Локальные экситонные состояния на изоэлектронных центрах в сверхрешетках

Проанализированы оптические спектры напряженных сверхрешеток второго типа ZnSe/ZnTe, как свежевыращенных, так и хранившихся в течение некоторого времени, с учетом образования на их гетерограницах смешанных слоев ZnSe1–xTex, имеющих кластерную структуру. Рассчитана зависимость энергии локализации...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика низких температур
Date:2004
Main Author: Бондарь, Н.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2004
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119466
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Локальные экситонные состояния на изоэлектронных центрах в сверхрешетках / Н.В. Бондарь // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 2. — С. 233-243. — Бібліогр.: 25 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-119466
record_format dspace
spelling Бондарь, Н.В.
2017-06-07T04:11:24Z
2017-06-07T04:11:24Z
2004
Локальные экситонные состояния на изоэлектронных центрах в сверхрешетках / Н.В. Бондарь // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 2. — С. 233-243. — Бібліогр.: 25 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 71.35.–y, 71.35.Cc
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119466
Проанализированы оптические спектры напряженных сверхрешеток второго типа ZnSe/ZnTe, как свежевыращенных, так и хранившихся в течение некоторого времени, с учетом образования на их гетерограницах смешанных слоев ZnSe1–xTex, имеющих кластерную структуру. Рассчитана зависимость энергии локализации дырок от радиуса кластеров атомов Te, которая хорошо согласуется с экспериментальными данными. В образцах, хранившихся в течение некоторого времени, обнаружено изменение формы и монотонное смещение полосы фотолюминесценции в коротковолновую сторону. Показано, что причина смещения связана с изменением внутренней структуры смешанных слоев со временем и образованием локальных состояний, наведенных изоэлектронными примесями (атомами Te).
Проаналізовано оптичні спектри напружених надграток другого типу ZnSe/ZnTe, як свіжовирощених, так і тих, що зберігалися на протязі деякого проміжку часу, з урахуванням утворення на їх гетеромежах змішаних шарів ZnSe1–xTex, які мають кластерну структуру. Розраховано залежність енергії локалізації дірок від радіуса кластерів атомів Te, яка добре погоджується з експериментальними даними. В зразках, які зберігалися на протязі деякого часу, виявлено зміну форми і монотонний зсув смуги фотолюмінесцеції в короткохвильовий бік. Показано, що причина цього зсуву пов’язана зі зміною внутрішньої структури змішаних шарів з часом і утворенням локальних станів, наведених ізоелектронними домішками (атомами Te).
The optical spectra of type-II strained ZnSe/ZnTe superlattices, both fresh-prepared and kept for some time, are analyzed with taking into account the formation of mixed ZnSe1-xTex layers, at their interfaces which have a cluster structure. The dependence of the hole localization energy on the radius of Te atom clusters is calculated, which is in good agreement with the experiment. The samples kept for some time display a change of the shape and a monotonous shift of the luminescence band to a high-energy edge. It is shown that the shift is caused by the change in the internal structure of the mixed layers with time and the formation of local exciton states induced by isoelectronic Te atoms.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
Локальные экситонные состояния на изоэлектронных центрах в сверхрешетках
Local exciton states at isoelectronic centers in superlattices
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Локальные экситонные состояния на изоэлектронных центрах в сверхрешетках
spellingShingle Локальные экситонные состояния на изоэлектронных центрах в сверхрешетках
Бондарь, Н.В.
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
title_short Локальные экситонные состояния на изоэлектронных центрах в сверхрешетках
title_full Локальные экситонные состояния на изоэлектронных центрах в сверхрешетках
title_fullStr Локальные экситонные состояния на изоэлектронных центрах в сверхрешетках
title_full_unstemmed Локальные экситонные состояния на изоэлектронных центрах в сверхрешетках
title_sort локальные экситонные состояния на изоэлектронных центрах в сверхрешетках
author Бондарь, Н.В.
author_facet Бондарь, Н.В.
topic Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
topic_facet Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
publishDate 2004
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Local exciton states at isoelectronic centers in superlattices
description Проанализированы оптические спектры напряженных сверхрешеток второго типа ZnSe/ZnTe, как свежевыращенных, так и хранившихся в течение некоторого времени, с учетом образования на их гетерограницах смешанных слоев ZnSe1–xTex, имеющих кластерную структуру. Рассчитана зависимость энергии локализации дырок от радиуса кластеров атомов Te, которая хорошо согласуется с экспериментальными данными. В образцах, хранившихся в течение некоторого времени, обнаружено изменение формы и монотонное смещение полосы фотолюминесценции в коротковолновую сторону. Показано, что причина смещения связана с изменением внутренней структуры смешанных слоев со временем и образованием локальных состояний, наведенных изоэлектронными примесями (атомами Te). Проаналізовано оптичні спектри напружених надграток другого типу ZnSe/ZnTe, як свіжовирощених, так і тих, що зберігалися на протязі деякого проміжку часу, з урахуванням утворення на їх гетеромежах змішаних шарів ZnSe1–xTex, які мають кластерну структуру. Розраховано залежність енергії локалізації дірок від радіуса кластерів атомів Te, яка добре погоджується з експериментальними даними. В зразках, які зберігалися на протязі деякого часу, виявлено зміну форми і монотонний зсув смуги фотолюмінесцеції в короткохвильовий бік. Показано, що причина цього зсуву пов’язана зі зміною внутрішньої структури змішаних шарів з часом і утворенням локальних станів, наведених ізоелектронними домішками (атомами Te). The optical spectra of type-II strained ZnSe/ZnTe superlattices, both fresh-prepared and kept for some time, are analyzed with taking into account the formation of mixed ZnSe1-xTex layers, at their interfaces which have a cluster structure. The dependence of the hole localization energy on the radius of Te atom clusters is calculated, which is in good agreement with the experiment. The samples kept for some time display a change of the shape and a monotonous shift of the luminescence band to a high-energy edge. It is shown that the shift is caused by the change in the internal structure of the mixed layers with time and the formation of local exciton states induced by isoelectronic Te atoms.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119466
citation_txt Локальные экситонные состояния на изоэлектронных центрах в сверхрешетках / Н.В. Бондарь // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 2. — С. 233-243. — Бібліогр.: 25 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT bondarʹnv lokalʹnyeéksitonnyesostoâniânaizoélektronnyhcentrahvsverhrešetkah
AT bondarʹnv localexcitonstatesatisoelectroniccentersinsuperlattices
first_indexed 2025-12-07T13:23:06Z
last_indexed 2025-12-07T13:23:06Z
_version_ 1850855954184142849