Влияние узких внутренних барьеров на низкотемпературную латеральную проводимость в квантовых ямах

Влияние узких внутренних барьеров на низкотемпературную латеральную проводимость в квантовых ямах

Проведен расчет энергетического спектра электронов в широкой квантовой яме с различным количеством узких барьеров в области ямы. Показано, что уровни размерного квантования поднимаются по энергии при введении таких барьеров. При максимальном заполнении квантовой ямы узкими барьерами и образовании фр...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:2014
Hauptverfasser: Вайнберг, В.В., Пилипчук, А.С.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2014
Schlagworte:
Электронные свойства проводящих систем
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119530
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Влияние узких внутренних барьеров на низкотемпературную латеральную проводимость в квантовых ямах / В.В. Вайнберг, А.С. Пилипчук // Физика низких температур. — 2014. — Т. 40, № 6. — С. 685-691. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-119530
record_format dspace
spelling Вайнберг, В.В.
Пилипчук, А.С.
2017-06-07T08:16:17Z
2017-06-07T08:16:17Z
2014
Влияние узких внутренних барьеров на низкотемпературную латеральную проводимость в квантовых ямах / В.В. Вайнберг, А.С. Пилипчук // Физика низких температур. — 2014. — Т. 40, № 6. — С. 685-691. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.
0132-6414
PACS 73.21.Cd, 73.21.Fg, 72.80.Ey,73.63.Hs
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119530
Проведен расчет энергетического спектра электронов в широкой квантовой яме с различным количеством узких барьеров в области ямы. Показано, что уровни размерного квантования поднимаются по энергии при введении таких барьеров. При максимальном заполнении квантовой ямы узкими барьерами и образовании фрагмента короткопериодной сверхрешетки огибающие волновых функций электронов на уровнях размерного квантования близки по форме к огибающим для обычной квантовой ямы. При этом значительно увеличивается рассеяние на шероховатостях интерфейсов гетерограниц. Экспериментально исследована низкотемпературная латеральная проводимость по квантовой яме, туннельно-связанной с десятиямной короткопериодной сверхрешеткой, и отдельно по сверхрешетке. Полученные результаты хорошо согласуются с модельными расчетами и демонстрируют новую возможность создания параллельных каналов проводимости с различающейся подвижностью электронов.
Проведено розрахунок енергетичного спектра електронів в широкій квантовій ямі з різною кількістю вузьких бар'єрів в області ями. Показано, що рівні розмірного квантування піднімаються по енергії при введенні таких бар'єрів. При максимальному заповненні квантової ями вузькими бар'єрами та утворенні фрагмента короткоперіодної надгратки огинаючі хвильових функцій електронів на рівнях розмірного квантування близькі за формою до огинаючих для звичайної квантової ями. При цьому значно збільшується розсіяння на шорсткостях інтерфейсів гетерограниць. Експериментально досліджено низькотемпературну латеральну провідність по квантовій ямі, яка тунельно-зв'язана з десятиямною короткоперіодною надграткою, і окремо по надгратці. Отримані результати добре узгоджуються з модельними розрахунками та демонструють нову можливість створення паралельних каналів провідності з різною рухливістю електронів.
The electron energy spectrum in a wide quantum well with different number of narrow barriers in it has been calculated. It is shown that the size quantization levels are raised in energy with inserting such barriers. After a maximum filling of the quantum well by narrow barriers and the formation of a short-period superlattice fragment the wave functions envelop of the electrons at the size quantization levels are close in shape to those in a usual quantum well. In that case the scattering by heterojunctions surface roughness becomes more intensive. The low-temperature lateral conduction both in the quantum well which is tunnelcoupled with a 10- well short-period superlattice and in the superlattice has been investigated experimentally. The obtained results agree sufficiently well with model calculations and show a new possibility to create parallel conducting channels with different electron mobility.
Работа выполнена при поддержке Государственной целевой научно-технической программы «Нанотехнологии и наноматериалы» на 2010-2014 гг.» (проект 1.1.7.18/13–H-18) и гранта РФФИ (проект 13-02-97062р_поволжье_а).
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Электронные свойства проводящих систем
Влияние узких внутренних барьеров на низкотемпературную латеральную проводимость в квантовых ямах
Influence of narrow inner barriers on low-temperature lateral conduction in quantum wells
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Влияние узких внутренних барьеров на низкотемпературную латеральную проводимость в квантовых ямах
spellingShingle Влияние узких внутренних барьеров на низкотемпературную латеральную проводимость в квантовых ямах
Вайнберг, В.В.
Пилипчук, А.С.
Электронные свойства проводящих систем
title_short Влияние узких внутренних барьеров на низкотемпературную латеральную проводимость в квантовых ямах
title_full Влияние узких внутренних барьеров на низкотемпературную латеральную проводимость в квантовых ямах
title_fullStr Влияние узких внутренних барьеров на низкотемпературную латеральную проводимость в квантовых ямах
title_full_unstemmed Влияние узких внутренних барьеров на низкотемпературную латеральную проводимость в квантовых ямах
title_sort влияние узких внутренних барьеров на низкотемпературную латеральную проводимость в квантовых ямах
author Вайнберг, В.В.
Пилипчук, А.С.
author_facet Вайнберг, В.В.
Пилипчук, А.С.
topic Электронные свойства проводящих систем
topic_facet Электронные свойства проводящих систем
publishDate 2014
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Influence of narrow inner barriers on low-temperature lateral conduction in quantum wells
description Проведен расчет энергетического спектра электронов в широкой квантовой яме с различным количеством узких барьеров в области ямы. Показано, что уровни размерного квантования поднимаются по энергии при введении таких барьеров. При максимальном заполнении квантовой ямы узкими барьерами и образовании фрагмента короткопериодной сверхрешетки огибающие волновых функций электронов на уровнях размерного квантования близки по форме к огибающим для обычной квантовой ямы. При этом значительно увеличивается рассеяние на шероховатостях интерфейсов гетерограниц. Экспериментально исследована низкотемпературная латеральная проводимость по квантовой яме, туннельно-связанной с десятиямной короткопериодной сверхрешеткой, и отдельно по сверхрешетке. Полученные результаты хорошо согласуются с модельными расчетами и демонстрируют новую возможность создания параллельных каналов проводимости с различающейся подвижностью электронов. Проведено розрахунок енергетичного спектра електронів в широкій квантовій ямі з різною кількістю вузьких бар'єрів в області ями. Показано, що рівні розмірного квантування піднімаються по енергії при введенні таких бар'єрів. При максимальному заповненні квантової ями вузькими бар'єрами та утворенні фрагмента короткоперіодної надгратки огинаючі хвильових функцій електронів на рівнях розмірного квантування близькі за формою до огинаючих для звичайної квантової ями. При цьому значно збільшується розсіяння на шорсткостях інтерфейсів гетерограниць. Експериментально досліджено низькотемпературну латеральну провідність по квантовій ямі, яка тунельно-зв'язана з десятиямною короткоперіодною надграткою, і окремо по надгратці. Отримані результати добре узгоджуються з модельними розрахунками та демонструють нову можливість створення паралельних каналів провідності з різною рухливістю електронів. The electron energy spectrum in a wide quantum well with different number of narrow barriers in it has been calculated. It is shown that the size quantization levels are raised in energy with inserting such barriers. After a maximum filling of the quantum well by narrow barriers and the formation of a short-period superlattice fragment the wave functions envelop of the electrons at the size quantization levels are close in shape to those in a usual quantum well. In that case the scattering by heterojunctions surface roughness becomes more intensive. The low-temperature lateral conduction both in the quantum well which is tunnelcoupled with a 10- well short-period superlattice and in the superlattice has been investigated experimentally. The obtained results agree sufficiently well with model calculations and show a new possibility to create parallel conducting channels with different electron mobility.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119530
citation_txt Влияние узких внутренних барьеров на низкотемпературную латеральную проводимость в квантовых ямах / В.В. Вайнберг, А.С. Пилипчук // Физика низких температур. — 2014. — Т. 40, № 6. — С. 685-691. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT vainbergvv vliânieuzkihvnutrennihbarʹerovnanizkotemperaturnuûlateralʹnuûprovodimostʹvkvantovyhâmah
AT pilipčukas vliânieuzkihvnutrennihbarʹerovnanizkotemperaturnuûlateralʹnuûprovodimostʹvkvantovyhâmah
AT vainbergvv influenceofnarrowinnerbarriersonlowtemperaturelateralconductioninquantumwells
AT pilipčukas influenceofnarrowinnerbarriersonlowtemperaturelateralconductioninquantumwells
first_indexed 2025-12-01T06:27:26Z
last_indexed 2025-12-01T06:27:26Z
_version_ 1850859468987826176

Ähnliche Einträge