High-temperature series expansions for random Potts models

• Veröffentlicht in: Condensed Matter Physics
• Datum: 2005
• Hauptverfasser: Hellmund, M., Janke, W.
• Format: Artikel
• Sprache: Englisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики конденсованих систем НАН України 2005
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119384
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: High-temperature series expansions for random Potts models / M. Hellmund, W. Janke // Condensed Matter Physics. — 2005. — Т. 8, № 1(41). — С. 59–74. — Бібліогр.: 40 назв. — англ.

We discuss recently generated high-temperature series expansions for the
 free energy and the susceptibility of random-bond q-state Potts models on
 hypercubic lattices. Using the star-graph expansion technique, quenched
 disorder averages can be calculated exactly for arbitrary uncorrelated coupling
 distributions while keeping the disorder strength p as well as the dimension
 d as symbolic parameters. We present analyses of the new series
 for the susceptibility of the Ising (q = 2) and 4-state Potts model in three
 dimensions up to the order 19 and 18, respectively, and compare our findings
 with results from field-theoretical renormalization group studies and
 Monte Carlo simulations. Ми обговорюємо нещодавно генеровані високотемпературні розклади для вільної енергії та сприйнятливості q -станової моделі Потса на гіперкубічній гратці із безладом у формі випадкових зв’язків. Використовуючи техніку розкладу зіркових графів, усереднення за замороженим безладом можна провести точно при довільних розподілах нескорельованих зв’язків, зберігаючи концентрацію безладу p та вимірність гратки d як символічні параметри. Ми представляємо аналіз нових рядів для сприйнятливості тривимірних моделі Ізинга ( q = 2 ) та 4-станової моделі Потса до відповідно 19-го та 18-го порядків, і порівнюємо отримані нами результати із даними досліджень в рамках теоретико-польової ренормалізаційної групи та симуляцій Монте Карло.