Зображення обкладинки

Instability of homogeneous composition of highly strained quantum wells in heterostructures GaAs/InxGa₁₋xAs/GaAs

InxGa₁-xAs QW-layers embedded in GaAs matrix have been characterized by photoluminescence (PL). The relation between the PL parameters and mismatch of the lattice parameters of the layer and matrix was established. In highly strained layers several PL bands were observed instead one band. This is pr...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:2002
Автори: Klimovskaya, A.I., Grigor’ev, N.N., Gule, E.G., Dryha, Yu.A., Litovchenko, V.G.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119565
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Instability of homogeneous composition of highly strained quantum wells in heterostructures GaAs/InxGa₁₋xAs/GaAs / A.I. Klimovskaya, N.N. Grigor’ev, E.G. Gule, Yu.A. Dryha, V.G. Litovchenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 1. — С. 42-45. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси