Atomic and electronic structure of a-SiC
Molecular dynamics (MD) simulations based on an empirical potential approach have provided detailed information about chemical ordering and the structural short-range order in stoichiometric amorphous silicon carbide (a-SiC). Recursion band structure calculations based on amorphous geometries obtain...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2002 |
| Автори: | Ivashchenko, V.I., Shevchenko, V.I. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119570 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Atomic and electronic structure of a-SiC / V.I. Ivashchenko, V.I. Shevchenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 1. — С. 16-24. — Бібліогр.: 24 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Kirchhoff and electron curvature indexes for SiC nanoclusters
за авторством: Luzanov, A.V.
Опубліковано: (2017)
за авторством: Luzanov, A.V.
Опубліковано: (2017)
Biomorphic SiC from peas and beans
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2012)
The effect of size of the SiC inclusions in the AlN–SiC composite structure on its electrophysical properties
за авторством: T. B. Serbeniuk, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: T. B. Serbeniuk, та інші
Опубліковано: (2016)
Effect of macrostructure on the thermoelectric properties of biomorphous SiC/Si ceramics
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)
Effect of Si infiltration method on the properties of biomorphous SiC
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)
Effect of Si Infiltration Method on the Biomorphous SiC Microstructure Properties
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)
Structure and phase composition of ZrB2-SiC-AlN plasma coatings on the surfae of C/C-SiC composite materials
за авторством: Ju. S. Borisov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ju. S. Borisov, та інші
Опубліковано: (2019)
Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2015)
Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2015)
Study of postimplantation annealing of SiC
за авторством: Avramenko, S.F., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Avramenko, S.F., та інші
Опубліковано: (2001)
Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)
3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2011)
Biomorphic SiC from peas and beans
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2012)
Investigation of structural perfection of SiC ingots grown by a sublimation method
за авторством: Avramenko, S.F., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Avramenko, S.F., та інші
Опубліковано: (1999)
Surface and electron structure of the 6H-SiC(0001)-(3×3) surface and ultrathin Ag films on Si(111) and Si(001)
за авторством: Gasparov, V.A.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Gasparov, V.A.
Опубліковано: (2011)
Mechanism of 6H-3C transformation in SiC
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)
Simple method for SiC nanowires fabrication
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2011)
Simple method for SiC nanowires fabrication
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2011)
Photovoltaic effect in p–SiC/p–Si heterojunction
за авторством: Kozlovskyi, A.A., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Kozlovskyi, A.A., та інші
Опубліковано: (2013)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
Effect of microwave radiation on optical transmission spectra in SiO₂/SiC structures
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2002)
Вплив розміру включень SiC у структурі AlN–SiC на електрофізичні властивості композиту
за авторством: Сербенюк, Т.Б., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Сербенюк, Т.Б., та інші
Опубліковано: (2016)
Surface and electron structure of the 6H-SiC(0001)-(3Ч3) surface and ultrathin Ag films on Si(111) and Si(001)
за авторством: V. A. Gasparov
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. A. Gasparov
Опубліковано: (2011)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)
Дослідження плівок SiC, отриманих на підкладинці porous-Si/Si
за авторством: Kidalov, V. V., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Kidalov, V. V., та інші
Опубліковано: (2024)
Effect of the charge state of traps on the transport current in the SiC/Si heterostructure
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2000)
Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2018)
Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)
Microstructure and thermal conductivity of silicon infiltrated SiC-material
за авторством: V. H. Kulych, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: V. H. Kulych, та інші
Опубліковано: (2023)
Phonon-polariton excitations in MgZnO/6H-SiC structures
за авторством: O. V. Melnychuk, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: O. V. Melnychuk, та інші
Опубліковано: (2020)
Phonon-polariton excitations in MgZnO/6H-SiC structures
за авторством: O. V. Melnichuk, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: O. V. Melnichuk, та інші
Опубліковано: (2020)
Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
за авторством: Lee, S.W., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Lee, S.W., та інші
Опубліковано: (2010)
Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)
Partial quasibinary eutectic in the system B4C−SiC
за авторством: D. A. Zakarjan
Опубліковано: (2015)
за авторством: D. A. Zakarjan
Опубліковано: (2015)
Частичная квазибинарная эвтектика в системе B₄C−SiC
за авторством: Закарян, Д.А.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Закарян, Д.А.
Опубліковано: (2015)
Перспективы использования SiC/SiC-композитов в термоядерных реакторах (по анализу Международных Баз Данных INIS, MSCI, INSPEC)
за авторством: Войценя, В.С., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Войценя, В.С., та інші
Опубліковано: (2007)
Ion plasma deposition and optical properties of SiC films
за авторством: Semenov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Semenov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Corrosion stability of SiC-based ceramics in hydrothermal conditions
за авторством: K. V. Lobach, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: K. V. Lobach, та інші
Опубліковано: (2019)
Graphene layers fabricated from the Ni/a-SiC bilayer precursor
за авторством: A. N. Nazarov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. N. Nazarov, та інші
Опубліковано: (2013)
Graphene layers fabricated from the Ni/a-SiC bilayer precursor
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2013)
Схожі ресурси
-
Kirchhoff and electron curvature indexes for SiC nanoclusters
за авторством: Luzanov, A.V.
Опубліковано: (2017) -
Biomorphic SiC from peas and beans
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2012) -
The effect of size of the SiC inclusions in the AlN–SiC composite structure on its electrophysical properties
за авторством: T. B. Serbeniuk, та інші
Опубліковано: (2016) -
Effect of macrostructure on the thermoelectric properties of biomorphous SiC/Si ceramics
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009) -
Effect of Si infiltration method on the properties of biomorphous SiC
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)