Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 2014
• Автори: Алисултанов, З.З., Мирзегасанова, Н.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2014
• Теми: Наноструктуры при низких температурах
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119499
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке / З.З. Алисултанов, Н.А. Мирзегасанова // Физика низких температур. — 2014. — Т. 40, № 5. — С. 590-594. — Бібліогр.: 35 назв. — рос.

В рамках модели Давыдова рассмотрен термоэлектрический эффект в эпитаксиальном графене, сформированном на поверхности размерно-квантованной металлической пленки. Используется подход, основанный на формуле Кубо для проводимости и дифференциальной термоэдс. Показано, что вблизи краев энергетических уровней, вызванных размерным квантованием, термоэдс эпитаксиального графена возрастает до гигантских значений 200 мкВ·К⁻¹, что почти в семь раз больше термоэдс изолированного графена (около 30 мкВ·К⁻¹). У рамках моделі Давидова розглянуто термоелектричний ефект в епітаксійному графені, який сформован на поверхні розмірно-квантованої металічної плівки. Використовано підхід, побудований на формулі Кубо для провідності та диференціальної термоерс. Показано, що поблизу енергетичних рівнів, викликаних розмірним квантуванням, термоерс епітаксійного графена зростає до велетенських значень 200 мкВ⋅К⁻¹, що майже у сім разів більше ніж термоерс ізольованого графена (близько 30 мкВ⋅К⁻¹). The thermoelectric effect in epitaxial graphene formed on the surface of a size-quantized a metallic film is considered in the context of the Davydov model. The approach based on the Kubо formula for conductivity and thermoelectric coefficient is used. It is shown that near the energy levels of size quantization, the thermopower of epitaxial графене increases to a giant value of 200 μV·K⁻¹, which is almost seven times higher than the thermoelectric power of isolated graphene (about 30 μV·K⁻¹).