Локальные экситонные состояния на изоэлектронных центрах в сверхрешетках

Проанализированы оптические спектры напряженных сверхрешеток второго типа
 ZnSe/ZnTe, как свежевыращенных, так и хранившихся в течение некоторого времени, с учетом
 образования на их гетерограницах смешанных слоев ZnSe1–xTex, имеющих кластерную
 структуру. Рассчитана зависимо...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:2004
Автор: Бондарь, Н.В.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2004
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119466
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Локальные экситонные состояния на изоэлектронных центрах в сверхрешетках / Н.В. Бондарь // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 2. — С. 233-243. — Бібліогр.: 25 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862620678437470208
author Бондарь, Н.В.
author_facet Бондарь, Н.В.
citation_txt Локальные экситонные состояния на изоэлектронных центрах в сверхрешетках / Н.В. Бондарь // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 2. — С. 233-243. — Бібліогр.: 25 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Физика низких температур
description Проанализированы оптические спектры напряженных сверхрешеток второго типа
 ZnSe/ZnTe, как свежевыращенных, так и хранившихся в течение некоторого времени, с учетом
 образования на их гетерограницах смешанных слоев ZnSe1–xTex, имеющих кластерную
 структуру. Рассчитана зависимость энергии локализации дырок от радиуса кластеров атомов
 Te, которая хорошо согласуется с экспериментальными данными. В образцах, хранившихся в
 течение некоторого времени, обнаружено изменение формы и монотонное смещение полосы фотолюминесценции
 в коротковолновую сторону. Показано, что причина смещения связана с изменением
 внутренней структуры смешанных слоев со временем и образованием локальных состояний,
 наведенных изоэлектронными примесями (атомами Te). Проаналізовано оптичні спектри напружених надграток другого типу ZnSe/ZnTe, як свіжовирощених,
 так і тих, що зберігалися на протязі деякого проміжку часу, з урахуванням утворення
 на їх гетеромежах змішаних шарів ZnSe1–xTex, які мають кластерну структуру. Розраховано
 залежність енергії локалізації дірок від радіуса кластерів атомів Te, яка добре погоджується з
 експериментальними даними. В зразках, які зберігалися на протязі деякого часу, виявлено зміну
 форми і монотонний зсув смуги фотолюмінесцеції в короткохвильовий бік. Показано, що причина
 цього зсуву пов’язана зі зміною внутрішньої структури змішаних шарів з часом і утворенням
 локальних станів, наведених ізоелектронними домішками (атомами Te). The optical spectra of type-II strained
 ZnSe/ZnTe superlattices, both fresh-prepared and
 kept for some time, are analyzed with taking into
 account the formation of mixed ZnSe1-xTex layers,
 at their interfaces which have a cluster structure.
 The dependence of the hole localization energy
 on the radius of Te atom clusters is
 calculated, which is in good agreement with the
 experiment. The samples kept for some time display
 a change of the shape and a monotonous shift
 of the luminescence band to a high-energy edge. It
 is shown that the shift is caused by the change in
 the internal structure of the mixed layers with
 time and the formation of local exciton states induced
 by isoelectronic Te atoms.
first_indexed 2025-12-07T13:23:06Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-119466
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 0132-6414
language Russian
last_indexed 2025-12-07T13:23:06Z
publishDate 2004
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
record_format dspace
spelling Бондарь, Н.В.
2017-06-07T04:11:24Z
2017-06-07T04:11:24Z
2004
Локальные экситонные состояния на изоэлектронных центрах в сверхрешетках / Н.В. Бондарь // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 2. — С. 233-243. — Бібліогр.: 25 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 71.35.–y, 71.35.Cc
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119466
Проанализированы оптические спектры напряженных сверхрешеток второго типа
 ZnSe/ZnTe, как свежевыращенных, так и хранившихся в течение некоторого времени, с учетом
 образования на их гетерограницах смешанных слоев ZnSe1–xTex, имеющих кластерную
 структуру. Рассчитана зависимость энергии локализации дырок от радиуса кластеров атомов
 Te, которая хорошо согласуется с экспериментальными данными. В образцах, хранившихся в
 течение некоторого времени, обнаружено изменение формы и монотонное смещение полосы фотолюминесценции
 в коротковолновую сторону. Показано, что причина смещения связана с изменением
 внутренней структуры смешанных слоев со временем и образованием локальных состояний,
 наведенных изоэлектронными примесями (атомами Te).
Проаналізовано оптичні спектри напружених надграток другого типу ZnSe/ZnTe, як свіжовирощених,
 так і тих, що зберігалися на протязі деякого проміжку часу, з урахуванням утворення
 на їх гетеромежах змішаних шарів ZnSe1–xTex, які мають кластерну структуру. Розраховано
 залежність енергії локалізації дірок від радіуса кластерів атомів Te, яка добре погоджується з
 експериментальними даними. В зразках, які зберігалися на протязі деякого часу, виявлено зміну
 форми і монотонний зсув смуги фотолюмінесцеції в короткохвильовий бік. Показано, що причина
 цього зсуву пов’язана зі зміною внутрішньої структури змішаних шарів з часом і утворенням
 локальних станів, наведених ізоелектронними домішками (атомами Te).
The optical spectra of type-II strained
 ZnSe/ZnTe superlattices, both fresh-prepared and
 kept for some time, are analyzed with taking into
 account the formation of mixed ZnSe1-xTex layers,
 at their interfaces which have a cluster structure.
 The dependence of the hole localization energy
 on the radius of Te atom clusters is
 calculated, which is in good agreement with the
 experiment. The samples kept for some time display
 a change of the shape and a monotonous shift
 of the luminescence band to a high-energy edge. It
 is shown that the shift is caused by the change in
 the internal structure of the mixed layers with
 time and the formation of local exciton states induced
 by isoelectronic Te atoms.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
Локальные экситонные состояния на изоэлектронных центрах в сверхрешетках
Local exciton states at isoelectronic centers in superlattices
Article
published earlier
spellingShingle Локальные экситонные состояния на изоэлектронных центрах в сверхрешетках
Бондарь, Н.В.
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
title Локальные экситонные состояния на изоэлектронных центрах в сверхрешетках
title_alt Local exciton states at isoelectronic centers in superlattices
title_full Локальные экситонные состояния на изоэлектронных центрах в сверхрешетках
title_fullStr Локальные экситонные состояния на изоэлектронных центрах в сверхрешетках
title_full_unstemmed Локальные экситонные состояния на изоэлектронных центрах в сверхрешетках
title_short Локальные экситонные состояния на изоэлектронных центрах в сверхрешетках
title_sort локальные экситонные состояния на изоэлектронных центрах в сверхрешетках
topic Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
topic_facet Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119466
work_keys_str_mv AT bondarʹnv lokalʹnyeéksitonnyesostoâniânaizoélektronnyhcentrahvsverhrešetkah
AT bondarʹnv localexcitonstatesatisoelectroniccentersinsuperlattices