Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана

Mетодом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии исследованы нелегированные и легированные лантаном монокристаллы TlInS₂. Определены характеристики электрически активных дефектов: сечение захвата носителей заряда, энергия термоактивации и интервал температур изменения зарядового состояния дефе...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Published in:	Физика низких температур
Date:	2014
Main Authors:	Seyidov, М.Yu., Suleymanov, R.A., Acar, E., Одринский, А.П., Мамедов, Т.Г., Наджафов, А.И., Алиева, В.Б.
Format:	Article
Language:	Russian
Published:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2014
Subjects:	Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
Online Access:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119644
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:	Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана / М. Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov, E. Acar, А.П. Одринский, Т.Г. Мамедов, А.И. Наджафов, В.Б. Алиева // Физика низких температур. — 2014. — Т. 40, № 9. — С. 1062-1070. — Бібліогр.: 29 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-119644
record_format	dspace
spelling	Seyidov, М.Yu. Suleymanov, R.A. Acar, E. Одринский, А.П. Мамедов, Т.Г. Наджафов, А.И. Алиева, В.Б. 2017-06-07T18:49:25Z 2017-06-07T18:49:25Z 2014 Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана / М. Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov, E. Acar, А.П. Одринский, Т.Г. Мамедов, А.И. Наджафов, В.Б. Алиева // Физика низких температур. — 2014. — Т. 40, № 9. — С. 1062-1070. — Бібліогр.: 29 назв. — рос. 0132-6414 PACS 61.44.Fw, 77.80.B–, 77.80.–e https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119644 Mетодом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии исследованы нелегированные и легированные лантаном монокристаллы TlInS₂. Определены характеристики электрически активных дефектов: сечение захвата носителей заряда, энергия термоактивации и интервал температур изменения зарядового состояния дефекта. Изучены пироэлектрические свойства TlInS₂:La. Установлен дефект, ответственный за аномалии пиротока. Mетодом фотоелектричної релаксаційної спектроскопії досліджено нелеговані та леговані лантаном монокристали TlInS₂. Визначено характеристики електрично активних дефектів: переріз захоплення носіїв заряду, енергія термоактивації й інтервал температур змінення зарядового стану дефекту. Вивчено піроелектричні властивості TlInS₂:La. Встановлено дефект, відповідальний за аномалії піроструму. Undoped and La-doped TlInS₂ single crystals have been investigated by the photo-induced current transient spectroscopy (PICTS) method. The characteristics of electrically active defects such as capture cross-section, thermal activation energy and temperature interval of defect recharging have been determined. The pyroelectrical properties of TlInS₂:La have been investigated as well. The defect responsible for pyrocurrent anomalies has been established ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана Photoelectrical properties of defects in La-doped TlInS₂ layered crystal Article published earlier
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
title	Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана
spellingShingle	Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана Seyidov, М.Yu. Suleymanov, R.A. Acar, E. Одринский, А.П. Мамедов, Т.Г. Наджафов, А.И. Алиева, В.Б. Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
title_short	Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана
title_full	Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана
title_fullStr	Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана
title_full_unstemmed	Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана
title_sort	фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла tlins₂ в присутствии примесей лантана
author	Seyidov, М.Yu. Suleymanov, R.A. Acar, E. Одринский, А.П. Мамедов, Т.Г. Наджафов, А.И. Алиева, В.Б.
author_facet	Seyidov, М.Yu. Suleymanov, R.A. Acar, E. Одринский, А.П. Мамедов, Т.Г. Наджафов, А.И. Алиева, В.Б.
topic	Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
topic_facet	Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
publishDate	2014
language	Russian
container_title	Физика низких температур
publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format	Article
title_alt	Photoelectrical properties of defects in La-doped TlInS₂ layered crystal
description	Mетодом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии исследованы нелегированные и легированные лантаном монокристаллы TlInS₂. Определены характеристики электрически активных дефектов: сечение захвата носителей заряда, энергия термоактивации и интервал температур изменения зарядового состояния дефекта. Изучены пироэлектрические свойства TlInS₂:La. Установлен дефект, ответственный за аномалии пиротока. Mетодом фотоелектричної релаксаційної спектроскопії досліджено нелеговані та леговані лантаном монокристали TlInS₂. Визначено характеристики електрично активних дефектів: переріз захоплення носіїв заряду, енергія термоактивації й інтервал температур змінення зарядового стану дефекту. Вивчено піроелектричні властивості TlInS₂:La. Встановлено дефект, відповідальний за аномалії піроструму. Undoped and La-doped TlInS₂ single crystals have been investigated by the photo-induced current transient spectroscopy (PICTS) method. The characteristics of electrically active defects such as capture cross-section, thermal activation energy and temperature interval of defect recharging have been determined. The pyroelectrical properties of TlInS₂:La have been investigated as well. The defect responsible for pyrocurrent anomalies has been established
issn	0132-6414
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119644
citation_txt	Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана / М. Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov, E. Acar, А.П. Одринский, Т.Г. Мамедов, А.И. Наджафов, В.Б. Алиева // Физика низких температур. — 2014. — Т. 40, № 9. — С. 1062-1070. — Бібліогр.: 29 назв. — рос.
work_keys_str_mv	AT seyidovmyu fotoélektričeskaâaktivnostʹdefektovsloistogokristallatlins2vprisutstviiprimeseilantana AT suleymanovra fotoélektričeskaâaktivnostʹdefektovsloistogokristallatlins2vprisutstviiprimeseilantana AT acare fotoélektričeskaâaktivnostʹdefektovsloistogokristallatlins2vprisutstviiprimeseilantana AT odrinskiiap fotoélektričeskaâaktivnostʹdefektovsloistogokristallatlins2vprisutstviiprimeseilantana AT mamedovtg fotoélektričeskaâaktivnostʹdefektovsloistogokristallatlins2vprisutstviiprimeseilantana AT nadžafovai fotoélektričeskaâaktivnostʹdefektovsloistogokristallatlins2vprisutstviiprimeseilantana AT alievavb fotoélektričeskaâaktivnostʹdefektovsloistogokristallatlins2vprisutstviiprimeseilantana AT seyidovmyu photoelectricalpropertiesofdefectsinladopedtlins2layeredcrystal AT suleymanovra photoelectricalpropertiesofdefectsinladopedtlins2layeredcrystal AT acare photoelectricalpropertiesofdefectsinladopedtlins2layeredcrystal AT odrinskiiap photoelectricalpropertiesofdefectsinladopedtlins2layeredcrystal AT mamedovtg photoelectricalpropertiesofdefectsinladopedtlins2layeredcrystal AT nadžafovai photoelectricalpropertiesofdefectsinladopedtlins2layeredcrystal AT alievavb photoelectricalpropertiesofdefectsinladopedtlins2layeredcrystal
first_indexed	2025-12-07T19:21:39Z
last_indexed	2025-12-07T19:21:39Z
_version_	1850878512096870401

Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана

Institution

Similar Items