Структурные и высокочастотные резистивные характеристики MgB₂ в диапазоне частот 0–110 МГц и интервале температур 5–300 К
В интервале температур 5–300 К определены структура и удельное электросопротивление
 поликристаллического MgB₂. В этом же интервале температур исследован его импеданс для
 частот 9–110 МГц. Показано, что во всем температурном интервале тип решетки и симметрия
 сверхпроводящей...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 2004 |
| Main Authors: | , , , , , , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2004
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119506 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Структурные и высокочастотные резистивные характеристики MgB₂ в диапазоне частот 0–110 МГц и интервале температур 5–300 К / В.М. Дмитриев, Н.Н. Пренцлау, В.Н. Баумер, Н.Н. Гальцов, Л.А. Ищенко, А.И. Прохватилов, М.А. Стржемечный, А.В. Терехов, А.И. Быков, В.И. Ляшенко, Ю.Б. Падерно, В.Н. Падерно // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 4. — С. 385-394. — Бібліогр.: 35 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862687690300850176 |
|---|---|
| author | Дмитриев, В.М. Пренцлау, Н.Н. Баумер, В.Н. Гальцов, Н.Н. Ищенко, Л.А. Прохватилов, А.И. Стржемечный, М.А. Терехов, А.В. Быков, А.И. Ляшенко, В.И. Падерно, Ю.Б. Падерно, В.Н. |
| author_facet | Дмитриев, В.М. Пренцлау, Н.Н. Баумер, В.Н. Гальцов, Н.Н. Ищенко, Л.А. Прохватилов, А.И. Стржемечный, М.А. Терехов, А.В. Быков, А.И. Ляшенко, В.И. Падерно, Ю.Б. Падерно, В.Н. |
| citation_txt | Структурные и высокочастотные резистивные характеристики MgB₂ в диапазоне частот 0–110 МГц и интервале температур 5–300 К / В.М. Дмитриев, Н.Н. Пренцлау, В.Н. Баумер, Н.Н. Гальцов, Л.А. Ищенко, А.И. Прохватилов, М.А. Стржемечный, А.В. Терехов, А.И. Быков, В.И. Ляшенко, Ю.Б. Падерно, В.Н. Падерно // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 4. — С. 385-394. — Бібліогр.: 35 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | В интервале температур 5–300 К определены структура и удельное электросопротивление
поликристаллического MgB₂. В этом же интервале температур исследован его импеданс для
частот 9–110 МГц. Показано, что во всем температурном интервале тип решетки и симметрия
сверхпроводящей фазы MgB₂ остаются неизменными. В области температуры сверхпроводящего
перехода Tc = 39,5 К наблюдается структурная неустойчивость, которая сопровождается
разбросом измеряемых параметров решетки. Сделан вывод о существенно анизотропном характере
деформации кристаллов при изменении температуры. При измерениях температурной и
частотной зависимостей поверхностного сопротивления Rs(T,f) в сверхпроводящем состоянии
обнаружен переход от пиппардовского нелокального предела при Т << Тc к лондоновскому локальному
пределу вблизи Тc. При Т/Тc < 0,76 величина Rs (Т) хорошо описывается экспоненциальной
зависимостью exp (–∆(Т)/kТ) в соответствии с теорией БКШ.
В інтервалі температур 5–300 К визначено структуру та питомий опір полікристалічного
MgB₂. В цьому ж інтервалі темпуратур досліджено його імпеданс для частот 9–110 МГц. Показано,
що у всьому температурному інтервалі тип гратки та симетрія надпровідної фази MgB₂
залишаються незмінними. В зоні температури надпровідного переходу Тс = 39,5 К спостер
ігається структурна нестійкість, яка супроводжується розкиданням вимірюванних параметр
ів гратки. Зроблено висновок про суттєво анізотропний характер деформації кристалів
при зміні температури. При вимірюванні температурної та частотної залежностей поверхневого
опору Rs(T,f) в надпровідному стані виявлено перехід від піппардівської нелокальної межі
при Т << Тc до лондонівської локальної межі поблизу Тс. При T/Tc < 0,76 величина Rs(T)
добре описується експоненційною залежністю exp (–∆(T)/kT) згідно з теорією БКШ.
The structure and electrical resistivity of
polycrystalline MgB₂ are investigated in the interval
5–300 K. Its impedance is investigated in
the same temperature range in the frequency region
9–110 MHz. It is shown that the lattice
type and the superconducting-phase symmetry of
MgB₂ are invariant in the whole temperature interval.
In the region of superconducting transition
temperature Tc = 39.5 K, a structural instability
is observed, which is accompanied by a
scatter in the lattice parameters measured. It is
suggested that the crystal deformation with
varying temperature is significantly anisotropic.
The measurements of the temperature and frequency
dependences of the surface resistance
Rs(T,f) in the superconducting state have revealed
a transition from the Pippard nonlocal
limit at T << Tc to a London local one near Tc.
At T/Tc < 0.76, Rs(T) is well described by the
exponential dependence exp (–∆(T)/kT) in accordance
with the BCS theory.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:07:04Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-119506 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:07:04Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Дмитриев, В.М. Пренцлау, Н.Н. Баумер, В.Н. Гальцов, Н.Н. Ищенко, Л.А. Прохватилов, А.И. Стржемечный, М.А. Терехов, А.В. Быков, А.И. Ляшенко, В.И. Падерно, Ю.Б. Падерно, В.Н. 2017-06-07T07:12:04Z 2017-06-07T07:12:04Z 2004 Структурные и высокочастотные резистивные характеристики MgB₂ в диапазоне частот 0–110 МГц и интервале температур 5–300 К / В.М. Дмитриев, Н.Н. Пренцлау, В.Н. Баумер, Н.Н. Гальцов, Л.А. Ищенко, А.И. Прохватилов, М.А. Стржемечный, А.В. Терехов, А.И. Быков, В.И. Ляшенко, Ю.Б. Падерно, В.Н. Падерно // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 4. — С. 385-394. — Бібліогр.: 35 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 74.70.Ad, 74.25.Fy, 74.25.Nf https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119506 В интервале температур 5–300 К определены структура и удельное электросопротивление
 поликристаллического MgB₂. В этом же интервале температур исследован его импеданс для
 частот 9–110 МГц. Показано, что во всем температурном интервале тип решетки и симметрия
 сверхпроводящей фазы MgB₂ остаются неизменными. В области температуры сверхпроводящего
 перехода Tc = 39,5 К наблюдается структурная неустойчивость, которая сопровождается
 разбросом измеряемых параметров решетки. Сделан вывод о существенно анизотропном характере
 деформации кристаллов при изменении температуры. При измерениях температурной и
 частотной зависимостей поверхностного сопротивления Rs(T,f) в сверхпроводящем состоянии
 обнаружен переход от пиппардовского нелокального предела при Т << Тc к лондоновскому локальному
 пределу вблизи Тc. При Т/Тc < 0,76 величина Rs (Т) хорошо описывается экспоненциальной
 зависимостью exp (–∆(Т)/kТ) в соответствии с теорией БКШ. В інтервалі температур 5–300 К визначено структуру та питомий опір полікристалічного
 MgB₂. В цьому ж інтервалі темпуратур досліджено його імпеданс для частот 9–110 МГц. Показано,
 що у всьому температурному інтервалі тип гратки та симетрія надпровідної фази MgB₂
 залишаються незмінними. В зоні температури надпровідного переходу Тс = 39,5 К спостер
 ігається структурна нестійкість, яка супроводжується розкиданням вимірюванних параметр
 ів гратки. Зроблено висновок про суттєво анізотропний характер деформації кристалів
 при зміні температури. При вимірюванні температурної та частотної залежностей поверхневого
 опору Rs(T,f) в надпровідному стані виявлено перехід від піппардівської нелокальної межі
 при Т << Тc до лондонівської локальної межі поблизу Тс. При T/Tc < 0,76 величина Rs(T)
 добре описується експоненційною залежністю exp (–∆(T)/kT) згідно з теорією БКШ. The structure and electrical resistivity of
 polycrystalline MgB₂ are investigated in the interval
 5–300 K. Its impedance is investigated in
 the same temperature range in the frequency region
 9–110 MHz. It is shown that the lattice
 type and the superconducting-phase symmetry of
 MgB₂ are invariant in the whole temperature interval.
 In the region of superconducting transition
 temperature Tc = 39.5 K, a structural instability
 is observed, which is accompanied by a
 scatter in the lattice parameters measured. It is
 suggested that the crystal deformation with
 varying temperature is significantly anisotropic.
 The measurements of the temperature and frequency
 dependences of the surface resistance
 Rs(T,f) in the superconducting state have revealed
 a transition from the Pippard nonlocal
 limit at T << Tc to a London local one near Tc.
 At T/Tc < 0.76, Rs(T) is well described by the
 exponential dependence exp (–∆(T)/kT) in accordance
 with the BCS theory. Авторы благодарны Ю.Г. Найдюку за полезные
 обсуждения и замечания. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Структурные и высокочастотные резистивные характеристики MgB₂ в диапазоне частот 0–110 МГц и интервале температур 5–300 К Structural and high-frequency resistive characteristics of MgB₂ in the range 0–110 MHz at 5–300 K Article published earlier |
| spellingShingle | Структурные и высокочастотные резистивные характеристики MgB₂ в диапазоне частот 0–110 МГц и интервале температур 5–300 К Дмитриев, В.М. Пренцлау, Н.Н. Баумер, В.Н. Гальцов, Н.Н. Ищенко, Л.А. Прохватилов, А.И. Стржемечный, М.А. Терехов, А.В. Быков, А.И. Ляшенко, В.И. Падерно, Ю.Б. Падерно, В.Н. Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная |
| title | Структурные и высокочастотные резистивные характеристики MgB₂ в диапазоне частот 0–110 МГц и интервале температур 5–300 К |
| title_alt | Structural and high-frequency resistive characteristics of MgB₂ in the range 0–110 MHz at 5–300 K |
| title_full | Структурные и высокочастотные резистивные характеристики MgB₂ в диапазоне частот 0–110 МГц и интервале температур 5–300 К |
| title_fullStr | Структурные и высокочастотные резистивные характеристики MgB₂ в диапазоне частот 0–110 МГц и интервале температур 5–300 К |
| title_full_unstemmed | Структурные и высокочастотные резистивные характеристики MgB₂ в диапазоне частот 0–110 МГц и интервале температур 5–300 К |
| title_short | Структурные и высокочастотные резистивные характеристики MgB₂ в диапазоне частот 0–110 МГц и интервале температур 5–300 К |
| title_sort | структурные и высокочастотные резистивные характеристики mgb₂ в диапазоне частот 0–110 мгц и интервале температур 5–300 к |
| topic | Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная |
| topic_facet | Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119506 |
| work_keys_str_mv | AT dmitrievvm strukturnyeivysokočastotnyerezistivnyeharakteristikimgb2vdiapazonečastot0110mgciintervaletemperatur5300k AT prenclaunn strukturnyeivysokočastotnyerezistivnyeharakteristikimgb2vdiapazonečastot0110mgciintervaletemperatur5300k AT baumervn strukturnyeivysokočastotnyerezistivnyeharakteristikimgb2vdiapazonečastot0110mgciintervaletemperatur5300k AT galʹcovnn strukturnyeivysokočastotnyerezistivnyeharakteristikimgb2vdiapazonečastot0110mgciintervaletemperatur5300k AT iŝenkola strukturnyeivysokočastotnyerezistivnyeharakteristikimgb2vdiapazonečastot0110mgciintervaletemperatur5300k AT prohvatilovai strukturnyeivysokočastotnyerezistivnyeharakteristikimgb2vdiapazonečastot0110mgciintervaletemperatur5300k AT stržemečnyima strukturnyeivysokočastotnyerezistivnyeharakteristikimgb2vdiapazonečastot0110mgciintervaletemperatur5300k AT terehovav strukturnyeivysokočastotnyerezistivnyeharakteristikimgb2vdiapazonečastot0110mgciintervaletemperatur5300k AT bykovai strukturnyeivysokočastotnyerezistivnyeharakteristikimgb2vdiapazonečastot0110mgciintervaletemperatur5300k AT lâšenkovi strukturnyeivysokočastotnyerezistivnyeharakteristikimgb2vdiapazonečastot0110mgciintervaletemperatur5300k AT padernoûb strukturnyeivysokočastotnyerezistivnyeharakteristikimgb2vdiapazonečastot0110mgciintervaletemperatur5300k AT padernovn strukturnyeivysokočastotnyerezistivnyeharakteristikimgb2vdiapazonečastot0110mgciintervaletemperatur5300k AT dmitrievvm structuralandhighfrequencyresistivecharacteristicsofmgb2intherange0110mhzat5300k AT prenclaunn structuralandhighfrequencyresistivecharacteristicsofmgb2intherange0110mhzat5300k AT baumervn structuralandhighfrequencyresistivecharacteristicsofmgb2intherange0110mhzat5300k AT galʹcovnn structuralandhighfrequencyresistivecharacteristicsofmgb2intherange0110mhzat5300k AT iŝenkola structuralandhighfrequencyresistivecharacteristicsofmgb2intherange0110mhzat5300k AT prohvatilovai structuralandhighfrequencyresistivecharacteristicsofmgb2intherange0110mhzat5300k AT stržemečnyima structuralandhighfrequencyresistivecharacteristicsofmgb2intherange0110mhzat5300k AT terehovav structuralandhighfrequencyresistivecharacteristicsofmgb2intherange0110mhzat5300k AT bykovai structuralandhighfrequencyresistivecharacteristicsofmgb2intherange0110mhzat5300k AT lâšenkovi structuralandhighfrequencyresistivecharacteristicsofmgb2intherange0110mhzat5300k AT padernoûb structuralandhighfrequencyresistivecharacteristicsofmgb2intherange0110mhzat5300k AT padernovn structuralandhighfrequencyresistivecharacteristicsofmgb2intherange0110mhzat5300k |