Experimental investigations and computer modeling of the photochemical processes in Ag-As₂S₃ structures using surface plasmon resonance spectroscopy
Surface plasmon resonance (SPR) was first applied for investigation of the initial stage kinetics of the chemical processes in inorganic resist based on thin-film Ag-As₂S₃ structure. This method enabled to measure optical constants for the super-thin layers (from 0.2 up to 50 nm) and to study the ch...
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| Veröffentlicht in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Datum: | 2001 |
| Hauptverfasser: | Chegel’, V.I., Shirshov, Yu.M., Kostyukevich, S.O., Shepeliavy, P.E., Chegel', Yu.V. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119333 |
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| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Experimental investigations and computer modeling of the photochemical processes in Ag-As₂S₃ structures using surface plasmon resonance spectroscopy / V.I. Chegel’, Yu.M. Shirshov, S.O. Kostyukevich, P.E. Shepeliavy, Yu.V. Chegel’ // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 4. — С. 301-308. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. |
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