Нелинейный кондактанс квантового контакта, содержащего единичные дефекты

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 2004
• Автори: Авотина, Е.С., Колесниченко, Ю.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2004
• Теми: Электpонные свойства металлов и сплавов
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119467
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Нелинейный кондактанс квантового контакта, содержащего единичные дефекты / Е.С. Авотина, Ю.А. Колесниченко // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 2. — С. 209-216. — Бібліогр.: 22 назв. — рос.

Теоретически исследована проводимость квантового контакта, содержащего единичные точечные
 дефекты и потенциальный барьер. В рамках модели квантовой проволоки, соединяющей
 массивные берега, получена зависимость кондактанса G от приложенного напряжения U.
 Проанализировано соотношение нелинейных вкладов в кондактанс, которые связаны с интерференцией
 электронных волн, рассеянных дефектами, а также дефектами и барьером. Последний
 вклад становится преобладающим уже при весьма малых коэффициентах отражения электронов
 от барьера. Показано, что зависимость коэффициента прохождения T₁₂ от энергии
 электрона E объясняет наблюдавшееся экспериментально подавление осцилляций кондактанса
 G(U) при его абсолютном значении, близком к величине одного кванта G₀=2e² /h. Conductance of a quantum contact containing
 single point defects and a potential barrier
 has been investigated theoretically. The model of
 quantum wire connecting massive banks is used
 to derive the dependence of conductance G on
 applied bias U. We analyze nonlinear contributions
 to the conductance which are due to the interference
 of electron waves, scattered by defects
 or by defects and the barrier. The latter contribution
 becomes dominant for a relatively small
 reflection coefficient of electrons from the barrier.
 It is shown that the dependence of transmission
 coefficient on electron energy T₁₂ (E) explains
 the experimentally observed suppression
 of the conductance oscillations GU (U), if its absolute
 value is close to the value of the quantum
 G₀=2e² /h. Теоретично досліджено провідність квантового контакту, який містить одиничні точкові дефекти
 та потенційний бар’єр. У рамках моделі квантового дроту, що з’єднує масивні береги,
 отримано залежність кондактансу G від прикладеної напруги U. Проаналізовано співвідношення
 нелінійних вкладів у кондактанс, які пов’язані з інтерференцією електронних хвиль, які
 розсіюються дефектами, а також дефектами та бар’єром. Останній вклад стає переважним вже
 при доволі малих коефіцієнтах віддзеркалення електронів від бар’єру. Показано, що залежн
 ість коефіцієнта проходження T₁₂ від енергії електрона E пояснює пригнічення осциляцій
 кондактансу GU (U), яке спостерігалося експериментально, при його абсолютному значенні,
 близькому до величини одного кванту G₀=2e² /h .