaAs heterostructures and NbN-GaAs Schottky contacts is determined by interaction between photocurrents flowing in the bulk a...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2001 |
| Автор: | Shekhovtsov, L.V. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119315 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Some features of transverse photovoltage in semiconductor heterostructure and Schottky contact / L.V. Shekhovtsov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 4. — С. 253-259. — Бібліогр.: 21 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
On a doped transition layer in the space charge region of Schottky contact
за авторством: Shekhovtsov, L.V.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Shekhovtsov, L.V.
Опубліковано: (2002)
Schottky contact degradation at thermal annealing
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2012)
Lateral photo-emf in Schottky contact
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2010)
Lateral photo-emf in a nonuniform Schottky contact
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2011)
Schottky diodes based on the zinc selenide semiconductor crystals
за авторством: Voronkin, E.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Voronkin, E.
Опубліковано: (2013)
On the origin of transversal current in double-layer heterostructures
за авторством: S. V. Iordanski
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. V. Iordanski
Опубліковано: (2017)
On the origin of transversal current in double-layer heterostructures
за авторством: Iordanski, S.V.
Опубліковано: (2017)
за авторством: Iordanski, S.V.
Опубліковано: (2017)
Photovoltage and photocurrent spectroscopy of luminescent porous silicon
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2003)
Vertical spin transport in semiconductor heterostructures
за авторством: Sankowski, P., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Sankowski, P., та інші
Опубліковано: (2007)
Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
за авторством: S. I. Vlasov, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: S. I. Vlasov, та інші
Опубліковано: (2010)
Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
за авторством: Vlasov, S.I., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Vlasov, S.I., та інші
Опубліковано: (2010)
Features studies of transition layers in semiconductor heterosystems
за авторством: L. V. Shekhovtsov, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: L. V. Shekhovtsov, та інші
Опубліковано: (2021)
Magnetic field-stimulated change of photovoltage in solar silicon crystals
за авторством: O. O. Korotchenkov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. O. Korotchenkov, та інші
Опубліковано: (2013)
Magnetic field-stimulated change of photovoltage in solar silicon crystals
за авторством: Korotchenkov, O.O., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Korotchenkov, O.O., та інші
Опубліковано: (2013)
Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
за авторством: Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)
Surface photovoltage spectroscopy research of solar silicon recombination parameters
за авторством: V. G. Litovchenko
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. G. Litovchenko
Опубліковано: (2015)
Surface photovoltage spectroscopy research of solar silicon recombination parameters
за авторством: V. H. Lytovchenko
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. H. Lytovchenko
Опубліковано: (2015)
Magnetization in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of manganese
за авторством: T. Charikova, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: T. Charikova, та інші
Опубліковано: (2015)
Magnetization in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of manganese
за авторством: Charikova, T., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Charikova, T., та інші
Опубліковано: (2015)
On the methodology of determining the transverse tensoresistance in multi-valley semiconductors
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2022)
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2022)
On Bose condensation of exitons in quasi-two-dimensional semiconductor heterostructures
за авторством: V. B. Timofeev
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. B. Timofeev
Опубліковано: (2012)
Thin-film heterostructures based on conducting polymers and organic semiconductors
за авторством: Vertsimakha, Ya.I., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Vertsimakha, Ya.I., та інші
Опубліковано: (2009)
Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)
Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)
Heterostructure ohmic contacts to p-CdTe polycrystalline films
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)
Heterostructure ohmic contacts to p-CdTe polycrystalline films
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2014)
Room-temperature gas sensor based on semiconductor nanoscale heterostructures ZnS/CdS
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Simulation of combined Schottky diode
за авторством: Ye. M. Kiselov
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ye. M. Kiselov
Опубліковано: (2013)
Formation of rectifying contact in semiconductor–vacuum–metal system
за авторством: L. G. Ilchenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: L. G. Ilchenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)
Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)
Diagnosis of semiconductor heterosystems using the photovoltaic method
за авторством: L. V. Shekhovtsov
Опубліковано: (2021)
за авторством: L. V. Shekhovtsov
Опубліковано: (2021)
Features of charge transport in Mo/n-Si structures with a Schottky barrier
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)
Features of charge transport in Mo/n-Si structures with a Schottky barrier
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)
Semiconductor surface spectroscopy using transverse acousto-electric effect: Role of surface charge in photo-processes at ZnS/Si interface
за авторством: Tatyanenko, N.P., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Tatyanenko, N.P., та інші
Опубліковано: (2018)
Ohmic contacts to Hall sensors based on n-InSb-GaAs(i) heterostructures
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)
Metallic Cathode Contact for Gunn Diodes on Basis of Some Novel A3B5 Semiconductor Compounds
за авторством: Arkusha, Yu. V.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Arkusha, Yu. V.
Опубліковано: (2013)
Nanostructured antidiffusion layers in contacts to wide-gap semiconductors
за авторством: Ja. Ja. Kudrik
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ja. Ja. Kudrik
Опубліковано: (2013)
Magnetic point contact in ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As
за авторством: Figielski, T., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Figielski, T., та інші
Опубліковано: (2003)
Features of magnetotransport in heterostructures with selectively doped quantum wells
за авторством: V. V. Vajnberg, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. V. Vajnberg, та інші
Опубліковано: (2014)
Схожі ресурси
-
On a doped transition layer in the space charge region of Schottky contact
за авторством: Shekhovtsov, L.V.
Опубліковано: (2002) -
Schottky contact degradation at thermal annealing
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2012) -
Lateral photo-emf in Schottky contact
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2010) -
Lateral photo-emf in a nonuniform Schottky contact
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2011) -
Schottky diodes based on the zinc selenide semiconductor crystals
за авторством: Voronkin, E.
Опубліковано: (2013)