Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана
Mетодом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии исследованы нелегированные и легированные лантаном монокристаллы TlInS₂. Определены характеристики электрически активных дефектов: сечение захвата носителей заряда, энергия термоактивации и интервал температур изменения зарядового состояния дефе...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2014 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2014
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119644 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана / М. Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov, E. Acar, А.П. Одринский, Т.Г. Мамедов, А.И. Наджафов, В.Б. Алиева // Физика низких температур. — 2014. — Т. 40, № 9. — С. 1062-1070. — Бібліогр.: 29 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862730670480031744 |
|---|---|
| author | Seyidov, М.Yu. Suleymanov, R.A. Acar, E. Одринский, А.П. Мамедов, Т.Г. Наджафов, А.И. Алиева, В.Б. |
| author_facet | Seyidov, М.Yu. Suleymanov, R.A. Acar, E. Одринский, А.П. Мамедов, Т.Г. Наджафов, А.И. Алиева, В.Б. |
| citation_txt | Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана / М. Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov, E. Acar, А.П. Одринский, Т.Г. Мамедов, А.И. Наджафов, В.Б. Алиева // Физика низких температур. — 2014. — Т. 40, № 9. — С. 1062-1070. — Бібліогр.: 29 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Mетодом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии исследованы нелегированные и легированные лантаном монокристаллы TlInS₂. Определены характеристики электрически активных дефектов: сечение захвата носителей заряда, энергия термоактивации и интервал температур изменения зарядового состояния дефекта. Изучены пироэлектрические свойства TlInS₂:La. Установлен дефект, ответственный за аномалии пиротока.
Mетодом фотоелектричної релаксаційної спектроскопії досліджено нелеговані та леговані лантаном монокристали TlInS₂. Визначено характеристики електрично активних дефектів: переріз захоплення носіїв заряду, енергія термоактивації й інтервал температур змінення зарядового стану дефекту. Вивчено піроелектричні властивості TlInS₂:La. Встановлено дефект, відповідальний за аномалії піроструму.
Undoped and La-doped TlInS₂ single crystals have been investigated by the photo-induced current transient spectroscopy (PICTS) method. The characteristics of electrically active defects such as capture cross-section, thermal activation energy and temperature interval of defect recharging have been determined. The pyroelectrical properties of TlInS₂:La have been investigated as well. The defect responsible for pyrocurrent anomalies has been established
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:21:39Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-119644 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:21:39Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Seyidov, М.Yu. Suleymanov, R.A. Acar, E. Одринский, А.П. Мамедов, Т.Г. Наджафов, А.И. Алиева, В.Б. 2017-06-07T18:49:25Z 2017-06-07T18:49:25Z 2014 Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана / М. Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov, E. Acar, А.П. Одринский, Т.Г. Мамедов, А.И. Наджафов, В.Б. Алиева // Физика низких температур. — 2014. — Т. 40, № 9. — С. 1062-1070. — Бібліогр.: 29 назв. — рос. 0132-6414 PACS 61.44.Fw, 77.80.B–, 77.80.–e https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119644 Mетодом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии исследованы нелегированные и легированные лантаном монокристаллы TlInS₂. Определены характеристики электрически активных дефектов: сечение захвата носителей заряда, энергия термоактивации и интервал температур изменения зарядового состояния дефекта. Изучены пироэлектрические свойства TlInS₂:La. Установлен дефект, ответственный за аномалии пиротока. Mетодом фотоелектричної релаксаційної спектроскопії досліджено нелеговані та леговані лантаном монокристали TlInS₂. Визначено характеристики електрично активних дефектів: переріз захоплення носіїв заряду, енергія термоактивації й інтервал температур змінення зарядового стану дефекту. Вивчено піроелектричні властивості TlInS₂:La. Встановлено дефект, відповідальний за аномалії піроструму. Undoped and La-doped TlInS₂ single crystals have been investigated by the photo-induced current transient spectroscopy (PICTS) method. The characteristics of electrically active defects such as capture cross-section, thermal activation energy and temperature interval of defect recharging have been determined. The pyroelectrical properties of TlInS₂:La have been investigated as well. The defect responsible for pyrocurrent anomalies has been established ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана Photoelectrical properties of defects in La-doped TlInS₂ layered crystal Article published earlier |
| spellingShingle | Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана Seyidov, М.Yu. Suleymanov, R.A. Acar, E. Одринский, А.П. Мамедов, Т.Г. Наджафов, А.И. Алиева, В.Б. Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| title | Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана |
| title_alt | Photoelectrical properties of defects in La-doped TlInS₂ layered crystal |
| title_full | Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана |
| title_fullStr | Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана |
| title_full_unstemmed | Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана |
| title_short | Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана |
| title_sort | фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла tlins₂ в присутствии примесей лантана |
| topic | Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| topic_facet | Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119644 |
| work_keys_str_mv | AT seyidovmyu fotoélektričeskaâaktivnostʹdefektovsloistogokristallatlins2vprisutstviiprimeseilantana AT suleymanovra fotoélektričeskaâaktivnostʹdefektovsloistogokristallatlins2vprisutstviiprimeseilantana AT acare fotoélektričeskaâaktivnostʹdefektovsloistogokristallatlins2vprisutstviiprimeseilantana AT odrinskiiap fotoélektričeskaâaktivnostʹdefektovsloistogokristallatlins2vprisutstviiprimeseilantana AT mamedovtg fotoélektričeskaâaktivnostʹdefektovsloistogokristallatlins2vprisutstviiprimeseilantana AT nadžafovai fotoélektričeskaâaktivnostʹdefektovsloistogokristallatlins2vprisutstviiprimeseilantana AT alievavb fotoélektričeskaâaktivnostʹdefektovsloistogokristallatlins2vprisutstviiprimeseilantana AT seyidovmyu photoelectricalpropertiesofdefectsinladopedtlins2layeredcrystal AT suleymanovra photoelectricalpropertiesofdefectsinladopedtlins2layeredcrystal AT acare photoelectricalpropertiesofdefectsinladopedtlins2layeredcrystal AT odrinskiiap photoelectricalpropertiesofdefectsinladopedtlins2layeredcrystal AT mamedovtg photoelectricalpropertiesofdefectsinladopedtlins2layeredcrystal AT nadžafovai photoelectricalpropertiesofdefectsinladopedtlins2layeredcrystal AT alievavb photoelectricalpropertiesofdefectsinladopedtlins2layeredcrystal |