Дефектность структуры, фазовые переходы и свойства магниторезистивной керамики и пленки La₀,₆₆Mn₁,₂₃V(c) ₀,₁₁O²⁻₂,₈₄V(a)₀,₁₆
В результате рентгеноструктурных, резистивных, ЯМР и магниторезистивных исследований
 керамических и тонкопленочных лазерных перовскитов La₀,₇Mn₁,₃O₃ с «избыточным» марганцем
 установлено, что их реальная структура содержит разновалентные ионы марганца, катионные,
 анионн...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2004 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2004
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119510 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Дефектность структуры, фазовые переходы и свойства магниторезистивной керамики и пленки La₀,₆₆Mn₁,₂₃V(c) ₀,₁₁O²⁻₂,₈₄V(a)₀,₁₆ / 
 В.П. Пащенко, G. Kakazei, А.А. Шемяков, А.В. Пащенко, Л.Т. Цымбал, В.П. Дьяконов, H. Szymczak, J.A.M. Santos, J.B. Sousa // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 4. — С. 403-410. — Бібліогр.: 40 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862744778771267584 |
|---|---|
| author | Пащенко, В.П. Kakazei, G. Шемяков, А.А. Пащенко, А.В. Цымбал, Л.Т. Дьяконов, В.П. Szymczak, H. Santos, J.A.M. Sousa, J.B. |
| author_facet | Пащенко, В.П. Kakazei, G. Шемяков, А.А. Пащенко, А.В. Цымбал, Л.Т. Дьяконов, В.П. Szymczak, H. Santos, J.A.M. Sousa, J.B. |
| citation_txt | Дефектность структуры, фазовые переходы и свойства магниторезистивной керамики и пленки La₀,₆₆Mn₁,₂₃V(c) ₀,₁₁O²⁻₂,₈₄V(a)₀,₁₆ / 
 В.П. Пащенко, G. Kakazei, А.А. Шемяков, А.В. Пащенко, Л.Т. Цымбал, В.П. Дьяконов, H. Szymczak, J.A.M. Santos, J.B. Sousa // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 4. — С. 403-410. — Бібліогр.: 40 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | В результате рентгеноструктурных, резистивных, ЯМР и магниторезистивных исследований
керамических и тонкопленочных лазерных перовскитов La₀,₇Mn₁,₃O₃ с «избыточным» марганцем
установлено, что их реальная структура содержит разновалентные ионы марганца, катионные,
анионные вакансии и кластеры, магнетизм и резистивность последних проявлялись вблизи 42 К.
Широкие асимметричные спектры ЯМР ⁵⁵Mn и ¹³⁹La керамики свидетельствуют о высокочастотном
электронно-дырочном обмене между разновалентными ионами марганца, о высокой дефектности и
мезоскопической неоднородности нестехиометрических манганит-лантановых перовскитов. Различия
температур фазовых переходов металл—полупроводник и энергии активации керамики и пленок
объяснены различной кислородной нестехиометрией, дефектностью структуры и, соответственно,
концентрацией носителей заряда и экситонов. Низкополевой магниторезистивный эффект
керамики объяснен туннелированием на межзеренных границах. Сделано предположение, что
уменьшение сопротивления в магнитном поле обусловлено увеличением концентрации носителей
заряда за счет ослабления электронно-дырочного взаимодействия в экситонах. Обнаруженная аномалия
сопротивления и магниторезистивного эффекта вблизи 42 К объяснена наличием кластеров.
В результаті рентгеноструктурних, резистивних, ЯМР та магнiторезистивних досліджень
керамічних і тонкоплiвочних лазерних перовскитiв La₀,₇Mn₁,₃O₃ із «надлишковим» марганцем
встановлено, що їхня реальна структура містить рiзновалентнi іони марганцю, катіонні, аніонні вакансії й кластери, магнетизм та резистивнiсть останніх проявилися поблизу 42 К. Широкі асиметричн
і спектри ЯМР ⁵⁵Mn и ¹³⁹La кераміки свідчать про високочастотний електронно-дiрковий
обмін між рiзновалентними іонами марганцю, про високу дефектність і мезоскопiчну неоднорідність
нестехіометричних манганіт-лантанових перовскитiв. Розходження температур фазових переходів
метал—напівпровідник та енергії активації кераміки й плівок пояснено різною кисневою нестехіометрією, дефектністю структури та, відповідно, концентрацією носіїв заряду і екситонiв.
Низькопольовий магнiторезистивний ефект кераміки пояснений тунелюванням на мiжзеренних межах.
Зроблено припущення, що зменшення опору в магнітному полі обумовлено збільшенням концентрац
ії носіїв заряду за рахунок ослаблення електронно-дiркової взаємодії у екситонах. Виявлена
аномалія опору і магнiторезистивного ефекту поблизу 42 К пояснена наявністю кластерів.
The x-ray, resistive, NMR and magnetoresistive
investigations have established that the
real structure of ceramic and laser thin-film
perovskites La₀,₇Mn₁,₃O₃ with «excess» manganese
contains the manganese ions of different valency,
cation and anion vacancies and clusters,
the magnetism and resistance of the latter developing
near 42 K. The broad asymmetric⁵⁵Mn and ¹³⁹La NMR spectra of the ceramics are indicative
of a high-frequency electron-hole exchange
between the ions of manganese with different
valencies, of a high content of defects and
a mesoscopic inhomogeneity of the nonstoichiometric
La0.7Mn1.3O3 perovskites. The differences
in the «metal-semiconductor» phase transition
temperatures and activation energies of the
ceramic and film samples are explained by the
differences in the oxygen nonstoichiometry, the
structure defects and, hence, charge carrier and
exciton concentration. The low-field magnetoresistance
effect of the ceramics is accounted for
by the tunneling at the intergrain boundaries. It
is assumed that the reduction of resistance in
magnetic field is due to the increase in charge
carrier concentration at the expense of the weakening
of the electron-hole interaction in the
excitons. The observed anomaly of the resistance
and magnetoresistance effect near 42 K is attributed
to the presence of clusters.
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:36:39Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-119510 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T20:36:39Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Пащенко, В.П. Kakazei, G. Шемяков, А.А. Пащенко, А.В. Цымбал, Л.Т. Дьяконов, В.П. Szymczak, H. Santos, J.A.M. Sousa, J.B. 2017-06-07T07:34:15Z 2017-06-07T07:34:15Z 2004 Дефектность структуры, фазовые переходы и свойства магниторезистивной керамики и пленки La₀,₆₆Mn₁,₂₃V(c) ₀,₁₁O²⁻₂,₈₄V(a)₀,₁₆ / 
 В.П. Пащенко, G. Kakazei, А.А. Шемяков, А.В. Пащенко, Л.Т. Цымбал, В.П. Дьяконов, H. Szymczak, J.A.M. Santos, J.B. Sousa // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 4. — С. 403-410. — Бібліогр.: 40 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 72.20.My, 75.50.Pp, 76.60.–k https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119510 В результате рентгеноструктурных, резистивных, ЯМР и магниторезистивных исследований
 керамических и тонкопленочных лазерных перовскитов La₀,₇Mn₁,₃O₃ с «избыточным» марганцем
 установлено, что их реальная структура содержит разновалентные ионы марганца, катионные,
 анионные вакансии и кластеры, магнетизм и резистивность последних проявлялись вблизи 42 К.
 Широкие асимметричные спектры ЯМР ⁵⁵Mn и ¹³⁹La керамики свидетельствуют о высокочастотном
 электронно-дырочном обмене между разновалентными ионами марганца, о высокой дефектности и
 мезоскопической неоднородности нестехиометрических манганит-лантановых перовскитов. Различия
 температур фазовых переходов металл—полупроводник и энергии активации керамики и пленок
 объяснены различной кислородной нестехиометрией, дефектностью структуры и, соответственно,
 концентрацией носителей заряда и экситонов. Низкополевой магниторезистивный эффект
 керамики объяснен туннелированием на межзеренных границах. Сделано предположение, что
 уменьшение сопротивления в магнитном поле обусловлено увеличением концентрации носителей
 заряда за счет ослабления электронно-дырочного взаимодействия в экситонах. Обнаруженная аномалия
 сопротивления и магниторезистивного эффекта вблизи 42 К объяснена наличием кластеров. В результаті рентгеноструктурних, резистивних, ЯМР та магнiторезистивних досліджень
 керамічних і тонкоплiвочних лазерних перовскитiв La₀,₇Mn₁,₃O₃ із «надлишковим» марганцем
 встановлено, що їхня реальна структура містить рiзновалентнi іони марганцю, катіонні, аніонні вакансії й кластери, магнетизм та резистивнiсть останніх проявилися поблизу 42 К. Широкі асиметричн
 і спектри ЯМР ⁵⁵Mn и ¹³⁹La кераміки свідчать про високочастотний електронно-дiрковий
 обмін між рiзновалентними іонами марганцю, про високу дефектність і мезоскопiчну неоднорідність
 нестехіометричних манганіт-лантанових перовскитiв. Розходження температур фазових переходів
 метал—напівпровідник та енергії активації кераміки й плівок пояснено різною кисневою нестехіометрією, дефектністю структури та, відповідно, концентрацією носіїв заряду і екситонiв.
 Низькопольовий магнiторезистивний ефект кераміки пояснений тунелюванням на мiжзеренних межах.
 Зроблено припущення, що зменшення опору в магнітному полі обумовлено збільшенням концентрац
 ії носіїв заряду за рахунок ослаблення електронно-дiркової взаємодії у екситонах. Виявлена
 аномалія опору і магнiторезистивного ефекту поблизу 42 К пояснена наявністю кластерів. The x-ray, resistive, NMR and magnetoresistive
 investigations have established that the
 real structure of ceramic and laser thin-film
 perovskites La₀,₇Mn₁,₃O₃ with «excess» manganese
 contains the manganese ions of different valency,
 cation and anion vacancies and clusters,
 the magnetism and resistance of the latter developing
 near 42 K. The broad asymmetric⁵⁵Mn and ¹³⁹La NMR spectra of the ceramics are indicative
 of a high-frequency electron-hole exchange
 between the ions of manganese with different
 valencies, of a high content of defects and
 a mesoscopic inhomogeneity of the nonstoichiometric
 La0.7Mn1.3O3 perovskites. The differences
 in the «metal-semiconductor» phase transition
 temperatures and activation energies of the
 ceramic and film samples are explained by the
 differences in the oxygen nonstoichiometry, the
 structure defects and, hence, charge carrier and
 exciton concentration. The low-field magnetoresistance
 effect of the ceramics is accounted for
 by the tunneling at the intergrain boundaries. It
 is assumed that the reduction of resistance in
 magnetic field is due to the increase in charge
 carrier concentration at the expense of the weakening
 of the electron-hole interaction in the
 excitons. The observed anomaly of the resistance
 and magnetoresistance effect near 42 K is attributed
 to the presence of clusters. Выражаем благодарность М.М.
 Савосте за исследования ЯМР на 139La и А.В. Климову
 за напыление лазерной пленки.
 Работа частично поддержана грантом правительства
 Польши (KBN) No. 1 PO3B 025 26.410. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Низкотемпеpатуpный магнетизм Дефектность структуры, фазовые переходы и свойства магниторезистивной керамики и пленки La₀,₆₆Mn₁,₂₃V(c) ₀,₁₁O²⁻₂,₈₄V(a)₀,₁₆ Structure imperfection, phase transitions and properties of the magnetoresistive ceramics and films La₀,₆₆Mn₁,₂₃V(c) ₀,₁₁O²⁻₂,₈₄V(a)₀,₁₆ Article published earlier |
| spellingShingle | Дефектность структуры, фазовые переходы и свойства магниторезистивной керамики и пленки La₀,₆₆Mn₁,₂₃V(c) ₀,₁₁O²⁻₂,₈₄V(a)₀,₁₆ Пащенко, В.П. Kakazei, G. Шемяков, А.А. Пащенко, А.В. Цымбал, Л.Т. Дьяконов, В.П. Szymczak, H. Santos, J.A.M. Sousa, J.B. Низкотемпеpатуpный магнетизм |
| title | Дефектность структуры, фазовые переходы и свойства магниторезистивной керамики и пленки La₀,₆₆Mn₁,₂₃V(c) ₀,₁₁O²⁻₂,₈₄V(a)₀,₁₆ |
| title_alt | Structure imperfection, phase transitions and properties of the magnetoresistive ceramics and films La₀,₆₆Mn₁,₂₃V(c) ₀,₁₁O²⁻₂,₈₄V(a)₀,₁₆ |
| title_full | Дефектность структуры, фазовые переходы и свойства магниторезистивной керамики и пленки La₀,₆₆Mn₁,₂₃V(c) ₀,₁₁O²⁻₂,₈₄V(a)₀,₁₆ |
| title_fullStr | Дефектность структуры, фазовые переходы и свойства магниторезистивной керамики и пленки La₀,₆₆Mn₁,₂₃V(c) ₀,₁₁O²⁻₂,₈₄V(a)₀,₁₆ |
| title_full_unstemmed | Дефектность структуры, фазовые переходы и свойства магниторезистивной керамики и пленки La₀,₆₆Mn₁,₂₃V(c) ₀,₁₁O²⁻₂,₈₄V(a)₀,₁₆ |
| title_short | Дефектность структуры, фазовые переходы и свойства магниторезистивной керамики и пленки La₀,₆₆Mn₁,₂₃V(c) ₀,₁₁O²⁻₂,₈₄V(a)₀,₁₆ |
| title_sort | дефектность структуры, фазовые переходы и свойства магниторезистивной керамики и пленки la₀,₆₆mn₁,₂₃v(c) ₀,₁₁o²⁻₂,₈₄v(a)₀,₁₆ |
| topic | Низкотемпеpатуpный магнетизм |
| topic_facet | Низкотемпеpатуpный магнетизм |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119510 |
| work_keys_str_mv | AT paŝenkovp defektnostʹstrukturyfazovyeperehodyisvoistvamagnitorezistivnoikeramikiiplenkila066mn123vc011o2284va016 AT kakazeig defektnostʹstrukturyfazovyeperehodyisvoistvamagnitorezistivnoikeramikiiplenkila066mn123vc011o2284va016 AT šemâkovaa defektnostʹstrukturyfazovyeperehodyisvoistvamagnitorezistivnoikeramikiiplenkila066mn123vc011o2284va016 AT paŝenkoav defektnostʹstrukturyfazovyeperehodyisvoistvamagnitorezistivnoikeramikiiplenkila066mn123vc011o2284va016 AT cymballt defektnostʹstrukturyfazovyeperehodyisvoistvamagnitorezistivnoikeramikiiplenkila066mn123vc011o2284va016 AT dʹâkonovvp defektnostʹstrukturyfazovyeperehodyisvoistvamagnitorezistivnoikeramikiiplenkila066mn123vc011o2284va016 AT szymczakh defektnostʹstrukturyfazovyeperehodyisvoistvamagnitorezistivnoikeramikiiplenkila066mn123vc011o2284va016 AT santosjam defektnostʹstrukturyfazovyeperehodyisvoistvamagnitorezistivnoikeramikiiplenkila066mn123vc011o2284va016 AT sousajb defektnostʹstrukturyfazovyeperehodyisvoistvamagnitorezistivnoikeramikiiplenkila066mn123vc011o2284va016 AT paŝenkovp structureimperfectionphasetransitionsandpropertiesofthemagnetoresistiveceramicsandfilmsla066mn123vc011o2284va016 AT kakazeig structureimperfectionphasetransitionsandpropertiesofthemagnetoresistiveceramicsandfilmsla066mn123vc011o2284va016 AT šemâkovaa structureimperfectionphasetransitionsandpropertiesofthemagnetoresistiveceramicsandfilmsla066mn123vc011o2284va016 AT paŝenkoav structureimperfectionphasetransitionsandpropertiesofthemagnetoresistiveceramicsandfilmsla066mn123vc011o2284va016 AT cymballt structureimperfectionphasetransitionsandpropertiesofthemagnetoresistiveceramicsandfilmsla066mn123vc011o2284va016 AT dʹâkonovvp structureimperfectionphasetransitionsandpropertiesofthemagnetoresistiveceramicsandfilmsla066mn123vc011o2284va016 AT szymczakh structureimperfectionphasetransitionsandpropertiesofthemagnetoresistiveceramicsandfilmsla066mn123vc011o2284va016 AT santosjam structureimperfectionphasetransitionsandpropertiesofthemagnetoresistiveceramicsandfilmsla066mn123vc011o2284va016 AT sousajb structureimperfectionphasetransitionsandpropertiesofthemagnetoresistiveceramicsandfilmsla066mn123vc011o2284va016 |