Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке

В рамках модели Давыдова рассмотрен термоэлектрический эффект в эпитаксиальном графене, сформированном на поверхности размерно-квантованной металлической пленки. Используется подход, основанный на формуле Кубо для проводимости и дифференциальной термоэдс. Показано, что вблизи краев энергетических ур...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:2014
Hauptverfasser: Алисултанов, З.З., Мирзегасанова, Н.А.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2014
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119499
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке / З.З. Алисултанов, Н.А. Мирзегасанова // Физика низких температур. — 2014. — Т. 40, № 5. — С. 590-594. — Бібліогр.: 35 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-119499
record_format dspace
spelling Алисултанов, З.З.
Мирзегасанова, Н.А.
2017-06-07T05:46:25Z
2017-06-07T05:46:25Z
2014
Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке / З.З. Алисултанов, Н.А. Мирзегасанова // Физика низких температур. — 2014. — Т. 40, № 5. — С. 590-594. — Бібліогр.: 35 назв. — рос.
0132-6414
PACS 68.43.–h, 72.80.Vp, 65.80.Ck
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119499
В рамках модели Давыдова рассмотрен термоэлектрический эффект в эпитаксиальном графене, сформированном на поверхности размерно-квантованной металлической пленки. Используется подход, основанный на формуле Кубо для проводимости и дифференциальной термоэдс. Показано, что вблизи краев энергетических уровней, вызванных размерным квантованием, термоэдс эпитаксиального графена возрастает до гигантских значений 200 мкВ·К⁻¹, что почти в семь раз больше термоэдс изолированного графена (около 30 мкВ·К⁻¹).
У рамках моделі Давидова розглянуто термоелектричний ефект в епітаксійному графені, який сформован на поверхні розмірно-квантованої металічної плівки. Використовано підхід, побудований на формулі Кубо для провідності та диференціальної термоерс. Показано, що поблизу енергетичних рівнів, викликаних розмірним квантуванням, термоерс епітаксійного графена зростає до велетенських значень 200 мкВ⋅К⁻¹, що майже у сім разів більше ніж термоерс ізольованого графена (близько 30 мкВ⋅К⁻¹).
The thermoelectric effect in epitaxial graphene formed on the surface of a size-quantized a metallic film is considered in the context of the Davydov model. The approach based on the Kubо formula for conductivity and thermoelectric coefficient is used. It is shown that near the energy levels of size quantization, the thermopower of epitaxial графене increases to a giant value of 200 μV·K⁻¹, which is almost seven times higher than the thermoelectric power of isolated graphene (about 30 μV·K⁻¹).
А.З.З. выражает благодарность С.Г. Шарапову за полезные ссылки. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 13-02-90746 мол_рф_нр.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Наноструктуры при низких температурах
Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке
Anormalous growth of thermopower in epitaxial graphene on a size-quantized film
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке
spellingShingle Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке
Алисултанов, З.З.
Мирзегасанова, Н.А.
Наноструктуры при низких температурах
title_short Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке
title_full Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке
title_fullStr Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке
title_full_unstemmed Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке
title_sort аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке
author Алисултанов, З.З.
Мирзегасанова, Н.А.
author_facet Алисултанов, З.З.
Мирзегасанова, Н.А.
topic Наноструктуры при низких температурах
topic_facet Наноструктуры при низких температурах
publishDate 2014
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Anormalous growth of thermopower in epitaxial graphene on a size-quantized film
description В рамках модели Давыдова рассмотрен термоэлектрический эффект в эпитаксиальном графене, сформированном на поверхности размерно-квантованной металлической пленки. Используется подход, основанный на формуле Кубо для проводимости и дифференциальной термоэдс. Показано, что вблизи краев энергетических уровней, вызванных размерным квантованием, термоэдс эпитаксиального графена возрастает до гигантских значений 200 мкВ·К⁻¹, что почти в семь раз больше термоэдс изолированного графена (около 30 мкВ·К⁻¹). У рамках моделі Давидова розглянуто термоелектричний ефект в епітаксійному графені, який сформован на поверхні розмірно-квантованої металічної плівки. Використовано підхід, побудований на формулі Кубо для провідності та диференціальної термоерс. Показано, що поблизу енергетичних рівнів, викликаних розмірним квантуванням, термоерс епітаксійного графена зростає до велетенських значень 200 мкВ⋅К⁻¹, що майже у сім разів більше ніж термоерс ізольованого графена (близько 30 мкВ⋅К⁻¹). The thermoelectric effect in epitaxial graphene formed on the surface of a size-quantized a metallic film is considered in the context of the Davydov model. The approach based on the Kubо formula for conductivity and thermoelectric coefficient is used. It is shown that near the energy levels of size quantization, the thermopower of epitaxial графене increases to a giant value of 200 μV·K⁻¹, which is almost seven times higher than the thermoelectric power of isolated graphene (about 30 μV·K⁻¹).
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119499
citation_txt Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке / З.З. Алисултанов, Н.А. Мирзегасанова // Физика низких температур. — 2014. — Т. 40, № 5. — С. 590-594. — Бібліогр.: 35 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT alisultanovzz anomalʹnyirosttermoédsvépitaksialʹnomgrafenenarazmernokvantovannoiplenke
AT mirzegasanovana anomalʹnyirosttermoédsvépitaksialʹnomgrafenenarazmernokvantovannoiplenke
AT alisultanovzz anormalousgrowthofthermopowerinepitaxialgrapheneonasizequantizedfilm
AT mirzegasanovana anormalousgrowthofthermopowerinepitaxialgrapheneonasizequantizedfilm
first_indexed 2025-12-01T03:33:36Z
last_indexed 2025-12-01T03:33:36Z
_version_ 1850859166237720576