Зображення обкладинки

Urbach’s rule peculiarities in structures with CdSxSe₁₋x nanocrystals

We have found that the long wavelength fundamental absorption edge of CdSXSe₁-x nanocrystals grown in an oxide glass follows to the generalized Urbach rule that takes into account both the dynamic (phonon induced) and static (defect induced) disorders of nanocrystal lattice. Temperature intervals wi...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2002
Автори:	Kunets, V.P., Kulish, N.R., Kunets, Vas.P., Lisitsa, M.P.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119569
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Urbach’s rule peculiarities in structures with CdSxSe₁₋x nanocrystals / V.P. Kunets, N.R. Kulish, Vas.P. Kunets, M.P. Lisitsa // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 1. — С. 9-15. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Mechanism of photoinduced luminescence degradation in CdSxSe₁₋x quantum dots
за авторством: Kunets, V.P., та інші
Опубліковано: (2003)

Optical investigations of thermostimulated changes in an ensemble of CdSxSe₁₋x quantum dots embedded into borosilicate glass matrix
за авторством: Kunets, V.P., та інші
Опубліковано: (2001)

Nonlinear interaction of the elliptically polarized light with CdSxSe₁₋x quantum dots
за авторством: Kulish, M.R., та інші
Опубліковано: (2010)

Nonlinear interaction of the elliptically polarized light with CdSxSe1-x quantum dots
за авторством: M. R. Kulish, та інші
Опубліковано: (2010)

Radiation-resistant ultraviolet curable polyurethane films with CdSe-ZnS sore-shell nanocrystals
за авторством: N. R. Kulish, та інші
Опубліковано: (2013)

The peculiarities of the properties of ZnSxSe₁-x nanocrystals obtained by self-propagating high-temperature synthesis
за авторством: Kovalenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Saturation of optical absorption in CdS single crystals
за авторством: Malysh, N. I., та інші
Опубліковано: (1999)

Enhancement of CdSSe QD exciton luminescence efficiency by hydrogen RF plasma treatment
за авторством: Kunets, V.P., та інші
Опубліковано: (2003)

Urbach’s edge of glassy HgSe-GeSe₂ alloys: static disorder and temperature dependence of optical absorption
за авторством: Bozhko, V.V., та інші
Опубліковано: (2002)

Defects with deep donor and acceptor levels in nanocrystals of CdTe and CdSe
за авторством: Babentsov, V.N.
Опубліковано: (2006)

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe₁₋x
за авторством: Трубаєва, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)

Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
за авторством: Трубаева, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)

Scintillation materials based on solid solutions ZnSxSe1–x
за авторством: O. H. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe1–x
за авторством: Trubaeva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)

Effect of sulfur on the scintillation properties of mixed ZnSxSe1–x crystals
за авторством: O. G. Trubaeva, та інші
Опубліковано: (2018)

Investigation of band gap width in mixed ZnSxSe1–x crystals
за авторством: O. G. Trubaeva, та інші
Опубліковано: (2018)

Investigation of electrical and photovoltaic properties In-CdSxTe1-x-Si-In structure
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013)

Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe1–x
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)

Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры
за авторством: Сапаев, И.Б.
Опубліковано: (2013)

Mixed ZnSxSe1–x crystals as a possible material for alpha-particle and X-ray detectors
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)

Mixed ZnSxSe1–x crystals as a possible material for alpha-particle and X-ray detectors
за авторством: O. H. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)

Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)

Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
за авторством: Трубаева, O.Г., та інші
Опубліковано: (2018)

Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)

Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)

Luminescent properties of ZnSxSe₍₁₋x₎ mixed crystals obtained by solid-phase synthesis and melt-growing
за авторством: Galkin, S.M., та інші
Опубліковано: (2018)

Optical properties of CdS and PbS nanocrystals adsorbed on silica nanoparticles
за авторством: Yermolayeva, Yu.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Optical spectra of small CdS nanocrystals
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2016)

Optical spectra of small CdS nanocrystals
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2016)

Model of optical transitions in A₂B₆ wurtzite type quantum dots
за авторством: Kunets, V.P.
Опубліковано: (1999)

Morphology and luminescence properties of nanocomposites films on the base of poly(n-vinylcarbzole) and semiconductor nanocrystals CdSe/ZnS
за авторством: Matvienko, O.O., та інші
Опубліковано: (2011)

Photoluminescence of ZnSe nanocrystals at high excitation level
за авторством: Tishchenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)

Dielectric characteristics of GaSe nanocrystals intercalated with hydrogen
за авторством: Kaminskii, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)

The effect of shallow impurities on the light absorption by the nanocrystals CdS
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2018)

The effect of shallow impurities on the light absorption by the nanocrystals CdS
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2018)

Characterization of ZnSe nanocrystals grown by vapor phase epitaxy
за авторством: Tishchenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Properties of CdSe heterolayers obtained by isovalent substitution on CdTe substrates
за авторством: Makhniy, V.P., та інші
Опубліковано: (2012)

Luminescent analysis of the quality of CdS nanocrystals depending on technological parameters
за авторством: A. B. Bogoslovskaya, та інші
Опубліковано: (2019)

Luminescent analysis of the quality of CdS nanocrystals depending on technological parameters
за авторством: Bogoslovskaya, A.B., та інші
Опубліковано: (2019)

Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2016)